公开(公告)号：KR1020070097259A

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：KR1020060028222

申请日：2006-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류승섭 ,  이은경 ,  장성화

IPC: H04N5/225

CPC classification number: G03B17/02 ,  H04N5/2254

Abstract: A digital photographing device is provided to allow a user to carry the device in a closed state, ensure a display screen having a desired size, and manipulate buttons in an open state. The first body(110) includes a front surface having a lens(114) and a flash(112) and a rear surface having a display part for displaying information on a screen. The second body(120) is slid with respect to the first body while moving in a straight line. The second body includes a front surface formed with a flash hole and a rear surface equipped with a button part. The front surface of the first body is hidden with the lens inside the second body, and the rear surface of the second body is hidden inside the first body if the photographing device is in a closed state. The front surface of the first body is partially exposed to an exterior of the second body, the flash is exposed through the flash hole of the second body, and the rear surface of the second body is partially exposed to an exterior of the first body if the photographing device is in an open state.

Abstract translation: 提供数字拍摄装置以允许用户将装置运送在关闭状态，确保具有期望尺寸的显示屏幕，以及处于打开状态的按钮。 第一主体（110）包括具有透镜（114）和闪光灯（112）的前表面和具有用于在屏幕上显示信息的显示部分的后表面。 第二主体（120）在以直线移动的同时相对于第一主体滑动。 第二主体包括形成有闪光孔的前表面和配备有按钮部的后表面。 第一主体的前表面被隐藏在第二主体内部的透镜中，并且如果拍摄装置处于关闭状态，则第二主体的后表面被隐藏在第一主体内。 第一主体的前表面部分地暴露于第二主体的外部，闪光体通过第二主体的闪光孔而暴露，并且第二主体的后表面部分地暴露于第一主体的外部，如果 拍摄装置处于打开状态。

公开(公告)号：KR1020070084643A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020060016705

申请日：2006-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주영 ,  구본원 ,  이은경 ,  이상윤 ,  이방린

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

Abstract: An organic thin film transistor comprising a fluorine-based polymer thin film, and a method for fabricating the same are provided to form easily an organic semiconductor layer and/or a dielectric film using a wet process. An organic thin film transistor includes a gate electrode(2), a gate dielectric layer(3), an organic semiconductor layer(5), and source/drain electrodes(6,7). In order to fabricate the organic thin film transistor, a fluorine-based polymer composite is coated between the source/drain electrodes and the organic semiconductor layer to form a fluorine-based polymer thin film(4). The fluorine-based polymer thin film is formed by a spin coating, a dip coating, a printing technique, an ink-jet coating or a roll coating. The fluorine-based thin film has a thickness of 10 to 100Å. The organic thin film transistor has a bottom contact type structure or a top gate type structure.

Abstract translation: 提供了包含氟基聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制造方法，以便容易地形成使用湿法的有机半导体层和/或电介质薄膜。 有机薄膜晶体管包括栅极（2），栅介质层（3），有机半导体层（5）和源极/漏极（6,7）。 为了制造有机薄膜晶体管，在源/漏电极和有机半导体层之间涂覆氟基聚合物复合材料以形成氟基聚合物薄膜（4）。 氟基聚合物薄膜通过旋涂，浸涂，印刷技术，喷墨涂布或辊涂形成。 氟系薄膜的厚度为10〜100。 有机薄膜晶体管具有底部接触型结构或顶栅型结构。

公开(公告)号：KR100727907B1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：KR1020000041737

申请日：2000-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  정민형

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/423 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/4087

Abstract: 서로 다른 파장의 광을 조사하는 서로 다른 종류의 표면광 레이저를 동일 기판 상에 구성한 다중 파장 표면광 레이저 및 그 제조방법가 개시되어 있다.
이 개시된 표면광 레이저는, 서로 다른 파장의 광을 조사할 수 있도록 된 하부반사기층, 활성층, 상부반사기층 구조의 표면광 레이저를 일 기판에 대하여 일체로 형성한 점에 특징이 있다.
따라서, 다른 파장의 광을 동시에 출사할 수 있도록 함과 아울러, 각 표면광 레이저의 광학적 배열이 반도체 제조 공정시 결정되므로 광학적 정렬이 용이하다는 이점이 있다.
또한, 개시된 다중 파장 표면광 레이저 제조공정은 일 파장의 광을 조사하는 일 표면광 레이저를 기판 상에 형성 한 후, 식각공정을 통하여 그 일부를 제거함으로써 기판 상에 다른 표면광 레이저가 적층될 공간을 마련하고, 이 일 표면광 레이저에 보호막을 입힌 후 기판 및 보호막 상에 다른 파장의 광을 조사하는 다른 표면광 레이저를 형성한다. 그리고, 식각공정을 통하여 기판 상에 형성된 다른 표면광 레이저를 제외한 나머지 부분을 제거한다. 이어서, 기판의 일면과 두 표면광 레이저 각각의 상면에 하부전극 및 상부전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 광학적 정렬이 쉽고, 비교적 제조공정이 간단하다는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1020070059283A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020050117964

