公开(公告)号：KR1019990074758A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008562

申请日：1998-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤철주 ,  권영민 ,  박흥수

IPC: H01L21/306

Abstract: 금속 배선층 형성을 위한 패터닝시 사용된 포토레지스트를 제거할 때 스트립 공정 전에 사용되는 전처리액, 포토레지스트 제거 방법, 및 이들을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 반도체 제조를 위한 건식 식각 공정 후 포토레지스트를 제거하기 위하여, 이 포토레지스트를 애싱한 후 스트립하기 전에 상기 식각된 결과물을 카르복실기(carboxyl group)를 가지는 유기산(organic acid) 용액과 탈이온수(deionized water)가 1:0 ∼ 1:100의 부피비로 혼합된 처리액을 사용하여 처리한다.

公开(公告)号：KR100219488B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960042239

申请日：1996-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체 제조 장치의 금속 오염 모니터링 장치 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 금속 오염 모니터링 장치는 반도체 제조 장치의 화학 처리조로부터 화학 처리액을 샘플링하는 제어 밸브를 포함하는 샘플링 라인과, 상기 샘플링 라인으로부터 공급되는 샘플 용액을 수용하는 도전율 측정 셀과, 상기 도전율 측정 셀 내에 설치되고, 상기 도전율 측정 셀 내에 수용된 용액의 도전율을 측정하는 도전율 측정 장치와, 상기 도전율 측정 장치로부터의 측정 결과를 모니터할 수 있고, 상기 측정 결과에 따라 설비 내의 각 제어 밸브를 제어하는 컴퓨터를 포함한다. 본 발명에 따르면, 희석된 불산을 사용하는 화학 처리조 내에서 금속 이온에 의한 오염 여부를 모니터링함으로써, 금속 오염에 의한 피해를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR100200742B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960047786

申请日：1996-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용준 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: HBF4를 추가로 함유한 세정액을 사용하는 세정방법에 대하여 기재되어 있다. 이 세정방법은, CMP 공정 후의 세정방법에 있어서, 수산화암모늄(NH4OH)과 HBF4를 포함하는 세정액을 사용하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 유기물질과 파티클은 물론 금속오염이나 박막층의 긁힘, 피팅 등은 함께 제거할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019980073956A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970009557

申请日：1997-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장규환 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 건식 세정수단, 습식 세정수단 및 이들을 연결하는 공통 세정조를 포함하는 반도체 소자용 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법에 관한 것이다. 본 발명의 세정장치는 건식 세정수단과 습식 세정수단이 세정조를 공유하도록 상기 세정조를 통하여 서로 연결되어 있는 구조로 되어 있다. 따라서, 본 발명의 세정 장치를 이용하면 건식 세정 이후에 반도체 소자가 대기중에 방치되는 일이 없이 바로 습식 세정될 수 있기 때문에 자연 산화막 등과 같은 이차 오염 발생을 최대한 방지할 수 있을 뿐 아니라, 건식 세정후에도 제거되지 않는 각종 오염물질, 특히 금속성 오염물질의 제거에 대한 효과가 탁월하다. 이외에도 본 발명에 따른 인-시튜 (in-situ) 세정방법은 폴리머, 입자상 오염물질 등의 제거에도 효과적이라는 잇점이 있다.

公开(公告)号：KR1019980066906A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970002681

申请日：1997-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장규환 ,  이문희 ,  송재인 ,  박흥수

IPC: H01L21/304

Abstract: 에틸렌 글리콜(ethylene glycol)과 불화 붕소산(HBF4)의 혼합 용액을 포함하는 반도체 장치의 세정액 및 상기 세정액을 이용하여 금속 실리사이드층의 표면에 형성된 자연 산화막을 제거함으로써 상기 금속 실리사이드층을 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980065494A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970000517

申请日：1997-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장규환 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L27/105

