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公开(公告)号：KR1020040063378A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：KR1020030000774
申请日：2003-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/1263
CPC classification number: G11B7/1263
Abstract: PURPOSE: A laser power monitor device is provided to receive a signal for a current recording speed, and to reduce the number of photo diodes for supplying currents to a monitor circuit when the recording speed increases, thereby improving frequency characteristics of a laser power monitor and precision of a laser power control. CONSTITUTION: A photo diode portion(100) and a monitor circuit(300) are comprised. The photo diode portion(100) consists of plural photo diodes(110,120). A switch portion(200) is additionally installed between the photo diode portion(100) and the monitor circuit(300). The switch portion(200) receives a signal for a current recording speed, and adds up output currents from both photo diodes(110,120) when the recording speed is low, then inputs the added currents to the monitor circuit(300). If the recording speed is high, the switch portion(200) switches off for inputting the output current only of the photo diode(120) to the monitor circuit(300).
Abstract translation: 目的：提供一种激光功率监控装置，用于接收当前记录速度的信号，并且当记录速度增加时减少用于向监控电路供应电流的光电二极管的数量，从而提高激光功率监视器的频率特性， 激光功率控制的精度。 构成：包括光电二极管部分（100）和监视电路（300）。 光电二极管部分（100）由多个光电二极管（110,120）组成。 在光电二极管部分（100）和监视器电路（300）之间另外安装开关部分（200）。 当记录速度较低时，开关部分（200）接收当前记录速度的信号，并将来自两个光电二极管（110,120）的输出电流相加，然后将相加的电流输入到监视电路（300）。 如果记录速度高，则开关部分（200）关闭，仅将光电二极管（120）的输出电流输入到监视电路（300）。
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公开(公告)号：KR1020040041947A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020070057
申请日：2002-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/1263
CPC classification number: G11B7/00456 , G11B7/126
Abstract: PURPOSE: A device for controlling laser power is provided to strictly control a peak power as well as an erase power under the presence of noise. CONSTITUTION: A monitor circuit(2) monitors/converts the output of a photo diode(1) into voltage. A peak hold circuit(20) holds a peak of the voltage output from the monitor circuit when a pit is recorded and outputs the voltage without hold when the pit is erased. An output selector(44) selects one of the output from the monitor circuit and the output passing the peak hold circuit, and outputs the selected output. The first sample hold circuit(45) obtains the first voltage by the sample hold from the output of the output selector. The second sample hold circuit(46) obtains the second voltage by the sample hold from the output of the output selector. Analog/digital converting circuits(47,48) convert the output of the first and the second sample hold circuit into a digital signal. Digital/analog converting circuits(50,51,52) convert the output of an operation circuit(49) into an analog signal. Switches(32,33,34) turn on/off between the power sources(29,30,31) and the laser diode(15).
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制激光功率的装置，以在噪声的存在下严格控制峰值功率以及擦除功率。 构成：监视电路（2）将光电二极管（1）的输出监视/转换成电压。 当记录凹坑时，峰值保持电路（20）保持从监视电路输出的电压的峰值，并且当凹坑被擦除时输出电压不保持。 输出选择器（44）选择来自监视电路的输出和通过峰值保持电路的输出之一，并输出所选择的输出。 第一采样保持电路（45）从输出选择器的输出端通过采样保持来获得第一电压。 第二采样保持电路（46）从输出选择器的输出端通过采样保持来获得第二电压。 模拟/数字转换电路（47,48）将第一和第二采样保持电路的输出转换为数字信号。 数字/模拟转换电路（50,51,52）将操作电路（49）的输出转换为模拟信号。 开关（32,33,34）在电源（29,30,31）和激光二极管（15）之间导通/断开。
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公开(公告)号：KR1020020009976A
公开(公告)日：2002-02-02
申请号：KR1020000043684
申请日：2000-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조용준
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for rinsing a high integrated semiconductor device is provided to decrease surface adhesion of chemicals and particles absorbed to the surface of a semiconductor substrate, by using isopropyl alcohol(IPA) vapor or mixed vapor of IPA and water vapor to perform a pre-treatment process regarding a wafer, by performing a deionized(DI) water shower process and by performing a nitrogen gas bubbling process. CONSTITUTION: The wafer is inserted into a quick dump rinse(QDR) bath containing DI water. A bubbling process is performed regarding the nitrogen gas in the QDR bath. The DI water in the QDR bath is exhausted. Vapor is supplied to the wafer left in the QDR bath to improve rinsing capacity. The wafer is showered by using DI water. The QDR bath is filled with DI water by the shower process. The nitrogen gas bubbling process is performed regarding the QDR bath.
