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公开(公告)号：KR1020140080204A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：KR1020120149751
申请日：2012-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01G23/047 , B01J2/00 , B01J6/00
Abstract: The present invention provides a method for manufacturing doped mesoporous titanium dioxide (TiO_2) microsphere particles that can mass-produce mesoporous titanium dioxide (TiO_2) microsphere particles effectively doped with a metallic or non-metallic material. According to the manufacturing method, Ti precursor-based mesoporous microsphere particles, which have the size of the pores expanded, are impregnated with a solution containing a doping material precursor, so that the doping material precursor can be easily filled into the expanded pores of the Ti precursor-based mesoporous microsphere particles even if the molecular size of the doping material precursor such as zinc acetate is relatively large.
Abstract translation: 本发明提供了可以大量生产有效掺杂金属或非金属材料的介孔二氧化钛（TiO_2）微球颗粒的掺杂介孔二氧化钛（TiO_2）微球颗粒的制造方法。 根据制造方法，将具有膨胀孔的尺寸的Ti前体基介孔微球颗粒用含有掺杂材料前体的溶液浸渍，使得掺杂材料前体可以容易地填充到 即使掺杂材料前体如乙酸锌的分子尺寸相对较大，Ti前体基介孔微球颗粒也是如此。
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公开(公告)号：KR1020130056016A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121734
申请日：2011-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a sodium vanadate nanowire is provided to simply manufacture a sodium vanadate nanowire in high quality single crystal by controlling the spreading thickness of a precursor solution, heat treatment temperature, and/or time. CONSTITUTION: A manufacturing method of a sodium vanadate nanowire comprises: a step of spreading a solution(20) containing sodium and vanadium on a substrate(30); a step of forming a sodium vanadate crystal core by heat-treating the substrate; and a step of heat-treating the substrate to grow the sodium vanadate nanowire from the sodium vanadate core. The solution contains 1-6 mols of vanadium per 1 mol of sodium. The substrate is an electric conductive substrate or electric nonconductive substrate. The spreading thickness of the solution is 10-1,000nm. The first heat treatment is conducted at 70-130 deg. C and the second heat treatment is conducted at 300-600 deg. C.
Abstract translation: 目的：提供钒酸钠纳米线的制造方法，通过控制前体溶液的铺展厚度，热处理温度和/或时间简单地制造高品质单晶的钒酸钠纳米线。 构成：钒酸钠纳米线的制造方法包括：将含有钠和钒的溶液（20）撒在基材（30）上的步骤; 通过对基材进行热处理形成钒酸钠晶体核心的步骤; 以及对底物进行热处理以从钒酸钠核心生长钒酸钠纳米线的步骤。 该溶液每1mol钠含有1-6摩尔的钒。 衬底是导电衬底或电非导电衬底。 溶液的铺展厚度为10-1000nm。 第一次热处理在70-130度进行。 并且第二热处理在300-600度进行。 C。
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公开(公告)号：KR101769459B1
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：KR1020110079717
申请日：2011-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L41/02 , H01L41/16 , H01L41/047
CPC classification number: H01L41/45 , H01L41/1136 , H01L41/193 , H02N2/18 , H02N11/002 , Y10T29/42
Abstract: 개시된나노발전소자는유기압전재료를포함하는적어도하나의나노구조물을구비할수 있다. 그리고, 개시된나노발전소자의제조방법은기판상에유기압전재료를포함하는적어도하나의나노구조물을형성하는단계를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130017343A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110079717
申请日：2011-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L41/02 , H01L41/16 , H01L41/047
CPC classification number: H01L41/45 , H01L41/1136 , H01L41/193 , H02N2/18 , H02N11/002 , Y10T29/42
Abstract: PURPOSE: A nano generator and a method for manufacturing the same are provided to change vibration to electric energy by using a nanostructure having excellent piezoelectric characteristic. CONSTITUTION: A nano electric generator includes a substrate, a first electrode(130), a second electrode(120) and a nanostructure(140). The first electrode is separated from the substrate. The second electrode is formed on the substrate. The nanostructure is formed between the substrate and the first electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种纳米发生器及其制造方法，其通过使用具有优异的压电特性的纳米结构将振动改变为电能。 构成：纳米发电机包括衬底，第一电极（130），第二电极（120）和纳米结构（140）。 第一电极与衬底分离。 第二电极形成在基板上。 在衬底和第一电极之间形成纳米结构。
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5.发明公开코어-셸 구조의 ＺｎＳｎＯ3/ＺｎＯ 나노와이어, ＺｎＳｎＯ3/ＺｎＯ 나노와이어의 그 형성방법 및 ＺｎＳｎＯ3/ＺｎＯ 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자와, ＺｎＳｎＯ3 나노와이어의 그 형성방법 및 ＺｎＳｎＯ3 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자 审中-实审具有核壳结构的ZNSNO 3 / ZNO纳米颗粒，形成ZNSNO 3 / ZNO纳米线的方法和包括ZNSNO 3 / ZNO NANOWIRE的纳米发生器，以及形成ZNSNO3纳米线和包括ZNSNO3纳米线的纳米发生器的方法
公开(公告)号：KR1020130016674A
公开(公告)日：2013-02-18
申请号：KR1020110078747
申请日：2011-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02645 , H01L21/0237 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L41/113 , H01L41/18
