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公开(公告)号：KR102236049B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020140084463A
申请日：2014-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는, 기판으로부터 돌출되고, 일방향으로 연장된 하부 핀(fin), 상기 하부 핀 상에 형성된 산화막, 상기 산화막으로부터 돌출되고, 상기 하부 핀과 대응되는 위치 상에 상기 하부 핀과 이격되어 형성된 상부 핀, 및 상기 상부 핀 상에, 상기 상부 핀과 교차하는 방향으로 형성된 게이트 구조물을 포함하되, 상기 산화막은 Ge를 포함한다.
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公开(公告)号：KR20210033842A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020190115645A
申请日：2019-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04W52/28 , H04B1/3827 , H04W52/24 , H04W88/02
CPC classification number: H04W52/28 , H04B1/3838 , H04W52/245 , H04W88/02
Abstract: 본 발명의 다양한 실시예는 전자 장치가 송신 전력을 제어하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은, 안테나를 통해 외부 장치와 무선 통신하는 동안에 그립 센서를 이용해 인체의 근접을 감지하는 동작, 상기 인체의 근접을 감지하면, 상기 안테나를 이용하여 지정된 영역과 기준 거리 이내에 상기 인체가 근접한 상태인지 결정하는 동작, 상기 지정된 영역과 기준 거리 이내에 상기 인체가 근접한 상태가 아니면 제 1 제어 정보에 기반하여 상기 안테나를 통해 송신되는 신호의 전력을 낮추는 동작, 및 상기 지정된 영역과 기준 거리 이내에 상기 인체가 근접한 상태이면 제 2 제어 정보에 기반하여 상기 신호의 전력을 낮추는 동작을 포함하고, 상기 제 2 제어 정보는 상기 제 1 제어 정보와는 다를 수 있다. 본 발명은 그 밖에 다양한 실시예를 더 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210033758A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020190115449A
申请日：2019-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W52/0296 , G06F1/263 , G06F1/28 , G06F1/30 , H04B1/005 , H04B1/50 , H04B5/0037 , H04W52/0251 , G06F1/3212
Abstract: 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 예를 들면, 제1 배터리; 적어도 하나의 제2 배터리; 상기 제1 배터리의 용량 정보를 모니터링하는 전력 관리 모듈; 및 상기 제1 배터리, 상기 적어도 하나의 제2 배터리, 및 상기 전력 관리 모듈과 전기적으로 연결되는 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 제1 배터리를 통해 상기 전자 장치가 구동되는 동안, 지정된 이벤트 또는 상기 제1 배터리의 전압이 기준치 이하로 떨어지는 저전력 상태의 발생 여부를 모니터링하고, 상기 지정된 이벤트의 발생 또는 상기 제1 배터리가 상기 저전력 상태에 해당하는지를 결정하고, 및 상기 지정된 이벤트가 발생한 경우 또는 상기 제1 배터리가 상기 저전력 상태인 경우에 해당된다는 결정에 기반하여, 상기 제1 배터리와 상기 적어도 하나의 제2 배터리 중 적어도 하나를 병렬 연결하도록 설정될 수 있다. 그 밖의 다양한 실시 예들이 가능하다.
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公开(公告)号：KR20210031309A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020190113092A
申请日：2019-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09F9/301 , H04B1/3833 , G06F1/1641 , G06F1/1652 , G06F3/041 , H01Q1/243 , H01Q1/521 , H01Q21/0025 , H01Q21/28 , H04M1/0216 , H04M1/0245 , H04M1/026 , H04M1/0268 , H04M2250/12
Abstract: 전자 장치가 개시된다. 전자 장치는 제1 측면 부재를 포함하는 제1 하우징 구조, 제2 측면 부재를 포함하는 제2 하우징 구조, 및 제1 하우징 구조와 상기 제2 하우징 구조를 연결하는 힌지 구조를 포함하는 하우징과 제1 측면 부재 및 제2 측면 부재와 전기적으로 연결되는 통신 모듈을 포함하고, 제1 측면 부재는 제1 안테나 그룹으로서 제1 도전성 부재, 제1 도전성 부재와 이격되어 배치되는 제2 도전성 부재, 제1 도전성 부재 및 제2 도전성 부재 사이에 배치되는 제1 비도전성 부재와, 제2 안테나 그룹으로서 제1 도전성 부재와 대응되도록 제1 측면 부재의 가장자리 중 힌지 구조에 인접한 가장자리에 배치되는 제3 도전성 부재, 제2 도전성 부재를 마주보고 제3 도전성 부재와 이격되어 배치되는 제4 도전성 부재, 및 제3 도전성 부재와 제4 도전성 부재 사이에 배치되는 제2 비도전성 부재를 포함할 수 있다. 다른 실시 예가 가능하다.
