公开(公告)号：KR1019980065508A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970000531

申请日：1997-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호 ,  문성용

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/26

Abstract: 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 위상 시프트 마스크는 표면에 홈이 형성된 제1 영역과 홈이 형성되지 않은 제2 영역으로 구분되는 투명 기판; 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 교번하여 각각 동일한 면적으로 노출시키는 복수개의 개구부들을 갖으면서 상기 투명 기판 상에 형성된 하프 톤 물질층 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 홈이 형성된 위상 시프트 영역과 홈이 형성되지 않은 비(非) 위상 시프트 영역의 면적을 서로 달리 하지 않고도 상기 위상 시프트 영역과 상기 비 위상 시프트 영역을 투과한 광의 강도를 동일하게 할 수 있다. 따라서, 동일한 폭을 갖는 라인 패턴(line pattern)/스페이서의 연속 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980003792A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960023997

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호

IPC: G03F1/54

公开(公告)号：KR1019970076094A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960015568

申请日：1996-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호 ,  이중현

IPC: G03F7/20

Abstract: 위상차를 갖는 마스크를 이용한 반도에 장치의 노광방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 제1영역과 제2영역간에 단차를 갖는 포토레지스트층이 형성된 반도체 기판을 마스크를 이용하여 노광하는 반도체 장치의 노광방법에 있어서, 상기 마스크에 위상차를 부가하여 상기 포토레지스트층을 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 노광방법을 제공한다. 상기 위상차는 0∼180°로 조절하는 것이 바람직하다. 본 발명은 두께 차가 있는 포토레지스트층을 노광할 때 마스크에 위상차를 가하여 잔차에 의한 촛점차이를 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970023710A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950034947

申请日：1995-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호 ,  이중현

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 미세콘택 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명의 미세콘택 형성방법은 반도체장치의 미세 콘택형성방법에 있어서, 상기 미세패턴을 형성하는 주패턴과 상기 주패턴의 측부에 구비된 회절수단으로 구성된 신규한 마스크패턴을 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 종래의 주 패턴의 측부에 한계해상도보다 작은 패턴인 더미라인(dummy)을 구비하는 신규한 마스크패턴을 이용함으로써, 종래의 한계해상도를 극복하는 미세콘택을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970022535A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950034942

申请日：1995-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호

IPC: G03F7/00

Abstract: 본 발명은 미세한 콘택 마스크의 제작방법에 관해 게시한다. 재래식 콘택 마스크로는 초고집적도의 반도체 장치의 콘택홀을 형성하는데 한계에 도달했다. 따라서 본 발명은 초고집적도의 콘택홀에 적합한 콘택 마스크의 제작방법을 제공한다. 본 발명은 마스크 기판상에 차광막, 제1포토레지스트막, 층간물질막 및 제2포토레지스트막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 제2포토레지스트막을 패더닝하여 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 층간물질막을 경사식각하여 층간물질막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 적층물질막 패턴을 마스크로 제1포토레지스트막과 차광막을 식각하는 단계 및 상기 제2포토레지스트 패턴, 층간물질막 패턴, 제1포토레지스트막을 제거하는 단계를 제공한다.

公开(公告)号：KR102061265B1

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：KR1020130086896

申请日：2013-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 웅준걸 ,  차동호 ,  강명진 ,  도기훈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020030000800A

公开(公告)日：2003-01-06

申请号：KR1020010036931

申请日：2001-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성일 ,  박성현 ,  송재관 ,  차동호 ,  이윤근 ,  박영호 ,  안경석 ,  오영수

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  H01L21/312 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: An apparatus for coating a photoresist and a method for coating a photoresist by using the same are provided to form constant thickness of a photoresist or a developing solution by coating uniformly the photoresist layer or the developing solution on a wafer. CONSTITUTION: A wafer is loaded on a spin chuck(S100). A solvent is injected on an upper surface of the wafer(S200). A photoresist is injected on the upper surface of the wafer(S300). At this time, the photoresist can be uniformly coated on the upper surface of the wafer since the solvent is coated on the upper surface of the wafer before the photoresist is coated on the upper surface of the wafer. A cylinder is lifted(S400). Air is injected through a manifold(S500). The photoresist is uniformly coated on an upper surface of the wafer by rotating the wafer with a high speed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于涂覆光致抗蚀剂的设备和使用该光致抗蚀剂涂覆光致抗蚀剂的方法，以通过将光致抗蚀剂层或显影液均匀地涂覆在晶片上以形成光致抗蚀剂或显影液的恒定厚度。 构成：将晶片装载在旋转卡盘上（S100）。 将溶剂注入晶片的上表面（S200）。 将光致抗蚀剂注入晶片的上表面（S300）。 此时，光致抗蚀剂可以均匀地涂覆在晶片的上表面上，因为在光致抗蚀剂被涂覆在晶片的上表面上之前，溶剂被涂覆在晶片的上表面上。 提起一个圆筒（S400）。 空气通过歧管注入（S500）。 通过高速旋转晶片，将光致抗蚀剂均匀地涂覆在晶片的上表面上。

公开(公告)号：KR100183852B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019960016253

申请日：1996-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강호영 ,  김용범 ,  차동호

IPC: H01L21/28

Abstract: 신규한 반도체장치의 미세패턴 형성방법 및 마스크 제작방법이 개시되어 있다. 피노광물의 노광영역을 한정하기 위한 주패턴이 반복되어 형성되어 있는 마스크의 엣지부에, 포토레지스트의 열적흐름을 제어할 수 있는 더미패턴을 삽입한다. 더미패턴과 주패턴과의 거리, 더미패턴의 투과율, 및 더미패턴의 폭을 조절하여 포토레지스트의 열적흐름에 의한 경계효과를 보정함으로써, 패턴의 비대칭성 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980068264A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970004776

申请日：1997-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문성용 ,  차동호 ,  이중현

IPC: H01L21/027

Abstract: 포토 마스크 제조를 위한 보조틀에 대해 기재되어 있다. 이는, 포토 마스크의 외곽과 같은 형상을 갖는 내변과 포토 마스크의 상기 외곽보다 큰 원형 또는 사각형의 외변을 갖으며, 중공(中空) 형상인 것을 특징으로 하며, 아델(Ardel), 테플론(Teflon), Lexan, Ultem, Vespel 등의 불소수지나 알루미늄(Al) 등의 금속성 물질 되어 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 포토 마스크의 식각 또는 도포 균일도를 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970048927A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950057038

申请日：1995-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호

IPC: G03F1/26

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 미세 콘택홀 형성을 위한 마스크 패턴에 관한 것으로, 일정크기의 사각형 형태를 갖는 콘택홀 패턴; 상기 콘택홀 패턴의 상변 및 하변에 각각 접하면서 상기 콘택홀의 바깥쪽으로 길게 배치된 복수의 더미라인; 및 상기 콘택홀 패턴의 좌변과 우변에 각각 접하면서 상기 콘택홀의 바깥쪽에 위치하는 위상 반전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세 콘택홀 형성을 위한 마스크 패턴을 제공한다.
본 발명에 의하면, 해상도가 우수한 미세 콘택홀을 구현할 수 있다.