公开(公告)号：KR101228116B1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：KR1020100104187

申请日：2010-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤석 ,  이석수 ,  윤재구 ,  박진환 ,  송미정

IPC: H01M10/0567 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/366 ,  H01M10/0567

Abstract: 리튬염, 비수성 유기 용매 및 전해액 첨가제를 포함하는 리튬 이차 전지용 전해액으로서, 상기 첨가제는 극성 치환기를 함유한 페난트롤린계 화합물인 리튬 이차 전지용 전해액이 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따른 리튬 이차 전지용 전해액을 사용함으로써, 고온 수명 특성 및 고온 보존 특성이 향상된 리튬 이차 전지를 제공할 수 있다.

Abstract translation: 用于二次锂电池的电解液，所​​述电解质溶液包括：锂盐，非水有机溶剂和具有极性取代基的菲咯啉系化合物。 电解液能够制造具有良好的高温寿命特性和良好的高温保存特性的二次锂电池。

公开(公告)号：KR1020120118778A

公开(公告)日：2012-10-29

申请号：KR1020110036374

申请日：2011-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주호 ,  최준희 ,  이상훈 ,  송미정

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L41/107

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/319 ,  H01L31/03044 ,  H01L2924/1033

Abstract: PURPOSE: A GaN thin film structure, a manufacturing method thereof and a semiconductor device including the same are provided to reduce a manufacturing process by forming an electrode layer and a reflective film together on the lower part of an GaN thin film. CONSTITUTION: Two support members(102a,102b) are formed on a substrate(101). A first buffer layer(103) is formed on the two support members. An electrode layer(104) is formed on the first buffer layer. A second buffer layer(105) is formed on the electrode layer. A GaN thin film layer(106) is formed on the second buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供一种GaN薄膜结构及其制造方法和包括该GaN薄膜结构的半导体器件，以通过在GaN薄膜的下部形成电极层和反射膜来减少制造工艺。 构成：在基板（101）上形成两个支撑部件（102a，102b）。 在两个支撑构件上形成第一缓冲层（103）。 在第一缓冲层上形成电极层（104）。 在电极层上形成第二缓冲层（105）。 在第二缓冲层上形成GaN薄膜层（106）。

公开(公告)号：KR1020120057467A

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：KR1020100119206

申请日：2010-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철호 ,  박준용 ,  이재준 ,  한용석 ,  송미정

IPC: G03F7/004 ,  C09J179/08

CPC classification number: C09J179/08 ,  C08G73/1025 ,  H01L23/293 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/31721 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0047 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: Photo-sensitive polyimide with a silicon modified group, an adhesive composition including the same, and a semiconductor package including the same are provided to improve pattern shaping characteristic in addition to the rigidity of an imide structure, and heat resistance characteristic. CONSTITUTION: Photo-sensitive polyimide includes side chains. A first side chain includes (meth)acryloyl group grafted to an aromatic polyimide backbone. A second side chain includes a silicon modified group. The aromatic polyimide backbone includes a repeating unit represented by one of chemical formulas 1a, 1b, and 1c. In chemical formulas, Ar1 is tetravalent organic group; and Y is -O-, -NH-, or -S-. The aromatic polyimide backbone further includes a repeating unit which is obtained by reacting tetracarboxylic acid represented by chemical formula 2 with diamine. The diamine is selected from substituted or non-substituted aromatic diamine, aliphatic ether diamine, and diamino siloxane.

