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公开(公告)号：KR101465435B1
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020130083881
申请日：2013-07-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 자기정렬 강유전체를 포함하는 유기 태양전지가 개시된다. 자기정렬 강유전체를 포함하는 유기 태양전지는 기판; 기판 상에 위치된 하부 전극; 하부 전극층 상에 위치되고, 전자 수송층, 상기 전자수송층 상에 위치된 광 흡수층; 광흡수층 내부에 포함되어 자기정렬(self-aligned) 되어있는 강유전체; 및 광흡수층 상의 상부 전극을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种包括自对准铁电体的有机太阳能电池。 包括自对准铁电体的有机太阳能电池可以包括：基板; 设置在所述基板上的下电极; 设置在下电极层上的电子传输层; 设置在电子传输层上的光吸收层; 包含在光吸收层中的铁电体将被自对准; 以及在光吸收层上方的上电极。
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32.发明授权
公开(公告)号：KR101465346B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130074115
申请日：2013-06-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L41/18 , H01L41/047 , H01L41/187 , H01L41/193
Abstract: 압전 압전물질 및 중합체가 혼합된 복합체를 포함한 압전 에너지 발전 소자가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 압전 에너지 발전 소자는 제1전극층; 상기 제1전극층과 이격된 제2전극층; 및 상기 제1전극층과 상기 제2전극층 사이에 위치하고, 무기물 압전물질 및 유기물 중합체 매트릭스가 서로 혼합된 복합체인 압전체층을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种压电能量收集器，其包括压电材料和聚合物的复合材料。 根据本发明实施例的压电能量收集器包括第一电极层，与第一电极层分离的第二电极层和位于第一电极层和第二电极层之间的压电层，并且是 无机压电材料和有机聚合物基质的复合材料。
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公开(公告)号：KR1020140115814A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020130030982
申请日：2013-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/12 , B32B15/04 , H01L29/786
CPC classification number: B32B15/04 , B32B2457/00 , C23C16/342 , C23C28/34 , H01L21/02458 , Y10T428/31678 , H01L23/14 , H01L29/78603
Abstract: A substrate assembly, a method for forming the same, and an electronic device comprising the same are provided. The substrate assembly and the method for forming the same do not require an additional transfer process, minimize damage of a boron nitride sheet and easily control the number of layers of hexagonal boron nitride sheets as included are the hexagonal boron nitride sheets directly combined to a surface of the substrate.
Abstract translation: 提供了一种基板组件，其形成方法以及包括该基板组件的电子设备。 衬底组件及其形成方法不需要额外的转印工艺，使氮化硼片材的损伤最小化并且容易控制六方氮化硼片材的层数，包括直接组合到表面的六方氮化硼片材 的基底。
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公开(公告)号：KR1020140052517A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118666
申请日：2012-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B21/064 , H01L21/203
Abstract: A hexagonal boron nitride sheet and a direct growth method thereof are provided, and according to the direct growth method, by directly growing boron nitride sheets on a substrate and then improving the crystallizability, an additional transcription process is not required thereby minimizing damage of the boron nitride sheet.
