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公开(公告)号：KR1020140070680A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120119419
申请日：2012-10-26
Applicant: 에쓰대시오일 주식회사 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01G11/22
Abstract: The present invention relates to an electrode for a supercapacitor and a manufacturing method thereof. A metal oxide layer which is electrodeposited with a metal oxide solution which includes metal oxide and auxiliary electrolyte is formed in a conductive electrode substrate and at least one surface of a conductive electrode, thereby reducing process steps compared to an existing process, improving the non-capacitance of the electrode, and reducing the electrodeposition time of the metal oxide as well.
Abstract translation: 本发明涉及一种超级电容器用电极及其制造方法。 在导电电极基板和导电电极的至少一个表面上形成电解沉积金属氧化物溶液和金属氧化物和辅助电解质的金属氧化物层，与现有方法相比，减少了工艺步骤， 电极的电容，以及还原金属氧化物的电沉积时间。
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32.发明公开
公开(公告)号：KR1020130140946A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020120052519
申请日：2012-05-17
Applicant: 에쓰대시오일 주식회사 , 아주대학교산학협력단
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a metal oxide/graphite electrode for a super capacitor, including a step for electrochemically electrodepositing a metal oxide layer on graphite. According to the present invention, the manufacturing method has a simple manufacturing process and reduces process costs at the same time because the method manufactures a metal oxide/graphite composite electrode and uses the manufactured result as an electrode by electrodepositing a metal oxide directly on graphite unlike an electrode manufacturing method using an existing conductive agent and binder. Moreover, the method can be used in various fields including a super capacitor and a secondary battery by enabling the manufacture of an electrode having more improved function by variously adjusting the kind, size, and thickness of the metal oxide electrodeposited on the graphite electrode. [Reference numerals] (AA) Working electrode;(BB) Reference electrode;(CC) Macroelectrode
Abstract translation: 本发明涉及一种用于超级电容器的金属氧化物/石墨电极的制造方法，其包括在石墨上电化学电沉积金属氧化物层的步骤。 根据本发明，由于该方法制造金属氧化物/石墨复合电极，所以制造方法具有简单的制造工艺并且同时降低了工艺成本，并且通过直接在石墨上电沉积金属氧化物将制造结果用作电极而不同于 使用现有导电剂和粘合剂的电极制造方法。 此外，通过各种调节电沉积在石墨电极上的金属氧化物的种类，尺寸和厚度，能够制造具有更好功能的电极，可以在包括超级电容器和二次电池的各种领域中使用该方法。 （标号）（AA）工作电极;（BB）参比电极;（CC）大电极
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公开(公告)号：KR1020170024952A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150120640
申请日：2015-08-27
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 스마트전자 주식회사
Abstract: 서지흡수장치의제조방법이개시된다. 서지흡수장치를제조하기위해, 세라믹튜브의내부관통공간이노출되는단부면에도금층을형성한후 브레이징링을이용하여도금층에밀봉전극을부착할수 있다. 이때, 도금층은세라믹튜브의단부면을식각한후 무전해도금촉매층을형성하고, 이어서세라믹튜브의단부면에무전해도금의방법으로금속층을형성한후 이를열처리함으로써형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于制造浪涌吸收装置的方法。 为了制造浪涌吸收装置，可以在暴露内部通孔的陶瓷管的端面上形成镀层，然后使用钎焊环将密封电极附着到镀层上。 此时，可以如下形成镀层：在蚀刻陶瓷管的端面之后形成化学镀催化剂层; 根据化学镀在陶瓷管的端面上形成金属层; 之后对金属层进行热处理。
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公开(公告)号：KR101573780B1
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020130154754
申请日：2013-12-12
Applicant: 에쓰대시오일 주식회사 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01G11/22
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 본발명은다성분계금속산화물을포함하는전극물질이전착된커패시터용전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 다성분계금속산화물을전극물질로사용함으로서종래고가의단일성분으로구성된금속산화물슈퍼커패시터를대체할수 있는전극의개발이가능하고, 종래도전제와바인더를사용하여전극을제조하는방법에서벗어나전극을그대로사용할수 있기때문에공정의단계를개선함과동시에공정비용을감소시키는효과를달성할수 있을뿐만아니라, 본발명의제조방법을이용하여니켈, 코발트, 망간으로이루어진삼성분계금속산화물이외에도슈퍼커패시터후보물질인다른금속산화물을전착시킬수 있으므로리튬이온이차전지의전극개발에도유용하게이용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101263666B1
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110074044
申请日：2011-07-26
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/28
