실리콘계 음극활물질의 제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지
    32.
    发明授权
    실리콘계 음극활물질의 제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지 有权
    一种制备硅基阳极活性材料的方法和使用其的锂二次电池

    公开(公告)号:KR101654281B1

    公开(公告)日:2016-09-06

    申请号:KR1020150020232

    申请日:2015-02-10

    Abstract: 본발명은표면에금속이코팅된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제조하는방법및 이로부터제조된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제공하며, 상기방법은금속촉매식각법에의하여실리콘나노와이어를형성하는 (a) 단계; 식각된실리콘나노와이어표면에무작위로전착된금속을제거하는 (b) 단계; 및실리콘나노와이어를강산의희석액에담지하여실리콘나노와이어표면에금속입자를석출시키는 (c) 단계를포함한다.

    실리콘계 음극활물질의 제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지
    33.
    发明公开
    실리콘계 음극활물질의 제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지 有权
    使用其制备基于硅的阳极活性材料和锂二次电池的方法

    公开(公告)号:KR1020160098653A

    公开(公告)日:2016-08-19

    申请号:KR1020150020232

    申请日:2015-02-10

    CPC classification number: H01M4/386 B82B1/00 B82B3/00 H01M10/052

    Abstract: 본발명은표면에금속이코팅된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제조하는방법및 이로부터제조된리튬이차전지용실리콘나노와이어를제공하며, 상기방법은금속촉매식각법에의하여실리콘나노와이어를형성하는 (a) 단계; 식각된실리콘나노와이어표면에무작위로전착된금속을제거하는 (b) 단계; 및실리콘나노와이어를강산의희석액에담지하여실리콘나노와이어표면에금속입자를석출시키는 (c) 단계를포함한다.

    Abstract translation: 在本发明中提供了一种用于制造表面上涂有金属的锂二次电池用硅纳米线的方法和由其制造的锂二次电池用硅纳米线。 该方法包括以下步骤:(a)通过金属催化剂蚀刻方法形成硅纳米线; (b)去除所蚀刻的硅纳米线表面上随机电沉积的金属; 和(c)在硅纳米线的表面上将硅纳米线携带在强酸和沉淀金属颗粒的稀释溶液中。 提供了具有高容量并且可以高速执行充电和放电的锂二次电池。

    표면 코팅된 리튬티탄산화물 분말 및 이의 제조방법
    34.
    发明公开
    표면 코팅된 리튬티탄산화물 분말 및 이의 제조방법 有权
    表面涂覆的钛酸钡粉末及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020130055080A

    公开(公告)日:2013-05-28

    申请号:KR1020110120596

    申请日:2011-11-18

    Inventor: 김재현 백성호

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a surface-coated lithium titante powder is provided to improve rate performance and capacity of a lithium titante battery. CONSTITUTION: A manufacturing method of a surface coated lithium titanate powder comprises a step of preparing micropowder of a lithium titanate; and a step of forming a coating layer by depositing a conductive material on the surface of the micropowder. The lithium titante oxide is represented by chemical formula: LixTiyO4 (0.5

    Abstract translation: 目的:提供表面涂覆锂钛粉末的制造方法,以提高锂钛电池的速率性能和容量。 构成:表面被覆钛酸锂粉末的制造方法包括:制备钛酸锂的微粉的步骤; 以及通过在所述微粉的表面上沉积导电材料来形成涂层的步骤。 锂钛氧化物由化学式LixTiyO4(0.5 <= x <= 3,1 <= y <= 2.5)表示。 至少一个或多个Li,Ti和O位点被杂原子取代。 涂层是包含非导电无机层和金属层的金属或双层涂层的单层涂层。 (AA)Al或Cu; (BB)LTO原料; (CC)LTO和Al或Cu络合物; (DD)涂层

    실리콘 와이어 구조체의 제조방법
    35.
    发明授权
    실리콘 와이어 구조체의 제조방법 有权
    硅丝结构的制造方法

    公开(公告)号:KR101264877B1

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:KR1020100077669

    申请日:2010-08-12

    Abstract: 실리콘웨이퍼위에마스크층을패터닝하는단계; 상기마스크층으로덮이지않은상기실리콘웨이퍼의일부를금속촉매화학적식각하는단계; 상기금속촉매화학적식각이후상기실리콘웨이퍼로부터잔존금속을제거하는단계; 상기잔존금속제거이후상기마스크층을제거하여에치피트가형성된실리콘웨이퍼를얻는단계; 및상기에치피트가형성된상기실리콘웨이퍼를전기화학적식각처리하여실리콘와이어어레이를형성하는단계를포함하는실리콘와이어구조체의제조방법이제공된다.