Abstract translation: 提供六方氮化硼片及其直接生长方法，根据直接生长法，通过在基片上直接生长氮化硼片，然后提高结晶性，不需要额外的转录过程，从而使硼的损伤最小化 氮化物片。
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公开(公告)号：KR101325575B1
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020110145045
申请日：2011-12-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 환원 전위차를 이용한 그래핀의 선택적 식각방법으로 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 그래핀 상에 금속 박막을 증착시켜 막 형태의 금속층을 형성하는 제 1 단계; 상기 막 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 진공 하에서 열 처리하여 그래핀 상에 입자 형태의 금속층을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 입자 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 대기 분위기 하에서 열 처리하여 입자 형태의 금속과 접촉된 그래핀 부분을 식각하는 제 3 단계;를 포함하는 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101292643B1
公开(公告)日：2013-08-02
申请号：KR1020110109863
申请日：2011-10-26
Applicant: 한국과학기술연구원 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H05K9/0081 , B32B9/005 , B32B9/007 , B32B9/04 , B32B9/045 , B32B2307/206 , B32B2307/212 , B32B2457/00 , C01B32/186 , C01B32/194 , H05K1/0201 , H05K1/0216 , H05K9/0088 , H05K13/00 , H05K2201/0323
Abstract: 본 발명은 외부의 전자기기로부터 방출된 전자기파를 차단하거나 전자기기 내부에서 발생된 전자기파를 외부로 방출하는 것을 방지할 목적뿐만 아니라 기기 내부의 전송회로 간에서의 간섭, 또는 외부 전파에 의한 오작동 등의 영향을 줄이기 위하여 고안된 노이즈 대책용 플렉서블 감쇄 필름 및 그를 포함하는 전자기 소자, 회로기판에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130063410A
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020110129913
申请日：2011-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B35/08
CPC classification number: C01B21/064 , C01B21/0646 , C01P2004/24 , C01P2004/60 , C30B25/165 , C30B29/40 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L29/1606 , H01L29/267 , H01L29/518 , H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A hexagonal boron nitride sheet, a manufacturing method thereof, a laminated structure including the same, and an electrical device including the same are provided to be able to manufacture hexagonal boron nitride with a high definition and a large area. CONSTITUTION: A hexagonal boron nitride sheet is a two-dimensional planar structure in which a B-N bond is a sp^2 covalent bond, and the interlayer bond is a Van der Waals bond. The hexagonal boron nitride sheet has a root mean square surface roughness of about 2.00nm or less, the length of the transverse or longitudinal direction of 1mm or more. A manufacturing method of the hexagonal boron nitride sheet comprises the following steps: a step of obtaining a metallic catalyst having a sheet form with an increased grain size by a first heat treatment within a chamber; and a step of producing hexagonal boron nitride in a sheet form by a second heat treatment while supplying a nitrogen source and a boron source in a gas phase to a chamber.
Abstract translation: 目的：提供六方氮化硼片，其制造方法，包括该六方氮化硼片的叠层结构和包含该六方氮化硼的层状结构，能够制造具有高清晰度和大面积的六方氮化硼。 构成：六方氮化硼片是二维平面结构，其中B-N键是sp 2共价键，并且层间键是范德华键。 六方氮化硼片具有约2.00nm以下的均方根粗糙度，横向或纵向的长度为1mm以上。 六方氮化硼片的制造方法包括以下步骤：在室内通过第一热处理获得具有增加的晶粒尺寸的片状金属催化剂的步骤; 以及通过第二次热处理以氮气源和硼源将气态相对于室供给的方式制造片状的六方氮化硼的工序。
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38.发明公开코어-셸 구조의 ＺｎＳｎＯ3/ＺｎＯ 나노와이어, ＺｎＳｎＯ3/ＺｎＯ 나노와이어의 그 형성방법 및 ＺｎＳｎＯ3/ＺｎＯ 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자와, ＺｎＳｎＯ3 나노와이어의 그 형성방법 및 ＺｎＳｎＯ3 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자 审中-实审具有核壳结构的ZNSNO 3 / ZNO纳米颗粒，形成ZNSNO 3 / ZNO纳米线的方法和包括ZNSNO 3 / ZNO NANOWIRE的纳米发生器，以及形成ZNSNO3纳米线和包括ZNSNO3纳米线的纳米发生器的方法
公开(公告)号：KR1020130016674A
公开(公告)日：2013-02-18
申请号：KR1020110078747
申请日：2011-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02645 , H01L21/0237 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L41/113 , H01L41/18
