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公开(公告)号：KR102242561B1
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：KR1020140133554
申请日：2014-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법은, 온도를검출하는단계와, 온도검출결과에따라, 온도상승시독출동작을위한기준전류의레벨을기준값에서제1 값으로변동시키고, 온도하강시상기기준전류의레벨을상기기준값에서제2 값으로변동시킴으로써상기기준전류의레벨을조절하는단계및 상기레벨조절된기준전류를이용하여메모리셀들로부터데이터를독출하는단계를구비하고, 상기기준값과제1 값의레벨차이는상기기준값과제2 값의레벨차이와서로다른것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR102061694B1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：KR1020130122189
申请日：2013-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160039435A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：KR1020140132496
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088 , G11C2013/0092
Abstract: 저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법은, 온도를검출하는단계와, 온도검출결과에따라, 메모리셀에대한셋(SET) 기록을위한셋 전압및/또는셋 전류의레벨을설정하는단계와, 상기온도검출결과에따라, 메모리셀에대한리셋(RESET) 기록을위한리셋전압의레벨을설정하는단계및 상기설정된레벨에따라상기메모리셀에대한기록동작을수행하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了电阻式存储器件，电阻式存储器系统和电阻式存储器件的操作方法。 根据本发明，电阻式存储器件的操作方法包括以下步骤：检测温度; 根据温度检测结果设定设定电压和/或设定电流的电平以在存储器单元上记录一组; 设置复位电压电平，以根据温度检测结果在存储单元上记录复位; 以及根据设定电平对存储单元执行记录操作。
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公开(公告)号：KR1020150043131A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130122189
申请日：2013-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/249 , H01L27/2454 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L27/2463 , H01L21/28273 , H01L21/823487 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L27/2481
Abstract: 반도체메모리소자는, 기판상에수직방향으로연장되는제1 필라와, 상기제1 필라의제1 측면을따라서상기기판상에순차적으로적층되는제1 층간절연층패턴, 제1 도전층패턴, 제2 층간절연층패턴및 제2 도전층패턴과, 상기제1 필라의제1 측면과상기제1 도전층패턴의제1 측면사이에개재되는저항변화층, 및상기제1 필라의제1 측면과상기제2 도전층패턴의제1 측면사이에개재되는절연층을포함한다.
Abstract translation: 半导体存储器件包括在衬底上垂直延伸的第一柱，沿着衬底依次层叠在衬底上的第一层间绝缘层图案，第一导电层图案，第二层间绝缘层图案和第二导电层图案 第一支柱的第一横向侧，插在第一支柱的第一横向侧和第一导电层图案的第一横向侧之间的可变电阻层和介于第一支柱的第一横向侧之间的绝缘层 第一支柱和第二导电层图案的第一侧面。
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公开(公告)号：KR102238647B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020140132496
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
Abstract: 저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법은, 온도를검출하는단계와, 온도검출결과에따라, 메모리셀에대한셋(SET) 기록을위한셋 전압및/또는셋 전류의레벨을설정하는단계와, 상기온도검출결과에따라, 메모리셀에대한리셋(RESET) 기록을위한리셋전압의레벨을설정하는단계및 상기설정된레벨에따라상기메모리셀에대한기록동작을수행하는단계를구비하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170124284A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020160053978
申请日：2016-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L29/1037
Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는, 서로이격되는드레인영역및 소오스영역, 상기드레인영역및 상기소오스영역사이에, 제1 부분과제2 부분을포함하는반도체패턴으로, 상기제1 부분의두께는상기제2 부분의두께보다크고, 상기제1 부분은상기드레인영역과상기제2 부분사이에위치하는반도체패턴및 상기반도체패턴의제2 부분과교차하는게이트전극을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 所述的半导体装置是，在彼此之间的间隔开的漏极区和源极区，漏极区和源极区，包括任务2部分的半导体图案的第一部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度大 大，包括栅电极与半导体图案的漏区和所述第二部分之间的所述半导体图案的第二部分并与第一部分。
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公开(公告)号：KR1020160040045A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133554
申请日：2014-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/04 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054
Abstract: 저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법은, 온도를검출하는단계와, 온도검출결과에따라, 온도상승시독출동작을위한기준전류의레벨을기준값에서제1 값으로변동시키고, 온도하강시상기기준전류의레벨을상기기준값에서제2 값으로변동시킴으로써상기기준전류의레벨을조절하는단계및 상기레벨조절된기준전류를이용하여메모리셀들로부터데이터를독출하는단계를구비하고, 상기기준값과제1 값의레벨차이는상기기준값과제2 값의레벨차이와서로다른것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了电阻式存储器件，电阻式存储器系统和电阻式存储器件的操作方法。 根据本发明，电阻式存储器件的操作方法包括以下步骤：检测温度; 当温度升高时，将读取操作的参考电流的电平从参考值改变为第一值;以及通过将参考电流的电平从参考值改变为第二值来调整参考电流的电平; 并使用电平调整的参考电流从存储器单元读取数据。 参考值和第一值之间的差异与参考值和第二值之间的差异不同。
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