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公开(公告)号：KR100306630B1
公开(公告)日：2001-10-19
申请号：KR1019980020268
申请日：1998-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/05
Abstract: 본 발명은 하나의 패키지내에 서로 다른 주파수 대역의 중심 주파수를 갖는 2개의 필터칩을 내장시킴으로써 아나로그 및 디지털(예컨대, 코드 분활 방식) 겸용 휴대전화기에 사용할 수 있는 복합 표면 탄성파 필터에 관한 것으로, 필터의 소형화 및 신뢰성 향상에 그 목적을 두고 있다. 이러한 본 발명은 하나의 패키지내에 서로 다른 주파수 대역의 중심 주파수를 갖는 2개의 필터칩을 내장시켜 구성하는 복합 표면 탄성파 필터에 있어서, 상기 2개의 필터칩은 그 후면이 마주하도록 비전도성수지층의 개재하에 상하로 적층, 배치되고, 상기 필터칩 전면의 IDT전극에 인접하게 각 칩의 입력 및 출력에 대한 임피던스 정합회로를 이루는 캐패시터 및 인덕턴스소자가 박막 형태로 각각 형성되며, 상기 각 필터칩의 IDT전극 주위에는 표면파가 박막 캐패시터 및 인덕턴스소자측으로 향하는 것을 차단하기 위한 차단홈부가 각각 형성됨과 아울러 패키지의 바닥면을 향하는 IDT전극 주위에는 필터칩을 패키지에 대하여 지지하는 동시에 EM파를 차단하기 위한 솔더 범프가 부착된 것을 특징으로 한다. 상기 필터칩에 박막 형태로 각각 형성되어 있는 캐패시터 및 인덕턴스소자는 필터칩의 압전체기판을 상하로 관통하도록 설치된 인출전극에 의해 서로 연결되고, 상기 인덕턴스소자 및 인덕턴스소자 연결용 인출전극이 패키지의 단자에 금속세선으로 연결된다.
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公开(公告)号：KR1020010035667A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990042359
申请日：1999-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김용준
IPC: H01L27/01
Abstract: PURPOSE: A circuit for reducing voltage variation of a semiconductor device is provided to stably guarantee noise margin by reducing a variation phenomenon of power supply, and to eliminate over-current caused by overshooting and undershooting. CONSTITUTION: A reference voltage generating circuit generates a reference voltage. A switching circuit receives the reference voltage, and has a threshold voltage smaller than a difference between a power supply voltage of a power supply voltage terminal or ground terminal and the reference voltage. The switching circuit turns on when the voltage difference is larger than the threshold voltage, and reduces a variation phenomenon of power supply of a semiconductor device.
Abstract translation: 目的：提供一种降低半导体器件电压变化的电路，通过减少电源变化现象，消除过冲和过冲引起的过电流，从而稳定保证噪声容限。 构成：参考电压产生电路产生参考电压。 开关电路接收参考电压，并且具有小于电源电压端子或接地端子的电源电压与参考电压之间的差的阈值电压。 当电压差大于阈值电压时，开关电路导通，并且减小了半导体器件的电源的变化现象。
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公开(公告)号：KR100250359B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970070026
申请日：1997-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B41J2/04
Abstract: PURPOSE: An ink injector of an ink jet printer is provided to simplify structure, to reduce a consumption amount of ink and to readily change the size of a nozzle injection hole and the design of a position. CONSTITUTION: An ink injector of an ink jet printer comprises power; a nozzle beam having a lever on both sides and forming a closed circuit by being connected to a bridge; magnets(12,13) installed on upper and lower parts of the nozzle beam to feed a magnetic field; and a nozzle plate(17) prepared with plural nozzle orifices formed on a front face of the nozzle beam. When a current is supplied to a conductive beam(11), the attraction of levers(11b,11'a,11'b,11"a) of the conductive beams(11,11',11") is reacted by different current flows. As the levers are bent toward an ink chamber containing ink, a space of the ink chamber(16) is compressed. The ink is injected through the plural nozzle orifices(11c,11'c,11"c) formed on the nozzle plate so that a print work is performed.
