公开(公告)号：KR101012795B1

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：KR1020030088082

申请日：2003-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정관욱

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 차단막, 차단막 위에 형성되어 있으며 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 가지는 다결정 규소층, 다결정 규소층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 채널 영역과 중첩하는 게이트 전극을 가지는 게이트선, 게이트선 위에 형성되어 있는 제1 층간 절연막, 제1 층간 절연막 위에 형성되며 소스 영역과 전기적으로 연결되는 소스 전극을 가지는 데이터선, 제1 층간 절연막 위에 형성되며 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 드레인 전극, 데이터선 및 드레인 전극 위에 형성되어 있는 제2 층간 절연막, 제2 층간 절연막 위에 형성되며 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 차단막은 PSG막을 가진다.
박막트랜지스터, 차단막, PSG막, 산화규소막

公开(公告)号：KR100915231B1

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020020027414

申请日：2002-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양성훈 ,  홍완식 ,  정관욱

IPC: H01L21/205

CPC classification number: G02F1/136227 ,  C23C16/30 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/56

Abstract: The present invention relates to a process for vapor depositing a low dielectric insulating film, a thin film transistor using the same, and a preparation method thereof, and more particularly to a process for vapor deposition of low dielectric insulating film that can significantly improve a vapor deposition speed while maintaining properties of the low dielectric insulating film, thereby solving parasitic capacitance problems to realize a high aperture ratio structure, and can reduce a process time by using silane gas when vapor depositing an insulating film by a CVD or PECVD method to form a protection film for a semiconductor device. The present invention also relates to a thin film transistor using the process and preparation method thereof.

公开(公告)号：KR1020080102488A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：KR1020070049033

申请日：2007-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정관욱 ,  추대호

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/14658

Abstract: A TFT array substrate for an X-ray detecting device is provided to prevent damage due to the static electricity by dispersing static electricity generated during the manufacturing process. A substrate has a first region where TFT array is formed, and a second region which surrounds the first region. A first wire is formed on within the first area. A second wire is insulated with the first wire, and defines pixel region by intersecting with the first signal line direction. Thin film transistor is formed on the position which a first and a second signal lines are intersected, and connected with the first and the second signal line electrically. A photo diode including a bottom electrode, which is connected to the drain electrode of the thin film transistor the bottom electrode, are formed in the pixel region the photo conductive layer formed in the down electrode upper part and the upper electrode formed in upper part the photo conductive layer.

Abstract translation: 提供一种用于X射线检测装置的TFT阵列基板，以通过分散在制造过程中产生的静电来防止由静电导致的损坏。 衬底具有形成TFT阵列的第一区域和围绕第一区域的第二区域。 第一线形成在第一区域内。 第二导线与第一线绝缘，并且通过与第一信号线方向相交而限定像素区域。 薄膜晶体管形成在第一和第二信号线相交的位置上，并与第一和第二信号线电连接。 在形成在下电极上部的光电导层和上部形成的上电极的像素区域中形成有包括底电极的光电二极管，该底电极连接到薄膜晶体管的漏电极， 光导电层。

公开(公告)号：KR1020080071662A

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：KR1020070009794

申请日：2007-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현영 ,  김정윤 ,  정관욱 ,  나형돈 ,  태승규

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/133519

Abstract: A transreflective LCD device and a manufacturing method thereof are provided to form a gap between pixel electrodes or reflection electrodes adjacent to a data line in a range of 3.5 to 6 micrometer, thereby preventing the abnormal driving of liquid crystal by an electric field between the adjacent pixel electrodes or reflection electrodes. A data line(60) is formed to cross a gate line and define a pixel area having a transmission area and a reflection area. A TFT(Thin Film Transistor) is connected to the gate line and the data line. A pixel electrode(80) is connected to the TFT and is formed in the pixel area. A reflection electrode(81) is formed in the reflection area. A distance between either reflection electrodes or pixel electrodes adjacent to each other with the data line is formed to be spaced as long as a range of 3.5 to 6 micrometer in a first substrate(100). A second substrate(200) faces the first substrate with liquid crystal. A color filter(230) is formed in the second substrate. A spacer(270) is included to at least one of the first and second substrates to maintain a cell gap(CG) between the two substrates.

Abstract translation: 提供透反射LCD装置及其制造方法，以在3.5〜6微米的范围内形成与数据线相邻的像素电极或反射电极之间的间隙，由此防止相邻的电极之间的电场对液晶的异常驱动 像素电极或反射电极。 数据线（60）形成为跨越栅极线并限定具有透射区域和反射区域的像素区域。 TFT（薄膜晶体管）连接到栅线和数据线。 像素电极（80）连接到TFT并形成在像素区域中。 在反射区域中形成反射电极（81）。 在数据线上彼此相邻的反射电极或像素电极之间的距离形成为在第一基板（100）中间隔3.5至6微米的范围。 第二基板（200）以液晶面向第一基板。 滤色器（230）形成在第二基板中。 间隔物（270）被包括在第一和第二基底中的至少一个上，以保持两个基底之间的细胞间隙（CG）。

公开(公告)号：KR1020070091917A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：KR1020060021690

申请日：2006-03-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조세일 ,  심승환 ,  민훈기 ,  김현대 ,  장영진 ,  정관욱

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G2310/0297

Abstract: An apparatus and a method for driving data of an LCD panel are provided to reduce the number of data pads by implementing a switch circuit for performing a time division operation on data lines in the LCD panel. An apparatus for driving data in an LCD(Liquid Crystal Display) panel includes plural data lines(DL1-DL4), plural data pads(20), and plural transmission switching blocks(16). The data lines, which are formed in an image display unit, supplies data. The data pads are connected to plural output channels of data drivers. The transmission switching blocks, which are connected between some data lines and the data pads, performs a time division operation on the some data lines. Each of the transmission switching blocks includes plural transmission switch sets(TS1-TS4), which are parallel-connected to respective data lines and one of the plural data pads, and sequentially driven.

