公开(公告)号：KR1020040000801A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：KR1020020035752

申请日：2002-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제

IPC: C09K13/00

CPC classification number: C23F1/30 ,  C09K13/06 ,  C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13

Abstract: PURPOSE: An etching solution for wire, a preparation method of wire using the solution, a TFT (thin film transistor) substrate containing the wire and its preparation method are provided, to use a conductive layer having a low resistance and a high reflectivity as a reflective layer by allowing a reflective layer to be patterned easily. CONSTITUTION: The etching solution comprises 1-5 wt% of ferric nitrate; 1-5 wt% of nitric acid; 5-20 wt% of acetic acid; 0.05-1 wt% of hexaethylene glycol tetramine; and the balance of ultrapure water. The preparation method of wire comprises the steps of layering a conductive layer comprising silver or silver alloy; and patterning the conductive layer by using the etching solution. The TFT array substrate is prepared by forming a gate wire comprising a gate line and a gate electrode connected with the gate line on an insulating substrate(100); layering a gate laminating layer; forming a semiconductor layer; forming a data wire comprising a data line crossed with the gate line, a source electrode connected with the data line and adjacent to the gate electrode, and a drain electrode placed at the opposite side of the source electrode to the gate electrode; layering a conductive layer comprising silver or silver alloy; and patterning the conductive layer by using the etching solution to form a reflective layer(800) connected with the drain electrode electrically.

Abstract translation: 目的：提供一种用于线材的蚀刻溶液，使用该溶液的线材的制备方法，含有该线材的TFT（薄膜晶体管）基板及其制备方法，以使用具有低电阻和高反射率的导电层作为 通过允许反射层被容易地图案化来形成反射层。 构成：蚀刻溶液含有1-5重量％的硝酸铁; 1-5重量％的硝酸; 5-20重量％的乙酸; 0.05-1重量％的六甘醇四胺; 和超纯水的平衡。 线的制备方法包括以下步骤：分层包含银或银合金的导电层; 并通过使用蚀刻溶液图案化导电层。 通过在绝缘基板（100）上形成包括栅极线和与栅极线连接的栅电极的栅极线来制备TFT阵列基板; 分层栅层叠层; 形成半导体层; 形成包括与所述栅极线交叉的数据线的数据线，与所述数据线连接并与所述栅电极相邻的源极，以及设置在所述源电极的与所述栅电极相反的一侧的漏极; 层叠包含银或银合金的导电层; 以及通过使用蚀刻溶液来图案化导电层，以形成与漏电极电连接的反射层（800）。

公开(公告)号：KR1020030094481A

公开(公告)日：2003-12-12

申请号：KR1020020031419

申请日：2002-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉옥

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for forming a molybdenum-tungsten thin film pattern and a method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) substrate of an LCD(Liquid Crystal Display) using the same are provided to be capable of supplying optimum condition capable of forming an easily etched molybdenum-tungsten thin film. CONSTITUTION: A sputtering process is carried out for forming a molybdenum-tungsten thin film from the room temperature to 80 °C. At this time, the sputtering process is carried out with a speed of 0.010-0.015 angstrom/Ws. Then, an etching process is carried out at the molybdenum-tungsten thin film for selectively patterning the molybdenum-tungsten thin film. Preferably, the target size of the sputtering process is in the range of 144 ±10 x 660 ±10(mm x mm).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成钼 - 钨薄膜图案的方法和使用其的LCD（液晶显示器）的TFT（薄膜晶体管）基板的制造方法，以能够提供能够形成 易蚀刻钨钼薄膜。 构成：对室温至80℃的钼 - 钨薄膜进行溅射处理。 此时，溅射过程以0.010-0.015埃/ Ws的速度进行。 然后，在钼 - 钨薄膜上进行蚀刻处理，以选择性地图案化钼 - 钨薄膜。 优选地，溅射工艺的目标尺寸在144±10×660±10（mm×mm）的范围内。

公开(公告)号：KR1020030092159A

公开(公告)日：2003-12-06

申请号：KR1020020029349

申请日：2002-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉옥 ,  강성철 ,  박홍식 ,  박애나 ,  조홍제

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/42 ,  H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for forming a molybdenum-tungsten thin film and a method for manufacturing thin film transistors of a liquid crystal display using the same are provided to realize a molybdenum-tungsten thin film having high density, large grain size, and low resistance. CONSTITUTION: A first gate wiring layer is formed on a substrate, and MoW is sputtered in a range of 100 to 150 deg. to form a second gate wiring layer. The first gate wiring layer and the second gate wiring layer are etched to form gate patterns including gate lines, gate pads, and gate electrodes. A gate insulating film is deposited on the gate patterns. Semiconductor and resistant contact patterns are formed. MoW is sputtered in a range of 100 to 150 deg. and is patterned to form data wiring. A passivation film is formed and patterned with the gate insulating film for forming contact holes exposing the gate pads, data pads, and drain electrodes. A transparent conductive film is accumulated and etched to form auxiliary gate pads, auxiliary data pads, and pixel electrodes.

