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公开(公告)号：KR100905884B1
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020080135772
申请日：2008-12-29
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 하부 반도체 물질층; 상기 하부 반도체 물질층의 일면의 일부분상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 상부 반도체 물질층; 상기 상부 반도체 물질층 상에 형성되며 상기 상부 반도체 물질층과 전기적으로 연결된 제1 전극층; 상기 하부 반도체 물질층의 상기 일면 상의 다른 부분에 형성되며, 상기 하부 반도체 물질층과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 전극층과의 사이에 공간을 형성하는 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층과 제2 전극층에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전극층과 제2 전극층 사이의 공간의 적어도 일부를 채우도록 형성되는 저항성 보호층을 포함하는 발광소자가 개시된다. 상기 제2 전극층에 대해 상대적으로 양의 전압이 제1 전극층에 인가될 때 상기 상부 반도체 물질층, 활성층 및 하부 반도체 물질층의 전기적 저항값을 Rf라 하고, 상기 제2 전극층에 대해 상대적으로 음의 전압이 제1 전극층에 인가될 때 상기 상부 반도체 물질층, 활성층 및 하부 반도체 물질층의 전기적 저항값을 Rr이라고 할 때, 상기 저항성 보호층의 저항값 Rs는 상기 Rf보다 크고 Rr보다 작을 수 있다.
발광소자, 보호회로, 모노리식-
公开(公告)号：KR100862453B1
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：KR1020040096149
申请日：2004-11-23
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 반도체 발광소자는, 기판 상에 순차적으로 적층된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층과, 상기 p형 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 n형 반도체층 상에서 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 형성된 n형 전극과, 상기 활성층을 포함하는 상기 p형 반도체층 및 n형 반도체층의 측면에 형성된 유전층과, 상기 유전층 상에 형성된 반사층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020080086970A
公开(公告)日：2008-09-29
申请号：KR1020080088819
申请日：2008-09-09
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/46 , G02F1/133603 , G02F1/13362 , H01L33/405
Abstract: An edge type light emitting diode and a display device having the same are provided to improve light emitting efficiency of the LED(Light Emitting Diode) by polarizing light without using a polarizing plate. An edge type light emitting diode includes first and second semiconductor layers(103,105), an active layer(100), a first reflective layer(107), and a second reflective layer(110). The first semiconductor layer supplies electrons. The second semiconductor layer supplies holes. The active layer is formed between the first and second semiconductor layers and receives the electrons and holes. The active layer emits light by using a recombination of the hole and electron. The first reflective layer is formed under the first semiconductor layer. The second reflective layer is formed on the second semiconductor layer.
Abstract translation: 提供边缘型发光二极管及其显示装置，以通过偏振光提高LED（发光二极管）的发光效率，而不使用偏振片。 边缘型发光二极管包括第一和第二半导体层（103,105），有源层（100），第一反射层（107）和第二反射层（110）。 第一半导体层提供电子。 第二半导体层供应孔。 有源层形成在第一和第二半导体层之间并且接收电子和空穴。 有源层通过使用空穴和电子的复合发光。 第一反射层形成在第一半导体层下面。 第二反射层形成在第二半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020080079968A
公开(公告)日：2008-09-02
申请号：KR1020070026247
申请日：2007-03-16
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/46 , G02F1/133603 , G02F1/13362 , H01L33/405
Abstract: An edge type of a light emitting diode and a display apparatus employing the same are provided to form polarized light by suppressing light in an upper part of the light emitting diode and increasing the light in an edge direction of the light emitting diode. A first semiconductor layer(103) provides electrons. A second semiconductor layer(105) provides holes. An active layer(100) is formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer to receive the electrons and the holes and to cause emission of light due to a bonding reaction between the electrons and the holes. A first reflection layer(107) is formed on a lower part of the first semiconductor layer. A second reflection layer(110) is formed on an upper part of the second semiconductor layer. The light is radiated toward an edge of the active layer.