    전기화학적 에칭 방법에 의한 실리콘 와이어 어레이의 제조방법
    36.
    发明公开
    전기화학적 에칭 방법에 의한 실리콘 와이어 어레이의 제조방법 无效
    通过电化学蚀刻制作硅线阵列的方法

    公开(公告)号:KR1020120111274A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:KR1020110029674

    申请日:2011-03-31

    CPC classification number: H01L21/30604

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a silicon wire array by an electrochemical etching method is provided to prevent the contamination of a device by excluding anisotropic etching solution. CONSTITUTION: An etching mask is patterned on the surface of a silicon substrate. The surface of the silicon substrate is electrochemically etched. The electrochemical etching forms an etching area by applying an electric field having a first current density. The etching area includes micro openings. The etching area is etched by applying an electric field having a second current density higher than the first current density. [Reference numerals] (AA) Initial washing; (BB) Photolithography; (CC) BOE(natural oxide film removal); (DD) Al deposition; (EE) Electrochemical etching(first current density); (FF) Etching area; (GG) Micro opening; (HH) Electrochemical etching(second current density)

    Abstract translation: 目的:提供通过电化学蚀刻方法制造硅线阵列的方法,以通过排除各向异性蚀刻溶液来防止器件的污染。 构成:在硅衬底的表面上刻蚀蚀刻掩模。 硅衬底的表面被电化学蚀刻。 电化学蚀刻通过施加具有第一电流密度的电场形成蚀刻区域。 蚀刻区域包括微孔。 通过施加具有高于第一电流密度的第二电流密度的电场来蚀刻蚀刻区域。 (附图标记)(AA)初次洗涤; (BB)光刻 (CC)京东方(天然氧化膜去除); (DD)Al沉积; (EE)电化学蚀刻(第一电流密度); (FF)蚀刻面积; (GG)微开口; (HH)电化学蚀刻(第二电流密度)

    전기화학적 에칭을 위한 식각 구멍 형성 방법
    37.
    发明公开
    전기화학적 에칭을 위한 식각 구멍 형성 방법 有权
    电化学蚀刻的蚀刻方法

    公开(公告)号:KR1020110070026A

    公开(公告)日:2011-06-24

    申请号:KR1020090126665

    申请日:2009-12-18

    CPC classification number: H01L21/324 H01L21/3065

    Abstract: PURPOSE: A method for forming an etching hole for electrochemical etching is provided to form an etching hole of a reverse pyramid shape, thereby shortening the number of manufacturing processes. CONSTITUTION: A polystyrene particle(402) is regularly and periodically formed on a semiconductor substrate. The semiconductor substrate is processed by heat. The semiconductor substrate is etched by reactive ions with the polystyrene particle as an etching mask until an etching hole of a reverse pyramid shape is formed on the semiconductor substrate. The polystyrene particle is eliminated.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于形成用于电化学蚀刻的蚀刻孔的方法,以形成反锥形蚀刻孔,从而缩短了制造工艺的数量。 构成:在半导体衬底上规则地和周期地形成聚苯乙烯颗粒(402)。 半导体衬底被加热处理。 通过与聚苯乙烯粒子的反应离子蚀刻半导体衬底作为蚀刻掩模,直到在半导体衬底上形成反锥体形状的蚀刻孔。 消除聚苯乙烯颗粒。

    보론이 도핑된 실리콘 옥사이드계 음극활물질과 그 제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지

    公开(公告)号:KR101790555B1

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:KR1020150152375

    申请日:2015-10-30

    CPC classification number: Y02E60/122

    Abstract: 본발명은보론이도핑된실리콘옥사이드계음극활물질과그 제조방법및 이를이용한리튬이차전지에관한것으로, 상세하게는보론화합물이함유된도펀트(dopant)를더미(dummy)기판위에코팅하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된더미기판과실리콘옥사이드계혼합물을이격을두고배치한후 열처리하는단계(단계 2);를포함하는보론이도핑된실리콘옥사이드계음극활물질의제조방법을제공한다. 본발명을통해제조한보론이도핑된실리콘옥사이드계재료를이차전지음극활물질로이용할경우, 기존기술에비해음극활물질내 비용량이증가하며, 제조된음극활물질에불순물인보론화합물이포함되지않고, 보론원소만이도핑되는효과가있다. 또한, 실리콘옥사이드계재료내부로보론원소가확산되도록함으로써리튬이온의확산속도증가및 부분적인실리콘결정형성으로인해, 전기화학적특성이개선될수 있다. 나아가, 전지의고용량및 사이클특성이개선되어향후전기자동차및 대형에너지저장장치용이차전지로의활용이가능하다.

    주기적 구조를 갖는 반도체 나노와이어 광대역 광흡수체
    39.
    发明授权
    주기적 구조를 갖는 반도체 나노와이어 광대역 광흡수체 有权
    具有周期性结构的半导体纳米线宽带光学吸收体

    公开(公告)号:KR101773578B1

    公开(公告)日:2017-09-13

    申请号:KR1020160029410

    申请日:2016-03-11

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은물결형태의외벽을포함하는반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것으로, 더욱상세하게는물결형태의오목부또는볼록부가주기적으로형성되고, 상기오목부또는볼록부에의한광대역파장에서광흡수특성이향상된반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种宽带光吸收体,包括半导体纳米线,并且其包括波形的外壁,并且更具体地,形成在凹部或周期性凸部,宽带的波形形状因凹部或凸部 更具体地说,涉及一种宽带光吸收器和包括其的半导体纳米线。

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