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公开(公告)号：KR1020160049872A
公开(公告)日：2016-05-10
申请号：KR1020140147626
申请日：2014-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1693 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0088
Abstract: 소거및 검증동작을수행하는저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법에있어서, 상기저항성메모리장치는다수의워드라인들및 비트라인들을포함하고, 제1 비트라인에연결된하나이상의제1 메모리셀들을선택하는단계와, 제2 비트라인에연결된하나이상의제2 메모리셀들을선택하는단계및 제1 기록드라이버를통해상기제1 및제2 메모리셀들에대해동시에리셋기록을수행하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于执行消除和验证操作的电阻式存储器件，电阻式存储器系统及其操作方法。 根据本发明的技术思想来操作电阻式存储器件的方法，其中所述电阻式存储器件包括有线线和位线，包括：选择连接到第一位线的一个或多个第一存储器单元的步骤; 选择连接到第二位线的一个或多个第二存储器单元的步骤; 以及通过第一记录驱动器在第一和第二存储器单元上同时执行复位记录的步骤。 因此，可以改进消除和验证操作。
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公开(公告)号：KR1020160040045A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133554
申请日：2014-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/04 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054
Abstract: 저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법은, 온도를검출하는단계와, 온도검출결과에따라, 온도상승시독출동작을위한기준전류의레벨을기준값에서제1 값으로변동시키고, 온도하강시상기기준전류의레벨을상기기준값에서제2 값으로변동시킴으로써상기기준전류의레벨을조절하는단계및 상기레벨조절된기준전류를이용하여메모리셀들로부터데이터를독출하는단계를구비하고, 상기기준값과제1 값의레벨차이는상기기준값과제2 값의레벨차이와서로다른것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了电阻式存储器件，电阻式存储器系统和电阻式存储器件的操作方法。 根据本发明，电阻式存储器件的操作方法包括以下步骤：检测温度; 当温度升高时，将读取操作的参考电流的电平从参考值改变为第一值;以及通过将参考电流的电平从参考值改变为第二值来调整参考电流的电平; 并使用电平调整的参考电流从存储器单元读取数据。 参考值和第一值之间的差异与参考值和第二值之间的差异不同。
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公开(公告)号：KR1020160037580A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020140130333
申请日：2014-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0023 , G11C13/0033 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0078
Abstract: 본개시는복수의제1 신호라인들과복수의제2 신호라인들이교차하는영역들에각각배치된복수의메모리셀들을포함하는메모리장치의동작방법으로서, 상기복수의제1 신호라인들중 선택전압이인가되는선택된제1 신호라인을통해흐르는동작전류를판단하는단계; 상기동작전류의전류값에기초하여, 상기복수의메모리셀들을포함하는메모리셀 어레이를 n개의(n은 2 이상의정수) 블록으로구분하는단계; 및상기 n개의블록에포함되는비선택된제2 신호라인들에대하여블록별로서로다른전압레벨을갖는인히빗(inhibit) 전압들을인가하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种存储器件的操作方法，所述存储器件包括分别布置在多个第一信号线和多个第二信号线相交的区域中的多个存储器单元。 存储器件的操作方法包括以下步骤：确定在第一信号线之间流经选择电压的选定第一信号线的工作电流; 基于所述工作电流的当前值，将包括所述存储单元的存储单元阵列划分为n个块（n是大于或等于2的整数）; 以及对包括在n个块中的未选择的第二信号线上的每个块施加具有不同电压电平的抑制电压。
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公开(公告)号：KR1020160014473A
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：KR1020140096768
申请日：2014-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/004 , G06F11/00 , G06F11/1048 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054
Abstract: 독출재시도동작을수행하는메모리장치, 메모리시스템및 메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른메모리장치의동작방법은, 독출재시도모드로진입하는단계와, 다수개의셀 영역들에대해서로다른독출조건을이용하여데이터를독출하는단계및 상기다수개의셀 영역들로부터독출된데이터에대한판별결과에따라, 상기다수개의셀 영역들에대한최종독출조건을설정하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于执行读取重试操作的存储器件，存储器系统和存储器件的操作方法。 根据本发明的技术思想，存储装置的操作方法包括以下步骤：进入读 - 重试模式; 通过使用不同的读取条件来读取关于多个单元区域的数据; 以及根据关于从所述多个单元区域读取的数据的判别结果来设置所述多个单元区域的最终读取条件。