申请日：2005-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신중한 ,  이은경 ,  정은정 ,  김주영 ,  문현식 ,  이상윤

IPC: H01B3/22 ,  H01B3/24

CPC classification number: H01L51/052 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0055 ,  Y10T428/31663

Abstract: Provided is an organic insulator composition, which has a fluorine-based surface treatment agent function to simplify a production process of an organic insulating film and improves charge mobility and hysteresis of an organic thin film transistor. The organic insulator composition comprises (i) a compound represented by a formula 1 of R1SiX1X2X3 or a formula 2 of R1R2SiX1X2, a mixture thereof, a polymer thereof, or a silane-based compound obtained by mixing or copolymerizing the compound with a compound represented by a formula 3 of SiX1X2X3X4, a formula 4 of R3SiX1X2X3, or a formula 5 of R3R4SiX1X2, (ii) an organometallic compound, (iii) an organic solvent, and (iv) an organic or inorganic polymer matrix.

Abstract translation: 本发明提供一种具有氟系表面处理剂功能的有机绝缘体组合物，其简化了有机绝缘膜的制造工序，提高了有机薄膜晶体管的电荷迁移率和迟滞性。 有机绝缘体组合物包含（i）R1SiX1X2X3的式1化合物或R1R2SiX1X2的式2表示的化合物，其混合物，其聚合物或通过将化合物与下式表示的化合物混合或共聚获得的硅烷系化合物 SiX1X2X3X4的式3，R3SiX1X2X3的式4或R3R4SiX1X2的式5，（ii）有机金属化合物，（iii）有机溶剂和（iv）有机或无机聚合物基质。

公开(公告)号：KR1020070057602A

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：KR1020060028875

申请日：2006-03-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경상 ,  최병룡 ,  이은경 ,  권순재 ,  이재호

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669

Abstract: 본발명은긴 와이어형상의다수의기공을포함하는다공성템플릿내의기공에나노입자또는나노입자전구체를주입한후 나노와이어로형성시키는것을특징으로하는나노와이어의제조방법및 그에의해제조되는나노와이어를포함하는각종전자소자및 광학소자에관한것이다. 본발명의방법에의하면간단한공정에의해직진성및 배열성이우수한나노와이어를제조할수 있고, 이러한나노와이어를포함하는각종소자의물성을향상시키고제조비용을절감할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种通过使用多孔模板制造纳米线的方法，以通过在引入纳米线之后形成纳米线以形成具有优异布置或取向的纳米线和具有改进的物理性质的纳米线结构，例如电子和光学器件 纳米颗粒或纳米颗粒前体进入模板的孔。 该方法包括以下步骤：（a）制备多孔模板，其具有细长线状的多个孔; （b）将纳米颗粒或纳米颗粒前体引入孔中; 和（c）从包含在孔中的纳米颗粒或纳米颗粒前体形成纳米线。 多孔模板由选自玻璃，二氧化硅和金属氧化物如TiO 2，ZnO，SnO 2和WO 3中的任何材料形成。 多孔模板嵌入由金属氧化物或绝缘聚合物制成的基体中。 多孔模板的直径为1nm至1mm，高度为100nm至1mm，每个孔的直径为1-100μm，孔之间的间距为2nm至1微米。

公开(公告)号：KR1020070053071A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020050111046

申请日：2005-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 설광수 ,  신웅철 ,  김병기 ,  이은경 ,  조경상

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7881

Abstract: 본 발명은 다층의 터널링층을 포함한 나노닷 메모리 소자의 구조에 관한 것으로, 제 1불순물 영역 및 제 2불순물 영역이 형성된 반도체 기판, 상기 제 1불순물 영역 및 제 2불순물 영역과 접촉하며, 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 반도체 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 구조체는, 제 1절연층; 상기 제 1절연층 상에 형성되며, 상기 제 1절연층의 전도대(conduction band)의 에너지 준위보다 낮으며, 상기 제 1절연층의 가전자대(valence band)의 에너지 준위보다 높은 물질로 형성된 제 2절연층; 상기 제 2절연층 상에 형성되며, 나노닷을 포함하는 전하 저장층; 상기 전하 저장층 상에 형성된 제 3절연층; 상기 제 3절연층 상에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층의 터널링층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070048943A