Abstract translation: 目的：提供一种喷墨打印机的墨水喷射器，以简化结构，减少油墨的消耗量，并且容易地改变喷嘴喷射孔的尺寸和位置的设计。 构成：喷墨打印机的喷墨器包括电源; 喷嘴梁，其两侧具有杆，通过连接到桥上形成闭合回路; 安装在喷嘴梁的上部和下部的磁体（12,13）供给磁场; 以及喷嘴板（17），其形成在喷嘴梁的前表面上形成有多个喷嘴孔。 当电流被提供给导电束（11）时，导电束（11,11'，11“）的杆（11b，11'a，11'b，11”a）的吸引力被不同的电流 流动。 当杠杆朝向包含墨水的墨水室弯曲时，墨水室（16）的空间被压缩。 通过形成在喷嘴板上的多个喷嘴孔（11c，11'c，11“c）喷射油墨，从而进行打印作业。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101671326B1
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020100020488
申请日：2010-03-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 인터리빙기술을이용하는비휘발성메모리장치가개시된다. 상기비휘발성메모리장치는 N 비트의데이터에 2개의문턱전압상태들중에서대응하는문턱전압상태를할당하는제1 제어부; 문턱전압이증가함에따라서증가하는간격으로상기 2개의문턱전압상태들중에서인접한문턱전압상태들사이의간격을이격시키는제2 제어부; 및상기할당된문턱전압상태에대응하는문턱전압산포상태를형성하여다수의멀티레벨셀들에상기 N 비트의데이터를프로그램하는프로그램부를포함할수 있다. 상기제2 제어부는상기데이터보증시점에서의상기 2개의문턱전압상태들사이의인터섹션(Intersection) 영역들각각에서발생하는데이터독출에러의수가일정하도록상기인접한문턱전압상태들사이의이격간격을제어할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160073527A
公开(公告)日：2016-06-27
申请号：KR1020140181943
申请日：2014-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/28518 , H01L21/743 , H01L21/76897 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L29/66621 , H01L43/08 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L29/7813
Abstract: 반도체소자는기판의게이트트렌치내부를채우면서상기게이트트렌치위로돌출되고, 게이트절연막, 게이트전극및 캡핑막패턴을포함하는매립게이트구조물이구비된다. 상기매립게이트구조물양 측의기판표면아래에는, 적어도일부분이상기게이트전극의측벽부위와마주하는제1 및제2 불순물영역이구비된다. 상기제1 및제2 불순물영역상에각각구비되고, 제1 및제2 매립콘택구조물들이구비된다. 상기반도체소자는높은동작전류를갖고, 전하이동도가향상될수 있다.
Abstract translation: 半导体器件包括填充衬底的栅极沟槽的内侧的嵌入式栅极结构，在栅极沟槽上突出，并且包括栅极绝缘膜，栅极电极和封盖膜图案。 其中至少一个部分面向栅电极的侧壁部分的第一和第二杂质区域形成在嵌入栅极结构的两侧的基板的表面下方。 第一和第二嵌入式接触结构包括在第一和第二杂质区域上。 半导体器件具有高的工作电流并且可以提高电荷迁移率。
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公开(公告)号：KR1020160061801A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020140164678
申请日：2014-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/11521 , H01L27/228 , H01L29/7813
Abstract: 액티브영역들과소자분리영역들을포함하는기판, 상기소자분리영역에형성된트렌치들및 상기액티브영역들에형성되고및 상기기판으로부터돌출된액티브패턴들, 상기트렌치들을채우는소자분리막들, 상기액티브패턴들및 소자분리막들에걸쳐형성된게이트트렌치들, 및상기게이트트렌치들을채우는게이트라인스택들을포함하고, 상기게이트트렌치의폭은상기소자분리막에형성된제 1 폭이상기액티브패턴에형성된제 2 폭보다넓은메모리소자가제안된다.
Abstract translation: 公开了一种存储器件，包括：衬底，其包括有源区和器件隔离区; 形成在器件隔离区域和有源区域中并且从衬底突出的沟槽中形成的有源图案; 器件隔离膜填充沟槽; 栅极沟槽形成在有源图案和器件隔离膜上; 以及填充栅极沟槽的栅极线堆叠。 栅极沟槽在器件隔离膜中具有第一宽度，并且在有源图案中具有第二宽度，并且第一宽度大于第二宽度。
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公开(公告)号：KR101602316B1
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：KR1020090010219
申请日：2009-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/00 , G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C13/0033 , G11C16/3427 , G11C29/00
Abstract: 본발명에따른반도체메모리장치의데이터처리방법은, 비휘발성메모리의행과열에프로그램될데이터를행 또는열 방향에따라배열하는단계; 및상기비휘발성메모리의서로인접한셀들이제 1 상태및 제 2 상태로프로그램되는경우를회피하도록상기프로그램될데이터를상기행 또는열 방향에따라변조코드로부호화하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101598382B1
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020100018657
申请日：2010-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/04
Abstract: 본발명에따른상태기반불휘발성메모리장치의에러정정방법은, 부호어(Codeword)를선택된메모리셀들에할당하되, 상기부호어중 제 1 비트그룹을제 1 메모리셀에, 상기부호어중 제 2 비트그룹을제 2 메모리셀에할당하는단계, 그리고상기부호어를상기선택된메모리셀들에프로그램하는단계를포함하되, 상기제 1 비트그룹과상기제 2 비트그룹은각각상기부호어상에서연속되는비트들이다.
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