Abstract: PURPOSE: A ZnSnO3/ZnO(zinc stannate/zinc oxide) nanowire in a core-shell structure is provided to have excellent piezoelectric characteristic by containing ZnSnO3 in a perovskite crystalline structure, and to apply a nano power-generating device to an environment-friendly field or within the human body. CONSTITUTION: A ZnSnO3/ZnO nanowire(500) includes a core-shell structure formed with a core(510) and a shell(520). The core contains ZnSnO3 and the shell contains ZnO. The ZnSnO3 has a perovskite crystalline structure, and the ZnO has a hexagonal crystalline structure. The ZnSnO3/ZnO nanowire is formed by a thermal chemical vapor deposition(thermal CVD) method. A producing method of the ZnSnO3/ZnO nanowire comprises the following steps: mixing ZnO powder, SnO powder, and carbon powder in a determined ratio; separately inserting the mixed powder and a substrate into a furnace; and heating the mixed powder for growing the ZnSnO3/ZnO nanowire on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供核 - 壳结构中的ZnSnO 3 / ZnO（锌酸锌/氧化锌）纳米线，以通过在钙钛矿晶体结构中含有ZnSnO 3而具有优异的压电特性，并将纳米发电装置应用于环境友好 场或人体内。 构成：ZnSnO 3 / ZnO纳米线（500）包括由芯（510）和壳（520）形成的核 - 壳结构。 核心包含ZnSnO 3，壳体含有ZnO。 ZnSnO 3具有钙钛矿晶体结构，ZnO具有六方晶系结构。 ZnSnO 3 / ZnO纳米线通过热化学气相沉积（热CVD）法形成。 ZnSnO3 / ZnO纳米线的制备方法包括以下步骤：以确定的比例混合ZnO粉末，SnO粉末和碳粉末; 将混合粉末和基材分别插入炉中; 并加热用于在衬底上生长ZnSnO 3 / ZnO纳米线的混合粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101920730B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020110078747
申请日：2011-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02645 , H01L21/0237 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L41/113 , H01L41/18
Abstract: ZnSnO/ZnO 나노와이어, ZnSnO/ZnO 나노와이어의그 형성방법및 ZnSnO/ZnO 나노와이어를포함하는나노발전소자와, ZnSnO나노와이어의그 형성방법및 ZnSnO나노와이어를포함하는나노발전소자가개시된다. 개시된 ZnSnO/ZnO 나노와이어는코어(core)와상기코어를둘러싸는셸(shell)로구성된코어-셸구조를가지며, 상기코어는 ZnSnO를포함하고, 상기셸은 ZnO를포함한다.
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公开(公告)号：KR100601945B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020040016271
申请日：2004-03-10
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 전기적 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있게 전도성을 갖는 소재로 30마이크로미터 이하의 폭을 갖는 크기의 셀을 상호 이격되게 격자형태로 형성된 격자셀층과, p형클래드층 표면을 보호할 수 있도록 적어도 셀 사이 영역을 커버할 수 있게 p형클래드층 위에 형성된 표면 보호층과, 표면 보호층과 격자셀층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층을 구비한다. 이러한 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 높은 빛 투과성을 제공하여 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050090919A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：KR1020040016271
申请日：2004-03-10
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 전기적 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있게 전도성을 갖는 소재로 30마이크로미터 이하의 폭을 갖는 크기의 셀을 상호 이격되게 격자형태로 형성된 격자셀층과, p형클래드층 표면을 보호할 수 있도록 적어도 셀 사이 영역을 커버할 수 있게 p형클래드층 위에 형성된 표면 보호층과, 표면 보호층과 격자셀층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층을 구비한다. 이러한 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 높은 빛 투과성을 제공하여 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR101059563B1
公开(公告)日：2011-08-26
申请号：KR1020040020998
申请日：2004-03-27
IPC: H01L33/22
Abstract: ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체의 전극층 제조방법이 개시된다. 개시된 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체의 전극층 제조방법은, p-GaN 층 상에 다수의 홀들이 형성된 템플레이트를 배치하는 단계와, 상기 템플레이트의 상방으로부터 상기 템플레이트에 의해 노출된 상기 p-GaN 층 상에 다수의 도트를 증착하는 단계와, 상기 p-GaN 층 상에서 상기 도트들을 덮는 제1전극층을 증착하는 단계를 구비한다.
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10.发明公开금속 산화물 반도체의 성장 결정면 제어방법 및 제어된 성장 결정면을 가지는 금속 산화물 반도체 구조물 审中-实审用于控制金属氧化物半导体的生长晶体平面的方法和具有控制生长晶体平面的金属氧化物半导体结构
公开(公告)号：KR1020140063299A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120130505
申请日：2012-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , H01L27/14 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02609 , B82Y10/00 , H01B1/08 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L29/04 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/22
Abstract: Disclosed is a method for controlling the growth crystallographic plane of metal oxide semiconductor which has a wurtzite crystallographic structure by using a thermal CVD method. In the disclosed method for controlling the growth crystallographic plane of the metal oxide semiconductor, the growth crystallographic plane can be controlled by growing the metal oxide semiconductor in a nonpolar direction by using a source material which includes a thermal decomposition material which reduces the surface energy of the polar surface of the metal oxide semiconductor.
Abstract translation: 公开了一种通过使用热CVD法控制具有纤锌矿晶体结构的金属氧化物半导体的生长晶面的方法。 在所公开的用于控制金属氧化物半导体的生长结晶面的方法中，通过使用包含热分解材料的源材料，可以通过在非极性方向上生长金属氧化物半导体来控制生长晶面， 金属氧化物半导体的极性表面。
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