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公开(公告)号：WO2023063544A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/KR2022/011092
申请日：2022-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/135 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1335
Abstract: 디스플레이 장치는 제1 필름; 제2 필름; 상기 제1 필름과 상기 제2 필름 사이에 마련되고, 상기 제1 필름의 에지 및 제2 필름의 에지보다 제1 방향으로 돌출된 제1 돌출 부분을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 필름과 상기 제2 필름 사이에 마련되고, 상기 제1 기판의 에지에서 상기 제1 방향으로 더욱 돌출된 제2 돌출 부분을 포함하는 제2 기판; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 마련되는 액정 층; 상기 제1 필름의 에지에서 상기 제1 방향으로 연장되는 커버; 상기 커버와 상기 제1 기판의 제1 돌출 부분에 마련되고 상기 커버를 상기 제1 돌출 부분에 부착하는 광 경화 물질; 및 상기 커버의 표면의 적어도 일부에 마련되고 광에 의하여 흑화된 흑화 물질을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2023033401A1
公开(公告)日：2023-03-09
申请号：PCT/KR2022/012054
申请日：2022-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 개시된 발병의 일 측면에 의한, 조리 장치는, 온도 센서; 제1 히터 및 제2 히터를 포함하는 복수의 히터; 전력 회로; 배터리; 온도 센서, 상기 제1 히터, 상기 제2 히터, 상기 전력 회로 및 상기 배터리에 전기적으로 연결된 전력 네트워크; 및 상기 전력 네트워크와 전기적으로 연결된 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 프로세서는, 상기 전력 회로에서 상기 제1 히터 및 상기 제2 히터 중 어느 하나에 전력을 공급하도록 상기 전력 네트워크를 제어하고, 상기 온도 센서의 출력 신호에 기초하여 상기 전력 회로 및 상기 배터리에서 상기 제1 히터 및 상기 제2 히터에 전력을 공급하도록 상기 전력 네트워크를 제어할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101920730B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020110078747
申请日：2011-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02645 , H01L21/0237 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L41/113 , H01L41/18
Abstract: ZnSnO/ZnO 나노와이어, ZnSnO/ZnO 나노와이어의그 형성방법및 ZnSnO/ZnO 나노와이어를포함하는나노발전소자와, ZnSnO나노와이어의그 형성방법및 ZnSnO나노와이어를포함하는나노발전소자가개시된다. 개시된 ZnSnO/ZnO 나노와이어는코어(core)와상기코어를둘러싸는셸(shell)로구성된코어-셸구조를가지며, 상기코어는 ZnSnO를포함하고, 상기셸은 ZnO를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160075093A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140184629
申请日：2014-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/047
CPC classification number: H02N2/18 , H01L41/113 , H01L41/183 , H01L41/37 , H01L51/4213 , H01L2251/301 , H02S10/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L41/08 , H01L41/047 , H01L41/18 , H01L41/22
Abstract: 에너지발생장치및 그제조방법을제공한다. 상기에너지발생장치는제1 전극, 상기제1 전극위에위치하고규칙적으로배열되어있는복수의패턴을가지는금속층, 상기금속층위에위치하는유기물층, 그리고상기제1 전극및 유기물층 사이에위치하는압전체층을포함한다.
Abstract translation: 提供一种能够通过施加均匀尺寸和排列的压电层更有效地收获能量的能量产生装置及其制造方法。 能量产生装置包括：第一电极; 包括位于所述第一电极上的多个图案的均匀布置的金属层; 位于金属层上的有机材料层; 以及位于第一电极和有机材料层之间的压电体层。
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公开(公告)号：KR1020130064484A
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020110131118
申请日：2011-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B19/004 , B01J23/52 , C01P2004/16
Abstract: PURPOSE: A TeO2 nanowire forming method is provided to control the diameter and speed of growth to gain regular TeO2 nanowire with a small diameter. CONSTITUTION: A TeO2 nanowire forming method comprises the following steps. In a chamber(100) for growth, gold(Au) coated plate(110) and a tellurium(Te) source are arranged but they are not connected. The inside of the chamber is heated at a temperature over 330°C and below 400°C to grow TeO2 nanowire(150) on the plate. The distance from the plate to the tellurium is 1-10mm. The tellurium source is powder type and is prepared on a plate(120).
Abstract translation: 目的：提供TeO2纳米线形成方法来控制生长的直径和速度，以获得具有小直径的规则TeO 2纳米线。 构成：TeO2纳米线形成方法包括以下步骤。 在用于生长的室（100）中，布置金（Au）涂覆板（110）和碲（Te）源，但是它们不连接。 将室内加热至330℃以上且低于400℃，以在板上生长TeO 2纳米线（150）。 从板到碲的距离为1-10mm。 碲源是粉末类型，并在板（120）上制备。
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公开(公告)号：KR101769459B1
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：KR1020110079717
申请日：2011-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L41/02 , H01L41/16 , H01L41/047
CPC classification number: H01L41/45 , H01L41/1136 , H01L41/193 , H02N2/18 , H02N11/002 , Y10T29/42
Abstract: 개시된나노발전소자는유기압전재료를포함하는적어도하나의나노구조물을구비할수 있다. 그리고, 개시된나노발전소자의제조방법은기판상에유기압전재료를포함하는적어도하나의나노구조물을형성하는단계를포함할수 있다.
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