公开(公告)号：KR100575984B1

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：KR1020030088386

申请日：2003-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손재곤 ,  김강욱

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04N21/41407 ,  H04M1/72522 ,  H04N5/77 ,  H04N5/907 ,  H04N5/937 ,  H04N9/8042 ,  H04N21/4325 ,  H04N21/440263 ,  H04N21/8153

Abstract: 본 발명은 휴대용 단말기의 섬네일 영상 데이터 서비스 방법에 있어서, 대기모드에서 영상 관리모드가 선택되었는가를 판단하는 과정과; 상기 판단결과, 상기 영상 관리모드가 선택되면 복수개 이상 저장된 실제 영상 데이터 비트스트림을 통해 각각의 상기 실제 영상 데이터의 사진크기와 압축율을 분석하는 과정과; 상기 실제 영상 데이터의 비트스트림에서 상기 분석된 사진크기와 압축율에 대응하는 디시티 계수의 위치를 파악하고 상기 디시티 계수를 추출하는 과정과; 상기 추출한 디시티 계수를 비트스트림 부분복호화하고, 그 부분복호화한 디시티계수를 소정비율로 축소하여 상기 복수개 이상의 실제 영상 데이터의 섬네일 영상 데이터를 생성한후 디스플레이 하는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
휴대용 단말기, 섬네일 영상 데이터, 영상 데이터, 정지영상 데이터, 동영상 데이터

公开(公告)号：KR101660433B1

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：KR1020100073531

申请日：2010-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현우 ,  홍형선 ,  오용철 ,  황유상 ,  백철호 ,  김강욱

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 기판의상면보다더 낮은레벨에서제1 방향을따라연장되어있는복수의매몰워드라인과, 기판의상면보다더 낮은레벨에서제2 방향을따라연장되어있는복수의매몰비트라인을포함하고, 제1 그룹의활성영역들에포함되어있는복수의제1 활성영역쌍 중 1 개의제1 활성영역쌍을구성하는 2 개의활성영역사이의이격거리가매몰비트라인을사이에두고이웃하고있는 2 개의활성영역사이의이격거리보다더 작은구조를가지는반도체소자를제공한다. 기판에복수의제1 트렌치를형성하고, 제1 트렌치마다그 내부에한 쌍의제1 도전패턴이위치되도록복수의제1 트렌치내에복수의제1 도전패턴을형성하고, 복수의제1 트렌치내에각각제1 도전패턴을덮는제1 매립패턴을형성하고, 복수의제1 트렌치각각의사이의영역에서기판을식각하여복수의제2 트렌치를형성하고, 복수의제2 트렌치내에복수의제2 매립패턴을형성하는공정들을제공한다.

公开(公告)号：KR101650018B1

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：KR1020100025734

申请日：2010-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강욱 ,  오용철 ,  김희중 ,  정현우 ,  김현기

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 다양한구성부재들을선택적으로구비하면서낮은저항을갖는기판구조체와이러한기판구조체를이용한반도체장치가개시된다. 기판구조체는, 제1 기판, 제1 기판상에형성되는절연층이나절연구조물또는접착구조물, 제2 기판, 제2 기판아래에형성되는장벽층, 그리고절연구조물과장벽층사이에배치되는매립배선을포함한다. 기판구조체가절연층, 절연구조물, 접착구조물, 장벽층, 보상층및/또는보상구조물을선택적으로구비할수 있으므로요구에따라다양한반도체장치에적용가능하다.

公开(公告)号：KR101608799B1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：KR1020090106219

申请日：2009-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최동영 ,  손재곤 ,  권홍석 ,  김강욱 ,  김태중

IPC: H04B1/40 ,  G06F9/06

CPC classification number: G06F3/0362 ,  G06F3/04847

Abstract: 본발명은모드또는기능에따른객체를표시하는표시창을구비한객체표시다이얼을포함하는휴대용단말기에서상기객체표시다이얼을소정각도회전시켜표시된특정기능을수행할수 있도록하기위한장치및 방법에관한것으로, 상기휴대용단말기의모드또는기능을설정하기위한모드/기능설정부와, 상기모드또는기능설정에따라상기다이얼상에각 모드또는기능에해당되는객체를표시하기위한객체를생성하는 UI 객체생성부와, 상기생성된객체를표시창에표시하는 UI 객체표시부와, 객체표시다이얼의회전을감지하는다이얼회전감지부와, 상기다이얼의회전이감지되는경우, 상기표시된객체중 상기회전된다이얼의위치와대응되는위치를체크하는위치체크부와, 상기위치에대응하는객체에대응되는모드로전환하거나기능을실행하는모드/기능실행부를포함한다.

公开(公告)号：KR101569466B1

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：KR1020090135332

申请日：2009-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현우 ,  김강욱 ,  오용철 ,  김희중 ,  김현기

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 반도체기억소자및 그형성방법을제공한다. 이소자에따르면, 활성부및 소자분리패턴내에배치된그루브의양 내측벽들상에제1 매몰게이트및 제2 매몰게이트가각각배치된다. 제1 및제2 매몰게이트들은서로독립적으로제어된다.

