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公开(公告)号：KR1020060036633A
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020040085683
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/3279 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L51/0023 , H01L51/56
Abstract: The invention provides a thin film transistor (TFT) array panel that includes an insulating substrate; a gate line formed on the insulating substrate and having a first layer of an Al containing metal, a second layer of a Cu containing metal that is thicker than the first layer, and a gate electrode; a gate insulating layer arranged on the gate line; a semiconductor arranged on the gate insulating layer; a data line having a source electrode and arranged on the gate insulating layer and the semiconductor; a drain electrode arranged on the gate insulating layer and the semiconductor and facing the source electrode; a passivation layer having a contact hole and arranged on the data line and the drain electrode; and a pixel electrode arranged on the passivation layer and coupled with the drain electrode through the contact hole.
Abstract translation: 本发明提供一种薄膜晶体管（TFT）阵列面板，其包括绝缘基板; 栅极线，形成在所述绝缘基板上，并且具有含Al金属的第一层，比所述第一层厚的含Cu金属的第二层，以及栅电极; 设置在栅极线上的栅极绝缘层; 布置在所述栅极绝缘层上的半导体; 数据线，具有源电极并且布置在所述栅极绝缘层和所述半导体上; 漏电极，布置在栅极绝缘层和半导体上并且面对源电极; 钝化层，具有接触孔并设置在数据线和漏电极上; 以及设置在钝化层上并通过接触孔与漏电极耦合的像素电极。
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公开(公告)号：KR1020060027918A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：KR1020040076813
申请日：2004-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/458 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: A thin film transistor array panel includes a source electrode and a drain electrode composed of a Mo alloy layer and a Cu layer, and an alloying element of the Mo alloy layer forms a nitride layer as a diffusion barrier against the Cu layer. The nitride layer can be formed between the Mo alloy layer and the Cu layer, between the Mo alloy layer and the semiconductor layer or in the Mo alloy layer. A method of fabricating a thin film transistor array panel includes forming a data line having a first conductive layer and a second conductive layer, the first conductive layer containing a Mo alloy and the second conductive layer containing Cu, and performing a nitrogen treatment so that an alloying element in the first conductive layer forms a nitride layer. The nitrogen treatment can be performed before forming the first conductive layer, after forming the first conductive layer, or during forming the first conductive layer.
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公开(公告)号：KR1020060023697A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：KR1020040072505
申请日：2004-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136295
Abstract: 본 발명에 따른 박막트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 구리로 이루어져 있는 게이트선, 게이트선을 둘러싸고 있는 게이트 전도성 산화막, 절연 기판 및 게이트 전도성 산화막 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 게이트 절연막 위에 게이트선과 절연되어 교차하도록 형성되어 있는 데이터선, 데이터선 위에 형성되어 있으며 접촉 구멍을 포함하는 보호막, 보호막 위에 형성되어 있으며, 접촉 구멍을 통해 데이터선의 일부와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 포함하고, 게이트 전도성 산화막은 InOx(산화인듐), SnOx(산화주석) 또는 ZnOx(산화아연) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어져 있는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 표시판은 구리로 이루어진 게이트선 또는 데이터선의 표면에 전도성 산화막(lnOx, SnOx, ZnOx)을 형성함으로써, 질화막인 게이트 절연막 또는 보호막의 증착 공정에서 산화와 상호 확산을 방지한다는 장점이 있다.
박막트랜지스터표시판, 구리합금, 전도성산화막-
公开(公告)号：KR1020060022839A
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020040071612
申请日：2004-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/3276 , Y10S438/924
Abstract: 본 발명은, 액정 표시 장치 또는 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배선으로서, 몰리브덴(Mo)에 니오븀(Nb), 바나듐(V) 또는 티타늄(Ti)을 소정량 첨가한 몰리브덴 합금층과 알루미늄층의 적층구조를 형성함으로써, 기존의 순수 몰리브덴(Mo)을 이용한 경우보다 몰리브덴 합금층과 알루미늄층의 상대적인 식각속도 차이의 감소로 인하여 식각시 언더컷, 오버행 및 마우스 바이트 등이 형성되지 않는 동시에, 반도체층 또는 화소 전극과의 접촉특성도 개선되는 것을 특징으로 하는 저저항성 및 내화학성을 동시에 갖춘 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
몰리브덴 합금, 니오븀, 바나듐, 티타늄, 비저항, 식각속도, 언더컷Abstract translation: 本发明中，液晶显示器如TFT阵列面板的用于有机光通过添加（V）或钛（Ti）和铝层的预定量的有机发光显示装置中，钼（Mo）的铌（Nb），钒钼合金层的器件或布线 通过形成层叠结构，使用传统的纯钼（Mo）在同一时间比的情况下，做的钼合金层，并且当由于在铝层之间的相对蚀刻速率差的减小，蚀刻底切，悬和鼠标字节等被形成，并且在半导体层 或像素电极也具有低电阻和耐化学性，其特征在于，在同一时间的接触特性得到改善TFT阵列面板及其制造相同的方法。
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公开(公告)号：KR101085450B1
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：KR1020050011136
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/458 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L51/0021
Abstract: 본발명은 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법에 관한 것이다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 알루미늄층과, 상기 알루미늄층 상에 위치하며 상기 알루미늄층 두께의 10 내지 40%의 두께를 가지는 상부 몰리브덴층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 알루미늄 배선에서 발생하는 힐록을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080103758A
公开(公告)日：2008-11-28
申请号：KR1020070050901
申请日：2007-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335 , G02F1/136 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F2001/13625 , H05K3/1258 , H05K3/388
Abstract: A substrate for a liquid crystal display device, and a method for manufacturing the same are provided to slim the thickness of the liquid crystal panel, simplify the manufacturing process, and reduce the production cost. A substrate for liquid crystal display(200) comprises an insulating substrate(210) and a metal Line(220). The intaglio pattern is filled with a metal line. 100nm is preferable for pitch between metal lines. The metal Line can be formed by the electroless plating process or the sputtering method. It is preferable that the aspect ratio of the metal Line cross section is formed with 2 ~ 3. If the aspect ratio is formed over 3, the length of the metal Line becomes short and the polarization efficiency overly reduces in the polarizing operation.