Abstract translation: 目的：提供一种用于冲洗高集成半导体器件的方法，通过使用异丙醇（IPA）蒸气或IPA和水蒸汽的混合蒸气来降低吸收到半导体衬底表面的化学物质和颗粒的表面粘附， 通过进行去离子水（DI）水淋浴过程和通过进行氮气鼓泡过程，关于晶片的处理过程。 构成：将晶片插入含有去离子水的快速倾倒冲洗（QDR）浴中。 对QDR浴中的氮气进行鼓泡处理。 QDR浴中的DI水已经耗尽。 将蒸气供给到QDR浴中剩下的晶片以提高冲洗能力。 使用去离子水对晶圆进行淋洗。 QDR浴室通过淋浴过程充满去离子水。 对QDR浴进行氮气鼓泡处理。
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公开(公告)号：KR200153811Y1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR2019960030433
申请日：1996-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 반도체 장치의 케미컬 베스에 대해 기재되어 있다. 이는, 화학 용액을 담을 수 있도록 욕조모양으로 된 내조, 상기 내조의 바닥에 상기 바닥의 가장자리를 두르는 모양으로 설치된 화학 용액 유입관 및 상기 내조에서 흘러넘치는 화학 용액을 받기 위해 상기 내조의 측벽을 둘러싸는 형태로 형성된 외조를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 내조 내의 화학 용액의 분포를 균일하게 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR200139965Y1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR2019960010828
申请日：1996-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 웨트 스테이션이 개시되어 있다. 본 고안은 서로 다른 화학용액을 저장하는 복수의 탱크, 상기 각각의 탱크와 연결되어 일정량의 화학용액을 일시적으로 저장시키는 복수의 화학용액 정량조, 및 상기 각각의 화학용액 정량조에 저장된 일정량의 화학용액이 서로 혼합되어 소정의 공정이 진행되는 액조를 포함하는 웨트 스테이션에 있어서, 상기 각각의 화학용액 정량조는 밀폐된 용기와 상기 탱크로부터 상기 용기로 화학용액이 주입되도록 상기 용기의 측벽에 연통된 유입구와 상기 용기에 저장된 화학용액을 상기 액조로 공급하기 위하여 상기 용기의 측벽에 연통된 배출구와 상기 용기의 뚜껑을 관통하도록 설치되고 상기 용기 내에 채워지는 화학용액의 최대량을 임의로 조절할 수 있는 최대수위 감지수단과 상기 최대수위 감지수단과 일정간격을 유지하면서 상기 용기의 뚜껑을 � �통하도록 설치되고 상기 용기 내에 잔류하는 화학용액의 최소량을 감지하는 최소수위 감지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션을 제공한다. 본 고안에 의하면, 화학용액 정량조에 일시적으로 저장되는 화학용액의 양을 임의로 조절할 수 있으므로 작업자가 원하는 부피비율을 갖는 혼합용액을 용이하게 만들 수 있다. 따라서, 생산성을 증대시키면서 사고발생을 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980065684A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000797
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 세정액 및 이를 이용한 반도체장치의 세정방법에 관해 개시한다.
본 발명에 의한 세정액은 순수에 암모니아용액과 웨이퍼 표면에 흡착된 금속오염물을 착화합물화시키는 제1 첨가제와 이러한 착화합물과 웨이퍼간에 반발을 일으키는 제2 첨가제를 포함하고 있으며, 이러한 세정액을 사용하여 웨이퍼를 사용하면, 세정공정에 사용하는 브러쉬등에 의해 웨이퍼에 금속오염물질들이 재 흡착되더라도 상기 제1 첨가제에 의해 착화합물되고 이것은 상기 제2 첨가제에 의해 웨이퍼와 분리되므로 세정공정에서 브러쉬등에 오염물질이 웨이퍼에 재 흡착되는 것을 방지할 수 있어 적정량의 세정액만으로도 충분한 세정을 이룰 수 있고 이에 따라 과다한 암모니아의 사용을 방지할 수 있으므로 세정효율의 증대와 세정공정에 소요되는 원가를 줄일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980026886A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045452
申请日：1996-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 순수한물(DI Water)을 포함하여 각종 화학물을 정확한 양으로 혼합하여 세정조로 투입할 수 있는 반도체 제조 공정의 습식 세정장치에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 정량펌프를 이용하여 복수의 화학물과 순수한물을 내조 및 외조로 구성된 세정조로 일정량을 공급하여 혼합하는 과정을 포함하는 반도체 제조 공정의 습식 세정장치에 있어서, 추가로 설치되고 길이가 조절 가능한 레벨센서를 이용하여 순수한물을 일정량으로 공급하고, 정량펌프를 이용하여 복수의 화학물을 일정량으로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정의 습식 세정장치를 제공한다. 따라서 세정액의 혼합비의 오차를 최소화할 수 있으며, 공정의 재현성 및 안정성을 향상시킨 반도체 제조 공정의 습식 세정장치를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR2019980017077U
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR2019960030433
申请日：1996-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 반도체장치의케미컬베스에대해기재되어있다. 이는, 화학용액을담을수 있도록욕조모양으로된 내조, 상기내조의바닥에상기바닥의가장자리를두르는모양으로설치된화학용액유입관및 상기내조에서흘러넘치는화학용액을받기위해상기내조의측벽을둘러싸는형태로형성된외조를구비하는것을특징으로한다. 따라서, 내조내의화학용액의분포를균일하게할 수있다.
Abstract translation: 它已被用于化学浴的半导体装置进行说明。 其中，围绕所述内桶的侧壁，以接收所述化学溶液内槽，所述化学溶液入口管到安装在地板的边缘处的内罐的底部到dureuneun形状和充分的化学溶液从内槽到流动的盆形到dameulsu形式 在于：它包括的特征形成的外桶。 因此，化学溶液的内槽的分布变得均匀。
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