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公开(公告)号：KR1020160010211A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140091306
申请日：2014-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C5/025 , G11C13/0023 , G11C13/0033 , G11C2213/71 , H01L27/11507
Abstract: 다수의레이어들을포함하는저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치는, 다수의레이어들을포함하는메모리셀 어레이및 상기메모리셀 어레이에대한억세스를제어하는제어로직을구비하고, 상기메모리셀 어레이는, 적어도하나의신호라인을서로공유하는제1 및제2 레이어들을포함하고, 상기제1 레이어가간섭자유레이어로설정될때, 상기제2 레이어는상기제1 레이어와전기적또는물리적으로분리되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种包括多层的电阻式存储器件，电阻式存储器系统和用于操作电阻式存储器件的方法。 根据本发明，电阻式存储器件包括：包括多层的存储单元阵列; 以及控制对存储器单元阵列的访问的控制逻辑。 存储单元阵列包括第一和第二层，共享至少一个信号线。 当第一层被设置为无干扰层时，第二层与第一层电或物理分离。
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Patent Agency Ranking36.发明公开
公开(公告)号：KR1020150116270A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140041289
申请日：2014-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박현국
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/56 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 비휘발성메모리장치와이를포함하는메모리시스템, 및비휘발성메모리장치의구동방법이제공된다. 상기비휘발성메모리장치는, 저항성메모리셀, 센싱노드, 및상기센싱노드에연결되어, 상기센싱노드의전압레벨과기준전압레벨의차이, 또는상기센싱노드의전류레벨과기준전류레벨의차이를센싱하는센스앰프를포함하되, 상기저항성메모리셀에저장된데이터의리드(read) 동작중 리드패일(read fail)이발생한경우에, 상기저항성메모리셀 양단의전압차이를변경하여상기저항성메모리셀에흐르는전류를변경한후, 리드리트라이(read retry) 동작을수행한다.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件，包括该非易失性存储器件的存储器系统和用于操作非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括：电阻存储器单元; 感测节点; 以及感测放大器，连接到感测节点，并且感测感测节点的电压电平与参考电压电平之间的差或感测节点的电流电平与参考电流电平之间的差。 当在存储在电阻性存储单元中的数据的读取操作期间发生读取失败时，通过改变电阻性存储单元的两端的电压差来改变在电阻性存储单元中流动的电流之后，执行读取重试操作。
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公开(公告)号：KR102140788B1
公开(公告)日：2020-08-03
申请号：KR1020140091306
申请日：2014-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR1020170045445A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：KR1020150144844
申请日：2015-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/28 , G11C5/147 , G11C7/067 , G11C7/12 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C2013/0054 , H03K5/08 , H03K5/24
Abstract: 본발명은구동회로에관한것이다. 본발명의구동회로는, 클램프게이트, 제1 클램프노드, 그리고충전노드에연결된제2 클램프노드를갖는클램프트랜지스터, 기준전압이공급되는비교전압게이트, 제1 전압이공급되는제1 비교전압노드, 그리고비교전압이출력되는제2 비교전압노드를갖는비교전압트랜지스터, 충전노드에연결되는증폭게이트, 비교전압트랜지스터의제2 비교전압노드에연결되어비교전압이공급되는제1 증폭노드, 그리고클램프트랜지스터의클램프게이트에연결되는제2 증폭노드를갖는증폭트랜지스터, 바이어스전압이공급되는바이어스게이트, 클램프트랜지스터의클램프게이트에연결되는제1 바이어스노드, 그리고제2 전압이공급되는제2 바이어스노드를갖는바이어스트랜지스터, 그리고클램프트랜지스터를통해충전노드로부터전류를유출하거나또는충전노드로전류를공급하는충전회로를포함한다.
Abstract translation: 驱动电路本发明涉及一种驱动电路。 第一比较电压节点，在本发明中，夹紧栅，第一夹具节点，并且钳位晶体管的驱动器电路，所述基准电压被供给到比较电压栅极，第一电压被提供，其具有耦合到所述计费节点的第二夹具节点， 和比较电压晶体管，所述第一放大器节点被连接到所述放大器的栅极的第二比较电压节点，耦合到所述计费节点的比较电压晶体管，其比较电压被供给，并且具有到一个比较电压时，输出一第二比较电压节点的钳位晶体管 的具有第二放大器节点放大晶体管被连接到夹持栅极，栅极偏压为偏置电压被提供时，第一偏压耦合到钳位钳位晶体管的节点的栅极，和具有第二偏置节点到所述第二电压源的偏置 晶体管和钳位晶体管为充电节点提供电流 I包括的电路。
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