Abstract: PURPOSE: A ZnSnO3/ZnO(zinc stannate/zinc oxide) nanowire in a core-shell structure is provided to have excellent piezoelectric characteristic by containing ZnSnO3 in a perovskite crystalline structure, and to apply a nano power-generating device to an environment-friendly field or within the human body. CONSTITUTION: A ZnSnO3/ZnO nanowire(500) includes a core-shell structure formed with a core(510) and a shell(520). The core contains ZnSnO3 and the shell contains ZnO. The ZnSnO3 has a perovskite crystalline structure, and the ZnO has a hexagonal crystalline structure. The ZnSnO3/ZnO nanowire is formed by a thermal chemical vapor deposition(thermal CVD) method. A producing method of the ZnSnO3/ZnO nanowire comprises the following steps: mixing ZnO powder, SnO powder, and carbon powder in a determined ratio; separately inserting the mixed powder and a substrate into a furnace; and heating the mixed powder for growing the ZnSnO3/ZnO nanowire on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供核 - 壳结构中的ZnSnO 3 / ZnO（锌酸锌/氧化锌）纳米线，以通过在钙钛矿晶体结构中含有ZnSnO 3而具有优异的压电特性，并将纳米发电装置应用于环境友好 场或人体内。 构成：ZnSnO 3 / ZnO纳米线（500）包括由芯（510）和壳（520）形成的核 - 壳结构。 核心包含ZnSnO 3，壳体含有ZnO。 ZnSnO 3具有钙钛矿晶体结构，ZnO具有六方晶系结构。 ZnSnO 3 / ZnO纳米线通过热化学气相沉积（热CVD）法形成。 ZnSnO3 / ZnO纳米线的制备方法包括以下步骤：以确定的比例混合ZnO粉末，SnO粉末和碳粉末; 将混合粉末和基材分别插入炉中; 并加热用于在衬底上生长ZnSnO 3 / ZnO纳米线的混合粉末。
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公开(公告)号：KR1020120081935A
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020110145045
申请日：2011-12-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0009 , B82B3/0038 , C23C16/06
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a graphene film with a porous nano-structure is provided to simply implement manufacturing processes based on a galvanic corrosion phenomenon between a metal film and graphene. CONSTITUTION: A method for manufacturing a graphene film with a porous nano-structure includes the following: a metal thin film is deposited on graphene to form a film-shaped metal layer; the graphene with the film-shaped metal layer is thermally treated under a vacuum state to form a granule-shaped metal layer on the graphene; and the graphene with the granule-shaped metal layer is thermally treated under an atmospheric condition to etch the part of the graphene in contact with a granule-shaped metal. In the film-shaped metal layer forming process, the standard reduction potential of the metal is higher than the standard reduction potential of the graphene; and the metal is Ag or Au.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有多孔纳米结构的石墨烯膜的方法，以简单地实现基于金属膜和石墨烯之间的电偶腐蚀现象的制造工艺。 构成：用于制造具有多孔纳米结构的石墨烯膜的方法包括以下：在石墨烯上沉积金属薄膜以形成膜状金属层; 在真空状态下对具有膜状金属层的石墨烯进行热处理，以在石墨烯上形成颗粒状金属层; 并且在大气条件下对具有颗粒状金属层的石墨烯进行热处理，以蚀刻与颗粒状金属接触的部分石墨烯。 在膜状金属层形成工序中，金属的标准还原电位高于石墨烯的标准还原电位; 金属是Ag或Au。
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公开(公告)号：KR1020120010776A
公开(公告)日：2012-02-06
申请号：KR1020100072332
申请日：2010-07-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H02N11/002 , H01L31/054 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A 3D fusion power harvester is provided to use solar energy and consumable energy existing around the solar energy at the same time by fusing a nano-electric power device and organic and inorganic hybrid solar batteries. CONSTITUTION: A 3D fusion power harvester comprises optical fiber(1), a first electrode(10) which is composed of transparent conducting oxide, a nano-wire(14) which is composed of materials having piezoelectric characteristics, and a second electrode(20) facing to the first electrode. The optical fiber is composed of a core of center and cladding(5) around the core. The core is formed into materials having a high refractive index. The cladding is formed into materials having a low refractive index. A seed layer(12) is formed on the surface of the first electrode. The seed layer grows up the nano-wire and secludes a hole which is generated in an organic compound active layer(16).
Abstract translation: 目的：通过融合纳米电力设备和有机和无机混合太阳能电池，同时提供3D融合动力收割机，同时利用太阳能周围的太阳能和消耗能量。 构成：3D融合动力收割机包括光纤（1），由透明导电氧化物构成的第一电极（10），由具有压电特性的材料构成的纳米线（14）和第二电极（20 ）面向第一电极。 光纤由围绕芯的中心和包层（5）的核心组成。 芯被形成为具有高折射率的材料。 包层形成具有低折射率的材料。 种子层（12）形成在第一电极的表面上。 种子层在纳米线上生长并且隐藏在有机化合物活性层（16）中产生的孔。
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