Abstract translation: 目的：提供具有硅改性基团的光敏聚酰亚胺，包含它们的粘合剂组合物和包含其的半导体封装以改善除了酰亚胺结构的刚性和耐热特性之外的图案形成特性。 构成：光敏聚酰亚胺包括侧链。 第一侧链包括接枝到芳族聚酰亚胺主链上的（甲基）丙烯酰基。 第二侧链包括硅改性基团。 芳香族聚酰亚胺主链包括由化学式1a，1b和1c之一表示的重复单元。 化学式中，Ar1为四价有机基团; Y是-O - ， - NH-或-S-。 芳族聚酰亚胺主链还包括由化学式2表示的四羧酸与二胺反应得到的重复单元。 二胺选自取代或未取代的芳族二胺，脂族醚二胺和二氨基硅氧烷。

公开(公告)号：KR1020110121884A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020100041383

申请日：2010-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 이헌주 ,  이수석 ,  송미정 ,  한경연 ,  김재호

IPC: G01N33/543 ,  G01N27/447 ,  G01N29/02 ,  G01N29/036 ,  G01N1/40

CPC classification number: G01N33/54373 ,  G01N27/44717 ,  G01N29/022 ,  G01N29/036 ,  G01N2001/4038 ,  G01N2291/0255 ,  G01N2291/0256 ,  G01N27/447

Abstract: PURPOSE: A surface acoustic wave sensor device having a target bimolecular isolation component is provided to separate various biomolecules according to size using an electrophoresis apparatus. CONSTITUTION: A surface acoustic wave sensor device having a target bimolecular isolation component comprises a separation element and a surface acoustic wave sensor. The separation element separates biomolecules(200) using an electrophoresis method. The biomolecules have the same or different sizes as/from a target biomolecule. A receptor(300) is attached on the surface acoustic wave sensor and is coupled to the target biomolecule.

Abstract translation: 目的：提供具有目标双分子分离组分的表面声波传感器装置，以使用电泳装置根据尺寸分离各种生物分子。 构成：具有目标双分子隔离成分的表面声波传感器装置包括分离元件和声表面波传感器。 分离元件使用电泳方法分离生物分子（200）。 生物分子具有与靶生物分子相同或不同的大小。 受体（300）附着在表面声波传感器上，并与目标生物分子结合。

公开(公告)号：KR1020110047702A

公开(公告)日：2011-05-09

申请号：KR1020090104428

申请日：2009-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재은 ,  이주욱 ,  김창현 ,  강효랑 ,  송미정 ,  김재영

IPC: C02F1/467 ,  C25B11/04 ,  C02F1/02

CPC classification number: C02F1/4674 ,  C02F2001/46133 ,  C02F2001/46138 ,  C02F2201/46155 ,  C02F2209/02

Abstract: PURPOSE: An electrolytic sterilization system for the water treatment and an electrolytic sterilization method using thereof are provided to increase the speed of the sterilization reaction inside the electrolytic sterilization system by increasing the temperature of inflow water. CONSTITUTION: An electrolytic sterilization system for the water treatment comprises the following: an electrolytic sterilizer(10) including a chamber(15), a first electrode(11), a second electrode(12), a water inlet unit(13), and a water outlet unit(14); and an inflow water heater(30) heating inflow water by being installed on the front end of the water inlet unit. The heating temperature of the inflow water heater is 20~70deg C. The inflow water heater uses a PTC thermistor heater, an electric heater, a gas heater, a heat exchanger, a warm water pipe, and waste heat.

Abstract translation: 目的：提供一种用于水处理的电解消毒系统和使用其的电解灭菌方法，以通过增加流入水的温度来提高电解消毒系统内的灭菌反应的速度。 构成：用于水处理的电解消毒系统包括：电解消毒器（10），包括室（15），第一电极（11），第二电极（12），进水单元（13）和 出水单元（14）; 以及流入式热水器（30），其通过安装在所述进水单元的前端来加热流入水。 流入热水器的加热温度为20〜70℃。流入热水器采用PTC热敏电阻加热器，电加热器，气体加热器，热交换器，暖水管和废热管。

公开(公告)号：KR1020080101488A

公开(公告)日：2008-11-21

申请号：KR1020070048660

申请日：2007-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종진 ,  송미정 ,  이광희

IPC: G02F1/1333 ,  C08J5/18

CPC classification number: G02F1/133305 ,  Y10T428/31681

Abstract: A flexible PCB(Printed circuit board) of a display panel is provided to implement high performance FPCB with thin, heat resistance, and gas-barrier properties by forming an evenness layer on the metal layer. An FPCB(100A) comprises a plastic layer having a glass fiber cloth(110), a metal layer(130) laminated on the plastic layer, and an evenness layer(140) laminated on the metal layer. The plastic layer is formed by precipitating the plastic fiber cloth in the plastic resin melt solution, and drying it. Since the plastic layer is made including the glass fiber cloth of which the coefficient of thermal expansion is small, it improves the connection reliability with the part connected to the top of the substrate. Preferably the thickness of the plastic layer is 10 ~ 300 mum, more proper range is 50 ~ 200 mum. The plastic layer is produced by laminating two repreg layers including the glass fiber cloth.

