Abstract:
PURPOSE: A method for the improving sensitivity of sensors on the basis of a field-effect transistor using a signal amplification marker and an aptamer sandwich combination are provided to sense non-polar substances. CONSTITUTION: A method for the improving sensitivity of sensors senses non-polar substances which are hardly sensed by an existing carbon nanotube sensor. The method for the improving sensitivity of sensors additionally immobilizes substances with a charge to aptamers which combine with a sensing object and improves the sensitivity of the sensor by amplifying a sensor signal. The sensor signal is amplified and the sensitivity of the sensor is improved. [Reference numerals] (AA) Signal amplification marker; (BB) Label aptamer; (CC) Non-polar substance; (DD) Probe aptamer; (EE) Substrate
Abstract:
본 발명은 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판; 상기 기판 상부에 적층되고 광캐리어가 이동하는 그래핀 전도부; 상기 그래핀 전도부 상부에 형성되고 빛에너지를 흡수하여 전자-정공 쌍을 발생시키는 나노와이어 집광부; 및 상기 그래핀 전도부의 양측면에 각각 연결되어 광캐리어를 외부에 전달하는 금속전극;을 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 실리콘 기판에 그래핀층을 전사시킨 후 상기 그래핀층 상부에 촉매를 패터닝하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 그래핀층 상부에 패터닝된 촉매에 나노와이어 원료물질을 공급하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 1에서 전사된 그래핀층 양측면 각각에 금속전극을 제조하는 단계(단계 3);를 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본 발명은 산화물이 형성되어 있는 기판; 환원된 그래핀 산화물층; 금속전극; 산화물층; 금속 나노입자층; 및 게이트 전극으로 적층된 금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 환원된 그래핀 산화물에 기반한 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법은 소수성 분자막과 친수성 분자막을 이용하여 원하는 위치에 그래핀을 대량으로 정렬시키고 그래핀의 손상없이 기판에 증착시킬 수 있으며, 금속 나노입자를 이용하고 환원된 그래핀 산화물에 기반한 소자의 양쪽극 특성을 이용하여 전도도 스위칭 기억소자(conductivity-switching memory device) 및 타입-스위칭 메모리 소자(type-switching memory device) 등의 양쪽극 기억소자 및 이의 제조방법을 제공하므로, 메모리 소자 분야에 유용하게 이용할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a substrate for cell patterning using a carbon nanotube is provided to control cell dispersion on the substrate. CONSTITUTION: A method for manufacturing a substrate for cell patterning comprises: a step of preparing the substratea containing carbon nanotubes; a step of adhering cell adhesion protein on the carbon nanotube; and a step of culturing cells on the carbon nanotube. The substrate is SsiO_2, Al_2O_3, ZrO_2, HfO_2, Si, or glass. The cell adhesion protein is fibronecting, laminin, or collagen.
Abstract:
탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 감응성이 향상된 수은 이온 검지용 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고체 기판 위에 소수성 분자막을 패터닝하여 탄소나노튜브의 채널 폭이 100 - 400 ㎚ 범위인 기판을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 기판을 탄소나노튜브가 분산된 용액에 담궈, 소수성 분자막이 패터닝되지 않은 탄소나노튜브 채널에 탄소나노튜브를 증착시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 기판에 전극을 증착시키는 단계(단계 3)를 포함하는 탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법은 표면 유도 조립 방법(Surface Programmed Assembly)을 이용하여 탄소나노튜브 채널의 제조방법이 간단하고, 그물망처럼 얽힌 탄소나노튜브 채널을 제공하여 탄소나노튜브 채널의 전기적 특성(즉, 저항, 컨덕턴스, 트랜스 컨덕턴스)이 향상되므로, 뛰어난 감응성을 요하는 수은 이온 검지용 센서에 유용하게 사용할 수 있다. 탄소나노튜브, 소수성 분자막, 센서, 표면 유도 조립 방법, 감응성
Abstract:
본 발명은, (A)현미경 탐침의 팁을 덮도록 희생 물질막을 증착하는 단계와, (B)상기 희생 물질막이 증착된 상기 팁의 일 말단를 절삭(grinding)하여 첨단부를 형성하고 상기 팁의 첨단부에 증착된 희생 물질막을 제거하는 단계와, (C)상기 팁에 복수의 물질이 적층된 다중층을 형성하는 단계와, (D)상기 다중층이 형성된 팁을 식각(etching)하여 상기 팁의 첨단부 이외에 증착된 희생 물질막 및 상기 희생 물질막에 적층된 다중층을 제거하는 단계를 포함하는 현미경 탐침의 제조 방법을 제공한다. 이러한 제조 방법에 따라 제조된 현미경 탐침의 팁 상에 라만 증강을 가져올 수 있도록 복수의 물질이 적층된 구조의 다중층을 형성하는 과정을 통하여 선명도 및 분해능을 향상할 수 있게 한다.