Abstract translation: 目的：提供一种形成钼 - 钨薄膜的方法和使用其制造液晶显示器的薄膜晶体管的制造方法，以实现具有高密度，大晶粒度和低电阻的钼 - 钨薄膜。 构成：在基板上形成第一栅极布线层，在100〜150度的范围内溅射MoW。 以形成第二栅极布线层。 第一栅极布线层和第二栅极布线层被蚀刻以形成包括栅极线，栅极焊盘和栅电极的栅极图案。 栅极绝缘膜沉积在栅极图案上。 形成半导体和电阻接触图形。 MoW在100至150度的范围内溅射。 并被图案化以形成数据布线。 形成钝化膜并用栅极绝缘膜构图，用于形成暴露栅极焊盘，数据焊盘和漏极电极的接触孔。 积聚并蚀刻透明导电膜以形成辅助栅极焊盘，辅助数据焊盘和像素电极。

公开(公告)号：KR1020030048327A

公开(公告)日：2003-06-19

申请号：KR1020010078397

申请日：2001-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  강성철 ,  박애나 ,  박홍식

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) substrate is provided to be capable of preventing the generation of residuals by additionally carrying out a wet cleaning process using a cleaning solution containing nitric acid. CONSTITUTION: A gate line(22) and a gate wiring including a gate electrode(26) are formed on an insulating substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the resultant structure. A semiconductor layer(40) is formed on the gate insulating layer of the gate electrode. A resistive contact layer is formed on the upper portion of the semiconductor layer. The first conductive layer(601) made of chrome and an upper layer(602) are sequentially formed on the resultant structure. A data line, a source electrode(65) and a data wiring including a drain electrode(66) are formed by etching the first conductive layer and the upper layer using an etchant mixed with Ce(NH4)2(NO3)6 of 8-12 %, NH3 of 4-12 %, and deionized water. Preferably, an additional wet cleaning process is carried out using an etchant containing nitric acid of 4-8 % and deionized water after forming the data wiring.

Abstract translation: 目的：提供一种制造TFT（薄膜晶体管）基板的方法，通过使用含有硝酸的清洗液进行湿式清洗处理，能够防止残留物的产生。 构成：在绝缘基板（10）上形成栅极线（22）和包括栅电极（26）的栅极布线。 在所得结构上形成栅极绝缘层（30）。 在栅电极的栅极绝缘层上形成半导体层（40）。 电阻接触层形成在半导体层的上部。 在所得结构上依次形成由铬构成的第一导电层（601）和上层（602）。 通过使用与8位的Ce（NH 4）2（NO 3）6混合的蚀刻剂蚀刻第一导电层和上层来形成数据线，源极（65）和包括漏极（66）的数据布线， 12％，NH3为4-12％，去离子水。 优选地，在形成数据布线之后，使用含有4-8％的硝酸的腐蚀剂和去离子水进行另外的湿式清洗工艺。

公开(公告)号：KR100945583B1

公开(公告)日：2010-03-08

申请号：KR1020030034007

申请日：2003-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제

IPC: G02F1/136

Abstract: 우선, 절연 기판의 상부에 MoW alloy의 하부막과 AlNd alloy의 상부막을 차례로 적층한 다음 50-60% 범위의 인산, 6-10% 범위의 질산, 15-25% 범위의 초산 및 2-5%의 안정제(stabilizer)와 나머지 초순수를 포함하는 식각액으로 패터닝하여 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 및 반도체층을 차례로 형성한 다음, MoW alloy의 도전막을 적층하고 게이트선용 식각액과 동일한 식각액으로 패터닝하여 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극을 을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 형성한 다음, 보호막의 상부에 IZO를 적층한 다음 게이트선 및 데이터선을 식각한 식액으로 패터닝하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
몰리브덴, 알루미늄, 습식식각, 식각액, IZO

公开(公告)号：KR100926302B1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：KR1020020087955