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：KR1020050106048

申请日：2005-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  최병룡 ,  설광수

IPC: H01L29/775 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669

Abstract: 본 발명은 SLS(solid-liquid-solid)법에 의해 금속 나노닷을 포함하는 제 1 나노 와이어를 제조하고, 이를 에칭하여 금속 나노닷을 노출시킨 후, 반응로에 넣고 가열하여 제 2 나노 와이어를 형성하는 것을 특징으로 하는 가지형(branched) 나노 와이어의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법에 따르면, 간단한 공정에 의해 균일한 간격으로 밀도 있게 가지가 형성된 나노 와이어를 제조할 수 있기 때문에 FET(Field Effect Transistor)와 같은 전자 소자, 센서, 광검출소자(photodetector), 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode) 및 레이저 다이오드(LD: Laser Diode) 등 다양한 분야에 효과적으로 적용할 수 있다.
가지형 나노 와이어, 금속 나노닷, SLS(solid-liquid-solid), VLS(vapor-liquid-solid)

公开(公告)号：KR100678216B1

公开(公告)日：2007-02-02

申请号：KR1020050035676

申请日：2005-04-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승아 ,  이은경 ,  원지현

IPC: H04B1/40

CPC classification number: G06T11/60

Abstract: 본 발명은 휴대단말기의 이미지상태 전환방법에 관한 것으로, 특히 휴대단말기에서 이전 이미지상태의 단계로 간편하게 전환할 수 휴대단말기의 이미지상태 전환방법에 관한 것이다. 이를 달성하기 위하여 휴대단말기의 이미지상태 전환방법이, 이미지에 이미지 효과가 적용될 때마다, 일정 식별자를 가지며 단계별로 이미지상태를 저장하는 과정과; 이미지단계별 편집이 선택되면, 일정 식별자를 가진 단계별 이미지상태를 표시하는 과정과; 일정 식별자가 선택되면, 상기 선택된 일정 식별자에 대응되는 단계의 이미지상태로 전환되어 표시하는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이미지 효과, 이미지 단계별편집, 이미지상태, 일정 식별자,

公开(公告)号：KR1020060116923A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：KR1020050039457

申请日：2005-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  이방린 ,  김주영 ,  이상윤 ,  정은정

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/30 ,  C09K3/00

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/122 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0545

Abstract: An organic polymer semiconductor, a method for forming an organic polymer semiconductor thin film using the same and an organic thin film transistor thereby are provided to reduce leakage current and to improve a charge mobility by using the organic polymer semiconductor itself as an organic active layer. An organic polymer semiconductor solution is used for forming a predetermined coating layer(6). The organic polymer semiconductor solution is represented by a predetermined chemical formula. A predetermined treatment is performed on the resultant structure to remove substituents from the predetermined coating layer. The predetermined treatment is performed by using heat or light.

Abstract translation: 提供有机聚合物半导体，由此形成有机聚合物半导体薄膜的方法和有机薄膜晶体管，以通过使用有机聚合物半导体本身作为有机活性层来减少泄漏电流并提高电荷迁移率。 使用有机聚合物半导体溶液来形成预定的涂层（6）。 有机聚合物半导体溶液由预定的化学式表示。 对所得结构进行预定处理以除去预定涂层的取代基。 通过使用热或光进行预定处理。

公开(公告)号：KR1020060094862A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：KR1020060009821

申请日：2006-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최병룡 ,  박완준 ,  이은경 ,  현재웅

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/8605

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/28026 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/8605

Abstract: 본 발명은 실리콘 나노 와이어, 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자 및 실리콘 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것이다. (가) 실리콘 기판 표면에 규칙적으로 형성된 다수의 마이크로 캐버티 형태를 포함하는 마세 굴곡을 형성시키는 단계; (나) 상기 기판 상에 나노 와이어 형성을 위한 촉매 작용을 하는 물질을 증착하여 금속층을 형성시키는 단계; (다) 상기 금속층을 가열함으로써, 상기 기판 표면의 미세 굴곡 내에 상기 금속층을 덩어리화하여 촉매를 형성시키는 단계; 및 (라) 상기 촉매와 상기 기판 사이에 나노 와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 실리콘 나노 와이어 제조 방법과 이에 의해 제조된 실리콘 나노 와이어 및 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자를 제공한다.