Abstract translation: 提供了一种半导体存储元件及其形成方法。 根据本申请人，第一掩埋栅极和第二掩埋栅极分别设置在设置在有源部分和器件隔离图案中的沟槽的两个内壁上。 第一和第二掩埋栅极被彼此独立地控制。

公开(公告)号：KR101528823B1

公开(公告)日：2015-06-15

申请号：KR1020090004043

申请日：2009-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희중 ,  오용철 ,  정현우 ,  김현기 ,  김강욱

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10885

Abstract: 반도체메모리소자및 그제조방법에서, 상기반도체메모리소자는, 기판표면으로부터돌출되고, 홀수행들내에서제1 피치로배열되는복수의제1 액티브필러들이구비된다. 상기기판표면으로부터돌출되고, 짝수행들내에서상기제1 피치로배열되고, 상기제1 액티브필러들에대해제2 피치만큼옮겨진위치에위치하는복수의제2 액티브필러들이구비된다. 하나의홀수열내에포함되는상기제1 액티브필러들및 인접하는하나의짝수열내에포함되는상기제2 액티브필러들하부를함께연결시키는구조를갖고, 제1 방향으로연장되는매립비트라인이구비된다. 상기제1 방향과수직한제2 방향으로연장되고, 상기제1 및제2 액티브필러들을둘러싸는제1 및제2 게이트패턴들이구비된다. 상기반도체메모리소자는매립비트라인의폭이증가되어저항이감소됨으로써동작특성이우수하다.

公开(公告)号：KR101432619B1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：KR1020080065402

申请日：2008-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강욱 ,  윤재만 ,  오용철 ,  김희중 ,  정현우 ,  김현기

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823487 ,  H01L21/823456

Abstract: 낮은 저항을 가지며 자기 정렬된 구조를 갖는 콘택 구조물을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 반도체 장치는 액티브 구조물, 게이트 절연막, 게이트 전극, 불순물 영역 및 콘택 구조물을 포함한다. 액티브 구조물은 하부 패턴과 상부 패턴을 구비하며, 제1 게이트 절연막은 제1 상부 패턴의 측벽 상에 배치된다. 제1 게이트 전극은 제1 게이트 절연막 상에 위치하고, 불순물 영역은 상부 패턴에 형성된다. 콘택 구조물은 불순물 영역을 포함하는 상부 패턴의 상면 및 상부 측벽을 감싸도록 형성된다. 콘택 구조물과 불순물 영역 사이의 접촉 저항을 감소시키고 콘택 구조물의 구조적 안정성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101394157B1

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：KR1020080032816

申请日：2008-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤재만 ,  오용철 ,  김희중 ,  정현우 ,  김현기 ,  김강욱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221

Abstract: 수직 필러 트랜지스터, 이를 포함하는 디램 소자, 수직 필러 트랜지스터 형성 방법 및 반도체 박막 형성 방법에서, 상기 수직 필러 트랜지스터는 제1 기판을 덮는 절연막, 상기 절연막 상에 구비되고, 적어도 한층의 금속 실리사이드막을 포함하는 도전성 구조물, 상기 도전성 구조물 상에 구비되고 필러 형상을 갖는 반도체 패턴, 상기 도전성 구조물과 이격되어 반도체 패턴의 중심 부위를 감싸는 게이트 및 상기 게이트 양측에 위치하는 반도체 패턴 표면 아래에 구비되는 불순물 영역들을 포함한다. 상기 수직 필러 트랜지스터는 반도체 패턴 하부와 전기적으로 연결되는 도전성 구조물이 구비되므로 소자가 고집적화된다.

公开(公告)号：KR1020120021398A

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：KR1020100073531

申请日：2010-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현우 ,  홍형선 ,  오용철 ,  황유상 ,  백철호 ,  김강욱

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L27/10841

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to secure enough process margins by using a conductive pattern as a buried bit line or a buried word line. CONSTITUTION: An active area is repetitively arranged according to a first direction and a second direction of a substrate(102). A buried word line(WL) is extended according to the first direction while facing each sidewall of the active area of a first group. The active areas of the first group are arranged according to the first direction in a row. A buried bit line(BL) is extended according to the second direction while contacting each sidewall of a second group. The active areas of the second group are arranged according to the second direction in a row.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过使用导电图案作为掩埋位线或掩埋字线来确保足够的工艺余量。 构成：根据衬底（102）的第一方向和第二方向重复地布置有源区域。 掩埋字线（WL）根据第一方向延伸，同时面向第一组的有效区域的每个侧壁。 第一组的有效区域按照第一方向排成一行。 掩埋位线（BL）根据第二方向延伸，同时接触第二组的每个侧壁。 第二组的有效区域按照第二方向排成一列。

公开(公告)号：KR1020110102738A

公开(公告)日：2011-09-19

申请号：KR1020100021902

申请日：2010-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현우 ,  김희중 ,  오용철 ,  김현기 ,  김강욱

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78642

Abstract: 본 발명은 수직 채널 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판에 액티브를 형성하고, 상기 액티브 상에 다수의 수직 채널을 형성하고, 상기 다수의 수직 채널의 측벽을 둘러싸는 서로 분리된 다수의 게이트 전극을 형성하고, 상기 다수의 수직 채널 사이의 액티브를 따라 연장된 매립 비트라인을 형성하고, 상기 다수의 수직 채널 사이에 플러그-인을 형성하여 상기 플러그-인에 의해 상기 다수의 게이트 전극이 연결된 워드라인을 형성하므로써, 전기적 효과가 우수하고 단순한 공정으로 채널 길이의 재현성을 확보할 수 있는 수직 채널 트랜지스터를 구현할 수 있다.