Abstract translation: 提供显示面板的柔性PCB（印刷电路板），以通过在金属层上形成均匀层来实现具有薄，耐热性和气体阻隔性能的高性能FPCB。 FPCB（100A）包括具有玻璃纤维布（110），层压在塑料层上的金属层（130）和层压在金属层上的均匀层（140）的塑料层。 塑料层通过将塑料纤维布沉淀在塑料树脂熔融溶液中而形成，并将其干燥。 由于塑料层的制造包括其热膨胀系数小的玻璃纤维布，因此与连接到基板顶部的部分的连接可靠性提高。 优选地，塑料层的厚度为10〜300μm，更合适的范围为50〜200μm。 通过层压包括玻璃纤维布的两个聚酯层来制造塑料层。

公开(公告)号：KR100707210B1

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：KR1020060010594

申请日：2006-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영구 ,  강성기 ,  오태식 ,  이호년 ,  고익환 ,  전영태 ,  송미정

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/10

Abstract: 밀봉보호층(encapsulation layer)의 성막 구조가 개선된 유기발광 디스플레이와 그 제조방법이 개시된다. 개시된 유기발광 디스플레이의 밀봉보호부는 뱅크부와 발광부 전체를 균일하게 덮는 유기물층과, 뱅크부에 비해 발광부를 더 두껍게 덮는 무기물층을 포함하는 구조를 갖는다. 이러한 구조의 유기발광 디스플레이는, 밀봉보호층의 제조하는데 있어서 밀봉성이 크게 요구되는 발광부에만 무기물층을 두껍게 성막하고 뱅크부는 유연성을 갖출 수 있도록 얇게 만들기 때문에, 기존에 유기물층과 무기물층을 10번 이상 교대로 적층해야 했던 구조에 비해 공정을 간소화하여 제조비용을 절감시킬 수 있다.

Abstract translation: 公开了具有改进的封装层的成膜结构的有机发光显示器及其制造方法。 所描述的有机发光显示部的密封保护具有包括覆盖所述发光部比有机层更厚和堤部和堤部均匀地覆盖整个发光部的无机材料层的结构。 具有这种结构的有机发光显示器，在一个密封的保护层的制造中，因为它创建薄，以使得密封性能是无机层的显著较厚的膜形成只用于光发射所需要的部分，和装备在银行部分灵活性，10的有机层和无机层，以现有的 与其中层交替堆叠的结构相比，通过简化工艺可以降低制造成本。

公开(公告)号：KR100624443B1

公开(公告)日：2006-09-15

申请号：KR1020040089212

申请日：2004-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권계시 ,  김성진 ,  신승주 ,  성기영 ,  국건 ,  송미정

IPC: B41J2/045

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2/055 ,  B41J2002/14193

Abstract: 압전 방식의 잉크젯 프린트헤드가 개시된다. 개시된 잉크젯 프린트헤드는, 토출될 잉크가 채워지는 다수의 압력 챔버와, 다수의 압력 챔버 각각에 잉크의 토출을 위한 구동력을 제공하는 압전 액츄에이터와, 다수의 압력 챔버 각각에 공급될 잉크를 담고 있는 매니폴드와, 매니폴드로부터 다수의 압력 챔버에 잉크를 공급하기 위한 다수의 리스트릭터와, 다수의 압력 챔버로부터 잉크를 토출하기 위한 다수의 노즐과, 다수의 리스트릭터 각각의 출구에 설치되는 다수의 일방향 셔터를 구비한다. 상기 일방향 셔터는 리스트릭터로부터 압력 챔버로 잉크가 공급될 때에는 리스트릭터를 개방시키고, 압력 챔버로부터 노즐을 통해 잉크가 토출될 때에는 리스트릭터를 막아 잉크의 역류를 차단한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 일방향 셔터에 의해 잉크의 역류가 차단되므로, 일정한 부피의 잉크 액적을 토출하는데 필요한 진동판의 면적과 압력 챔버의 크기를 줄일 수 있어서 압전 방식의 잉크젯 프린트헤드의 CPI를 증가시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020060039111A