申请日：2002-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉욱

IPC: G01N27/00

Abstract: 세정제의 특성을 판단할 수 있는 세정력 측정 시료 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 게이트 전극의 상면에 게이트 절연막을 형성하고, 게이트 절연막의 표면을 세정제로 세정한 후 게이트 절연막의 표면에 채널층을 형성한다. 채널층의 상면에는 유동성이 있는 금속인 수은으로 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 게이트 전극에 게이트 전압, 소오스 전극에 테스트 전압을 가해 소오스로부터 드레인으로 전류가 흐르도록 한다. 전류량이 많을수록 세정제의 특성이 향상되는 것을 감안하여 세정제의 세정력을 측정한다. 이로써, 세정제의 세정력을 측정하는데 필요한 시료의 제조 과정을 크게 단축시키고, 세정제의 고유한 특성을 정확하게 판단할 수 있도록 한다.
세정제, 세정력 측정 시료

公开(公告)号：KR100878268B1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：KR1020020032328

申请日：2002-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉옥

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 금속 패턴과 하부층과의 접합성을 강화할 수 있는 금속 패턴의 형성방법과 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로 제1 감광성 유기 금속 착제를 도포하여 접합용 유기 금속층을 형성하는 단계, 접합용 유기 금속층 위에 금속을 포함한 제2 감광성 유기 금속 착제를 도포하여 배선용 유기 금속층을 형성하는 단계, 배선용 유기 금속층 및 접합용 유기 금속층을 광마스크를 통해 노광하는 단계, 배선용 유기 금속층, 접합용 유기 금속층을 현상하여 접합용 금속 패턴, 배선용 금속 패턴의 이중층인 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
박막트랜지스터기판, 유기금속착제, 은배선, 반사전극

Abstract translation: 本发明包括：形成第一有机金属层1的步骤，一个光敏涂层粘结到制造使用形成可提高金属图案和下层之间的粘合性能的金属图案的方法中的TFT阵列面板的方法，该有机金属配合物和本，结 该方法包括涂覆第二光敏有机金属配合物，包括用于形成布线有机金属层，通过光学掩模，对布线有机金属层暴露所述有机金属层上的金属和粘结有机金属层，布线有机金属层，粘接有机金属层 发展到包括形成金属图案接合，布线金属图案的金属图案的双层的步骤。

公开(公告)号：KR100878234B1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：KR1020020039333

申请日：2002-07-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉옥

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 반사막 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로서 금속을 포함하는 유기 금속 착제를 도포하여 유기 금속층을 형성하고, 유기 금속층을 광 마스크를 통하여 노광하고 현상하여 반사막 패턴을 형성한다. 이어서 반사막 패턴을 열처리하여 반사도를 향상시킨다.
박막트랜지스터기판, 유기금속착제, 반사막패턴, 반사도

公开(公告)号：KR100870019B1

公开(公告)日：2008-11-21

申请号：KR1020020056767

申请日：2002-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  박애나 ,  박홍식 ,  강성철

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되며 주사 신호를 전달하기 위한 게이트 배선, 게이트 배선과 절연하여 교차하도록 형성되며 화상 신호를 전달하는 데이터 배선을 포함하여 이루어지는 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 게이트 배선 또는 데이터 배선 중 적어도 하나의 배선은 제1 몰리브덴층, 알루미늄 네오디뮴층, 제2 몰리브덴층이 순차적으로 적층되어 있는 삼중층으로 이루어진다.
박막트랜지스터기판, 저저항, 배선

公开(公告)号：KR100853718B1

公开(公告)日：2008-08-25

申请号：KR1020020031419

申请日：2002-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉옥

IPC: H01L29/786

Abstract: 식각 특성이 우수한 MoW 박막 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조방법이 개시되어 있다. 먼저, MoW 박막은 상온∼80℃의 온도 범위에서 0.010∼0.015 Å/Ws 의 증착 속도로 스퍼터링하여 형성하도록 한다. 형성되는 MoW 박막을 식각하여 MoW 박막 패턴을 제조하도록 한다. 형성된 패턴은 잔사나 얼룩이 없고, 이중막으로 형성하고 식각한 경우에는 막간 장차도 생성되지 않을 뿐만 아니라 깨끗한 패턴으로 얻어진다. 따라서 이러한 방법을 적용하여 제조되는 MoW 박막 패턴을 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터용 기판에서 게이트 배선이나 데이터 배선용으로 적용시에 우수한 품질을 갖는 기판을 제조할 수 있다.