Abstract: 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하고, 상기 층간절연막 상에 특정 세정액에 대하여 서로 다른 식각율을 갖는 제1 산화막 및 제2 산화막을 차례로 적층하고, 상기 2중 산화막을 반복적으로 적층하여 복수의 2중 산화막을 형성하고, 상기 복수의 2중 산화막을 패터닝하여 제1 홀을 형성하고, 상기 제1 홀 하부에 노출된 층간절연막을 패터닝하여 제2 홀을 형성하며, 상기 제1 홀을 상기 특정 세정액으로 세정하여 상기 제1 홀의 측벽을 요철지게 하고, 상기 제1 및 제2 홀 내에 매립되도록 하부 전극을 형성한 후, 상기 복수의 2중 산화막을 제거함으로써 상기 하부 전극의 요철형 외측면을 노출시키고, 상기 결과물상에 유전막 및 상부 전극을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 요철형 커패시터 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980028648A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960047786

申请日：1996-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용준 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: HBF4를 추가로 함유한 세정액을 사용하는 세정방법에 대하여 기재되어 있다. 이 세정방법은, CMP 공정 후의 세정방법에 있어서, 수산화암모늄(NH4OH)과 HBF4를 포함하는 세정액을 사용하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 유기물질과 파티클은 물론 금속오염이나 박막층의 긁힘, 피팅 등은 함께 제거할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019980022942A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019960042239

申请日：1996-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체 제조 장치의 금속 오염 모니터링 장치 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 금속 오염 모니터링 장치는 반도체 제조 장치의 화학 처리조로부터 화학 처리액을 샘플링하는 제어 밸브를 포함하는 샘플링 라인과, 상기 샘플링 라인으로부터 공급되는 샘플 용액을 수용하는 도전율 측정 셀과, 상기 도전율 측정 셀 내에 설치되고, 상기 도전율 측정 셀 내에 수용된 용액의 도전율을 측정하는 도전율 측정 장치와, 상기 도전율 측정 장치로부터의 측정 결과를 모니터할 수 있고, 상기 측정 결과에 따라 설비 내의 각 제어 밸브를 제어하는 컴퓨터를 포함한다. 본 발명에 따르면, 희석된 불산을 사용하는 화학 처리조 내에서 금속 이온에 의한 오염 여부를 모니터링함으로써, 금속 오염에 의한 피해를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980016812A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960036506

申请日：1996-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/48

Abstract: 반도체 웨이퍼의 세정조가 개시되었다. 본 발명은 웨이퍼 캐리어가 장입되어 세정 작업이 이루어지는 조(槽, bath), 상기 조(槽)의 상부에 위치하고 상기 조(槽)에 세정액을 분사시키기 위한 노즐을 구비한 스프레이 라인(spray line), 및 상기 스프레이 라인의 양 끝 소정 부분에 각각 형성된 세정액 주입관 및 배출관을 구비한 반도체 웨이퍼의 세정조에 있어서, 상기 스프레이 라인이 상기 스프레이 라인의 길이 방향과 수직 방향으로 이동할 수 있도록 상기 스프레이 라인의 양쪽 끝 부분에 상기 스프레이 라인과 수직 방향으로 배치되어 상기 스프레이 라인을 지지하는 한 쌍의 가드 레일(guard rail)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정조를 제공한다. 본 발명에 의하면 적은 양의 세정액을 사용하고도 효과적인 세정 공정을 진행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015454A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034757

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  박흥수 ,  이문희 ,  고영범

IPC: H01L21/34

Abstract: 신규한 세정액이 개시되어 있다. 증류수와, 킬레이트 기능이 풍부하고 금속과 결합했을 때 매우 안정한 화합물을 이룰 수 있는 탄산기를 갖는 맬릭산을 혼합한 세정액을 사용한다. 상기 증류수와 맬릭산의 혼합물에 계면활성제를 더 첨가시킬 수 있다. 염소계를 사용하지 않으므로 설비의 부식 및 환경이슈를 최소화시키면서, 미립자 및 금속불순물의 제거력을 극대화시킬 수 있다.