Abstract translation: 通过抑制发光二极管的上部的光并增加发光二极管的边缘方向的光，提供发光二极管的边缘型和采用该发光二极管的显示装置，以形成偏振光。 第一半导体层（103）提供电子。 第二半导体层（105）提供孔。 在第一半导体层和第二半导体层之间形成有源层（100）以接收电子和空穴，并且由于电子和空穴之间的结合反应而引起光的发射。 第一反射层（107）形成在第一半导体层的下部。 第二反射层（110）形成在第二半导体层的上部。 光朝向有源层的边缘辐射。
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公开(公告)号：KR100849788B1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：KR1020050058640
申请日：2005-06-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 수직형 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것이다. 수직형 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, (가) 기판 상에 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층을 순차적으로 형성시키고, 상기 상부 클래드층 상에 제 1전극층들을 형성시키는 단계; (나) 상기 각각의 제 1전극층들 상에 금속 지지층을 형성시키고, 상기 제 1전극층들의 사이에 트랜치를 형성시키는 단계; 및 (다) 상기 기판을 제거하고 상기 하부 클래드층에 제 2전극층을 형성시키는 단계;를 포함하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070078935A
公开(公告)日：2007-08-03
申请号：KR1020060009394
申请日：2006-01-31
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 조제희
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/017 , G02B5/003 , G02F2001/0155 , G03B21/20 , H04N9/3129 , H04N9/3138
Abstract: A projection system using a semiconductor diode is provided to improve light efficiency and achieve high light modulation speed by allowing a semiconductor diode to transmit or absorb light according a wavelength of the light. A light source(110) emits white light. A color filter(115) separate the white light into a plurality of different single-color rays in a time sequence. A light modulator(120) modulates the separate single-color rays according to each color signal, and includes a semiconductor diode arranged for each pixel. The semiconductor diode is composed of a p-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer, and absorbs or transmits the separated single-color ray according to a magnitude of a reverse bias voltage. A projection lens projects an image obtained by modulation of the light modulator toward a screen.
Abstract translation: 提供使用半导体二极管的投影系统，以通过使半导体二极管根据光的波长透射或吸收光来提高光效率并实现高的光调制速度。 光源（110）发出白光。 滤色器（115）以时间顺序将白光分离成多个不同的单色光线。 光调制器（120）根据每个颜色信号调制单独的单色光线，并且包括为每个像素排列的半导体二极管。 半导体二极管由p型半导体层，本征半导体层和n型半导体层构成，并根据反向偏置电压的大小吸收或透过分离的单色光。 投影透镜将通过调制光调制器获得的图像投射到屏幕。
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公开(公告)号：KR100714639B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020030073442
申请日：2003-10-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 한개 이상의 곡면형 돌출부를 포함하는 기판을 지닌 발광 소자를 제공함으로써, 반도체 결정층의 성장 및 발광 소자의 완성된 형태에서도 균일한 결함 밀도 제어 및 스트레스 분포의 제어가 용이한 기판 및 이를 채용한 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 발광층에서 발생한 빛의 발광 소자 외부로의 추출 효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100691143B1
公开(公告)日：2007-03-09
申请号：KR1020030027546
申请日：2003-04-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자가 개시된다. 개시된 발광 다이오드 소자는, 여기광을 방출하는 발광 다이오드 칩과, 발광 다이오드 칩을 다층으로 덮도록 형성되며 여기광에 의해 여기되어 각 층별로 서로 다른 색상의 가시광을 방출하는 다층 형광층을 구비하며, 상기 다층 형광층은, 발광 다이오드 칩에 보다 가까운 층에서는 보다 긴 파장의 광을 방출하고, 발광 다이오드 칩으로부터 보다 먼 층에서는 보다 짧은 파장의 광을 방출하도록 형성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 발광 다이오드 소자의 광전환 효율이 향상되어 출력되는 광량이 증가된다.
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公开(公告)号：KR1020070016897A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050089473
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
Abstract: 도전성 나노로드에 의해 형성된 투명 전도성 저굴절층을 가지는 단일지향성 반사기와 이를 적용하는 발광소자를 개시한다. 나노로드에 의한 저굴절층은 매우 우수한 저굴절성을 가지며, 따라서 매우 높은 반사율을 가지는 반사기를 얻게 된다. 저굴절층이 우수한 통전성을 가지기 때문에 별도의 통전 경로를 마련할 필요가 없다.
ODR, 반사기, 발광소자, 나노로드, 경사증착-
公开(公告)号：KR1020060113386A
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：KR1020060026476
申请日：2006-03-23
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: G02F1/1335 , H01L33/50 , H01L33/48
CPC classification number: G02F1/133602 , H01L33/48 , H01L33/504
Abstract: 본발명은발광다이오드를이용한 LCD 백라이트유니트에관하여개시한다. 개시된 LCD 백라이트유니트는: 청색광원, 적색광원및 녹색광원을구비하며, 상기녹색광원은, UV 발광다이오드; 상기 UV 발광다이오드로부터의광으로여기되는녹색형광체;를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 提供使用LED（发光二极管）的LCD背光单元，以通过UV LED发射绿光来提高发光效率并减少LCD背光单元中使用的绿色光源的数量和功耗。 LCD背光单元包括蓝光源（40），红光源（20）和绿光源（30）。 绿色光源包括第一UV LED和激发成从第一UV LED发射的光的绿色荧光体。 蓝色，红色和绿色光源基本上以相同的速率形成，并且施加到蓝色，红色和绿色光源的电流基本上彼此相等。
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