Abstract translation: 提供一种用于驱动LCD面板的数据的装置和方法，用于通过实现用于对LCD面板中的数据线进行时分运算的开关电路来减少数据焊盘的数量。 一种LCD（液晶显示器）面板驱动数据的装置包括多个数据线（DL1-DL4），多个数据焊盘（20）和多个传输切换块（16）。 在图像显示单元中形成的数据线提供数据。 数据焊盘连接到数据驱动器的多个输出通道。 连接在一些数据线和数据焊盘之间的传输切换块在一些数据线上执行时分运算。 每个传输切换块包括并行连接到各个数据线和多个数据焊盘中的一个的多个传输开关组（TS1-TS4），并顺序驱动。

公开(公告)号：KR100720098B1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：KR1020010009675

申请日：2001-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최준후 ,  홍완식 ,  권대진 ,  정관욱

IPC: G02F1/1333

Abstract: 절연 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층이 차례로 형성되어 있다. 그 위에 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 그 위에 SiO:C 박막 또는 SiO:F 박막과 같이 유전율이 3.5 이하인 무기 절연막으로 이루어진 보호막이 형성되어 있고, 보호막에는 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍이 형성되어 있다. 보호막 위에는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드가 형성되어 있다. 이와 같이 보호막을 유전율이 낮은 무기 절연막으로 형성하면 유기 절연막으로 형성하는 경우에 발생하는 문제점을 해결할 수 있으며, 데이터선과 화소 전극을 중첩시켜 형성하여도 기생 용량이 크지 않고 개구율을 향상시킬 수 있다.
유전율, 무기 절연막, 화학 기상 증착법, 기생 용량, 개구율

公开(公告)号：KR1020070048331A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：KR1020050105282

申请日：2005-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정관욱 ,  이재복 ,  김정윤 ,  박종현

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/12 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 알카리 이온에 의한 박막트랜지스터의 신뢰성 저하를 방지할 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극과 액티브층 사이에 형성되며 상기 액티브층과의 계면에서 염소를 함유하는 실리콘막으로 형성되는 게이트 절연막을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060007186A

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：KR1020040055950

申请日：2004-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정관욱

IPC: G02F1/1368

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 기판소재 상에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 폴리 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 폴리 실리콘층을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계와, 주파수가100MHz 내지 100GHz인 전원을 이용하여 발생된 플라즈마로 상기 반도체층의 표면을 처리하여 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 반도체층과의 계면 특성이 우수한 게이트 산화물을 낮은 온도에서 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050037866A

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020030073146

申请日：2003-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정관욱

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되며 제1 도전형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 장벽층, 장벽층 위에 형성되어 있으며 제2 도전형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 소스 영역 및 드레인 영역, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하며 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역 가지는 반도체층, 반도체층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 채널 영역과 중첩하는 게이트 전극을 가지는 게이트선, 게이트선 위에 형성되며 각각 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하는 제1 및 제2 접촉구를 가지는 제1 층간 절연막, 제1 층간 절연막 위에 형성되며 제1 접촉구를 통해 소스 영역과 연결되는 소스 전극을 가지는 데이터선, 층간 절연막 위에 형성되며 제2 접촉구를 통해 드레인 영역과 � ��결되는 드레인 전극, 데이터선 및 드레인 전극 위에 형성되며 드레인 전극을 노출하는 제3 접촉구를 가지는 제2 층간 절연막, 제2 층간 절연막 위에 형성되며 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050032163A

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020030068171

申请日：2003-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정관욱

IPC: G02F1/136

Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) display panel is provided to form a stable channel which is not affected by surface characteristics. A semiconductor layer(150) is formed on an insulation substrate(110) and has a source region(153), a channel region(154) and a drain region(155). A gate insulation film(140) is formed on the semiconductor layer. A gate line is formed on the gate insulation film and has a gate electrode overlapped with the channel region. The first interlayer insulation film(601) is formed on the gate line and has the first and the second contact holes. A data line is formed on the first interlayer insulation film and has a source electrode(173) connected to the source region through the first contact hole. A drain electrode(175) is formed on the first interlayer insulation film and connected to the drain region through the second contact hole. The second interlayer insulation film(602) is formed on the data line and the drain electrode and has the third contact hole for exposing the drain electrode. A pixel electrode(190) is formed on the second interlayer insulation film and connected to the drain region.

Abstract translation: 提供TFT（薄膜晶体管）显示面板以形成不受表面特性影响的稳定通道。 半导体层（150）形成在绝缘基板（110）上并具有源极区（153），沟道区（154）和漏极区（155）。 在半导体层上形成栅极绝缘膜（140）。 栅极线形成在栅极绝缘膜上并具有与沟道区重叠的栅电极。 第一层间绝缘膜（601）形成在栅极线上并具有第一和第二接触孔。 数据线形成在第一层间绝缘膜上，并且具有通过第一接触孔与源极区域连接的源电极（173）。 漏电极（175）形成在第一层间绝缘膜上，并通过第二接触孔与漏区连接。 第二层间绝缘膜（602）形成在数据线和漏电极上，并且具有用于使漏电极露出的第三接触孔。 像素电极（190）形成在第二层间绝缘膜上并与漏区连接。