Abstract translation: 提供一种液晶显示装置用基板及其制造方法，使液晶面板的厚度变薄，简化制造工序，降低生产成本。 液晶显示器（200）的基板包括绝缘基板（210）和金属线（220）。 凹版图案用金属线填充。 对于金属线之间的间距，优选100nm。 金属线可以通过无电镀法或溅射法形成。 优选的是，金属线横截面的纵横比形成为2〜3。如果纵横比形成为3以上，则金属线的长度变短，偏光度的偏振效率过度降低。
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公开(公告)号：KR1020070052589A
公开(公告)日：2007-05-22
申请号：KR1020050110390
申请日：2005-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , G02F2202/36
Abstract: 작동의 신뢰성이 향상된 표시기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 베이스 기판에 형성된 게이트 배선은 알루미늄과 나노물질로 이루어진 게이트 금속층으로 형성된다. 나노물질은 게이트 금속층의 인장 강도를 강화시켜 게이트 배선에서 힐락의 발생을 감소시킨다. 소스 배선은 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하며, 스위칭소자는 게이트 전극, 반도체층, 반도체층의 위로 연장된 소스 전극 및 소스 전극과 대향하며 반도체층 위에 배치된 드레인 전극을 포함한다. 화소 전극은 화소 영역에 형성되며 드레인 전극과 전기적으로 연결된다. 따라서, 게이트 배선에서 힐락의 발생이 감소되어 표시 장치의 작동의 신뢰성이 향상된다.
힐락, 알루미늄, 게이트, 표시기판, 산화알루미늄, 질화알루미늄-
公开(公告)号：KR1020070049278A
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：KR1020050106274
申请日：2005-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/458 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12903
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 배선은 하부 구조물 상에 형성된 배리어막, 상기 배리어막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막, 상기 구리 도전막 상에 형성된 중간막, 및 상기 중간막 상에 형성된 캡핑막을 포함하거나, 또는 하부 구조물 상에 형성된 배리어막, 상기 배리어막 상에 형성된 제1 중간막, 상기 제1 중간막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막, 상기 구리 도전막 상에 형성된 제2 중간막, 및 상기 제2 중간막 상에 형성된 캡핑막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 구리, 구리 질화물, 구리 산화물, 중간막-
公开(公告)号：KR1020070039274A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：KR1020050094423
申请日：2005-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a thin film transistor array panel. the method includes forming a gate line including a gate electrode on a substrate, forming a first insulating layer on the gate line, forming a semiconductor layer on the first insulating layer, forming an ohmic contact on the semiconductor layer, forming a data line including a source electrode and a drain electrode on the ohmic contact, depositing a second insulating layer, forming a first photoresist on the second insulating layer, etching the second insulating layer and the first insulating layer using the first photoresist as an etching mask to expose a portion of the drain electrode and a portion of the substrate, forming a pixel electrode connected to an exposed portion of the drain electrode using selective deposition, and removing the first photoresist.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜晶体管阵列面板的制造方法。 该方法包括在基板上形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成半导体层，在半导体层上形成欧姆接触，形成数据线， 源电极和漏电极，沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成第一光致抗蚀剂，使用第一光致抗蚀剂蚀刻第二绝缘层和第一绝缘层作为蚀刻掩模，以暴露部分 所述漏电极和所述衬底的一部分，使用选择性沉积形成连接到所述漏极的暴露部分的像素电极，以及去除所述第一光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR1020070038331A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093539
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/1345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2202/10 , H01L21/306 , H01L27/124 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 표시판은 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 데이터선 및 드레인 전극, 그리고 상기 데이터선 및 드레인 전극 일부 위에 형성되어 있는 보호막을 포함하고, 상기 게이트선은 상기 화소 전극과 동일한 층에 형성되어 있는 제1 막과 상기 제1 막 위에 형성되어 있는 제2 막을 포함한다. 이와 같이, 하나의 마스크를 이용하여 게이트선과 화소 전극이 형성되므로, 제조 공정이 단순해지고 제조 비용이 줄어든다.
박막트랜지스터표시판, 슬릿, 마스크, 감광막, 화소전극, 게이트선Abstract translation: 薄膜晶体管阵列面板包括形成在基板上的像素电极，形成在像素电极上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘膜，形成在栅极绝缘膜上的半导体，数据线和漏极 形成在栅极绝缘膜上，以及形成在数据线和漏电极的部分上的钝化层。 栅线包括形成在同一层上并具有与像素电极相同的材料的第一膜和形成在第一膜上的第二膜。
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