Abstract: 본발명에따른반도체장치의콘택홀형성방법은절연막이형성된반도체기판상에마스크패턴을형성하는제1단계; 상기마스크의벽면및 상부에불화탄소함유플라즈마를이용하여제1 보호막을증착하는제2단계; 상기제1 보호막을식각마스크로하여불화탄소함유플라즈마를이용하여상기절연막을식각하여콘택홀을형성하는제3단계; 및상기제1보호막과콘택홀벽에불화탄소함유플라즈마를이용하여제2 보호막을증착하는제4단계를포함하고, 상기제1단계의마스크패턴은무정형탄소막(amorphous carbon layer, ACL) 이며, 상기제3단계와상기제4단계는순차적으로 2회이상반복하는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130012717A
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：KR1020110074044
申请日：2011-07-26
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76831
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact hole in a semiconductor device is provided to control deposition time and easily control the diameter of a contact hole. CONSTITUTION: An amorphous carbon layer mask pattern is formed on a semiconductor substrate(S1). A first protection film is deposited on the wall and the upper part of the mask by using plasma including carbon fluoride(S2). An insulating layer is etched using the plasma to form a contact hole(S3). A second protection film is deposited on the first protection film and the wall of the contact hole(S4) by using the plasma. [Reference numerals] (S1) Forming an ACL mask; (S2,S4) Depositing a plasma protective film; (S3) Etching plasma
Abstract translation: 目的：提供一种在半导体器件中形成接触孔的方法，以控制沉积时间并容易地控制接触孔的直径。 构成：在半导体衬底上形成无定形碳层掩模图案（S1）。 通过使用包含氟化碳的等离子体（S2）将第一保护膜沉积在掩模的壁和上部上。 使用等离子体蚀刻绝缘层以形成接触孔（S3）。 通过使用等离子体，将第二保护膜沉积在第一保护膜和接触孔的壁（S4）上。 （附图标记）（S1）形成ACL掩模; （S2，S4）沉积等离子体保护膜; （S3）蚀刻等离子体
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公开(公告)号：KR101886963B1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：KR1020170036558
申请日：2017-03-23
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 본발명은니켈계금속포일상에주석전구체를이용하는화학기상증착법을통해주석을상기니켈계금속포일상에증착하여, 상기니켈계금속포일표면에니켈/주석합금층을형성하는단계;를포함, 니켈계금속포일의비저항조절방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170140739A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：KR1020160073440
申请日：2016-06-13
Applicant: 아주대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/28 , C23C18/165 , C23C18/2086 , C23C18/405 , C23C28/00 , H01L21/02172 , H01L21/02266 , H01L21/02631 , H01L21/44 , H01L21/76874 , H01L51/0097 , H01L51/5203 , H01B13/0026 , H01B5/14 , H01B7/04 , H01B13/0036 , H01B13/222
Abstract: 플렉시블전극의제조방법이개시된다. 플렉시블전극의제조방법은플라스틱기판을세정하는단계, 플라스틱기판상에스퍼터링공정을통해금속산화물시드층을형성하는단계및 금속산화물시드층상에금속무전해도금층을형성하는단계를구비한다.
Abstract translation: 公开了一种柔性电极的制造方法。 柔性电极的制造方法包括清洁塑料基板的步骤，通过溅射工艺在塑料基板上形成金属氧化物种子层的步骤，以及在金属氧化物种子层上形成金属化学镀层的步骤。
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公开(公告)号：KR101620786B1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：KR1020150080868
申请日：2015-06-08
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/3065 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3065 , B32B33/00 , B32B2307/73 , H01L21/02112 , H01L21/033 , H01L21/0334
Abstract: 본발명은초소수성표면제조방법및 초소수성표면체에관한것으로서, 플라즈마식각과증착만으로초소수성표면을구현할수 있는방법에관한것이다. 본발명의초소수성표면은부착일(work of adhesion)이 3 mJ/m이하로매우작아자가세정(self-cleaning) 표면, 흐림방지(anti-fogging) 표면, 자동차유리표면, 약물전달소자등 다양한분야에응용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及超疏水表面和超疏水表面结构的制造方法。 该方法只能通过等离子体蚀刻和沉积实现超疏水表面。 疏水表面具有低于或等于3mJ / m ^ 2的非常低的附着力，因此疏水性表面可以应用于各种领域，例如自清洁表面，防雾表面，车辆玻璃 表面，药物传递装置等。该方法包括以下步骤：a）在上部制备具有二维图案化掩模的衬底; b）通过用包含氟碳的气体的等离子体处理衬底，在掩模的孔的内表面和掩模的表面上形成碳氟化合物层; c）在基板上形成对应于掩模的杆; d）通过重复形成碳氟化合物层的步骤b）和形成棒的步骤c）来增加杆的高度; e）去除在其上形成多个棒层的基底上的掩模; 以及f）通过用形成在其上的多个杆层的等离子体处理含有碳氟化合物的气体的等离子体，在棒表面上形成碳氟化合物层。
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公开(公告)号：KR101533526B1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020140030872
申请日：2014-03-17
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0095 , B01J19/088 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은, 실리콘산화막이형성된피식각물을준비하는단계; 상기실리콘산화막상에불화탄소군을형성하는단계; 불소화합물가스에의한플라즈마로, 상기실리콘산화막및 상기불화탄소군을처리하는단계; 및상기피식각물을플라즈마처리하여식각하는단계를포함하는, 플라즈마식각을이용한경사진나노기둥을제작하는방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种通过使用等离子体蚀刻工艺制造倾斜纳米柱的方法，包括以下步骤：制备用氧化硅膜形成的待蚀刻材料; 在氧化硅膜上形成氟化碳基团; 用氟化合物气体等离子体处理氧化硅膜和氟化碳基团; 并等离子体蚀刻该材料。
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