公开(公告)日：2006-05-08

申请号：KR1020040088165

申请日：2004-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권계시 ,  성기영 ,  김성진 ,  신승주 ,  송미정

IPC: B41J2/045

CPC classification number: B41J2/14282 ,  B41J2002/14193

Abstract: 캔틸레버 액츄에이터를 구비한 잉크젯 프린트헤드가 개시된다. 개시된 잉크젯 프린트헤드는, 토출될 잉크가 채워지는 다수의 잉크 챔버와, 다수의 잉크 챔버에 공급될 잉크를 담고 있는 매니폴드와, 매니폴드로부터 다수의 잉크 챔버 각각에 잉크를 공급하기 위한 다수의 리스트릭터와, 다수의 잉크 챔버로부터 잉크를 토출하기 위한 다수의 노즐과, 다수의 잉크 챔버 각각의 내부에 그 일단부는 고정되고 그 타단부는 휨 변형될 수 있도록 설치되어 그 타단부의 휨 변형에 의해 잉크 챔버 내부의 잉크에 잉크의 토출을 위한 압력을 인가하는 캔틸레버 액츄에이터를 구비한다. 상기 캔틸레버 액츄에이터는 바이몰프 소자로 이루어질 수 있으며, 그 타단부의 휨 변형에 의해 잉크 챔버로부터 노즐을 통해 잉크를 토출시킴과 동시에 잉크 챔버로부터 리스트릭터 쪽으로 향하는 잉크의 역류를 차단한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 보다 큰 변위로 작동되며 잉크의 역류를 차단하는 캔틸레버 액츄에이터를 구비함으로써, 일정한 부피의 잉크 액적을 토출하는데 필요한 잉크 챔버의 크기를 줄일 수 있어서 잉크젯 프린트헤드의 CPI를 증가시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR101761309B1

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：KR1020110036374

申请日：2011-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주호 ,  최준희 ,  이상훈 ,  송미정

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L41/107

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/319

Abstract: 기판위에현가되어있는전극층를이용하여대면적기판위에고품질의 GaN를성장시킬수 있는 GaN 박막의제조방법, 상기방법으로제작된 GaN 박막구조물및 상기 GaN 박막구조물을포함하는반도체소자가개시된다. 개시된 GaN 박막의제조방법에따르면, 기판위에희생층을형성하는단계; 희생층위에제 1 버퍼층을형성하는단계; 제 1 버퍼층위에전극층을형성하는단계; 전극층위에제 2 버퍼층을형성하는단계; 희생층을부분적으로에칭하여제 1 버퍼층과기판사이에적어도하나의공기갭을형성하는단계; 및제 2 버퍼층위에 GaN 박막을성장시키는단계;를포함할수 있다.

Abstract translation: 对于具有高品质的GaN sikilsu生长并且使用其悬浮在所述衬底之上jeongeukcheungreul大面积衬底制造GaN薄膜的方法中，提供了包括GaN薄膜结构和通过上述方法制造的GaN薄膜结构的半导体装置。 根据所公开的制造GaN薄膜的方法，在衬底上形成牺牲层; 在牺牲层上形成第一缓冲层; 在第一缓冲层上形成电极层; 在电极层上形成第二缓冲层; 部分地蚀刻牺牲层以在第一缓冲层和衬底之间形成至少一个空气间隙; 并在第二缓冲层上生长GaN薄膜。