公开(公告)号：KR100947748B1

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：KR1020070117170

申请日：2007-11-16

Applicant: 광주과학기술원 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 오민석 ,  박성주 ,  강장원

IPC: H01L21/20

Abstract: P형의 전기적 특성을 갖는 아연산화물 반도체 제조방법은 기판에 버퍼층을 형성하는 단계와, 버퍼층의 상부에 도판트를 첨가한 아연산화물 박막을 형성하는 단계 및 아연산화물 박막에 엑시머 레이저 처리하는 단계를 포함한다. 따라서, 절연체의 전기적 특성 또는 n형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막을 엑시머 레이저(excimer laser)를 이용하여 표면을 처리함으로써 수소의 농도를 감소시키고, p형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막으로 용이하게 전환시킬 수 있다.
아연산화물 반도체, 엑시머 레이저, p형 반도체

公开(公告)号：KR1020080091899A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：KR1020070034921

申请日：2007-04-10

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 홍웅기 ,  황대규 ,  박성주 ,  이탁희

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L21/02603

Abstract: A method for fabricating an n-channel depletion mode and enhancement mode semiconductor nano wire field effect transistor is provided to manufacture the transistor selectively with high reproductivity. A method for fabricating an n-channel depletion mode and enhancement mode semiconductor nano wire field effect transistor includes the steps of: preparing a nano wire growing substrate by coating an alumina substrate with gold catalyst(S10); growing a semiconductor nano wire on the nano wire growing substrate(S20); separating the grown semiconductor nano wire from the semiconductor nano wire(S30); paving the separated semiconductor nano wire on a substrate for manufacturing a transistor(S40); and forming source and drain electrodes at both ends of the semiconductor nano wire(S50).

Abstract translation: 提供了一种用于制造n沟道耗尽模式和增强模式半导体纳米线场效应晶体管的方法，以选择性地制造具有高再现性的晶体管。 一种制造n沟道耗尽型和增强型半导体纳米线场效应晶体管的方法包括以下步骤：通过用金催化剂涂覆氧化铝衬底来制备纳米线生长衬底（S10）; 在纳米线生长基板上生长半导体纳米线（S20）; 从半导体纳米线分离生长的半导体纳米线（S30）; 将分离的半导体纳米线铺置在用于制造晶体管的衬底上（S40）; 以及在半导体纳米线的两端形成源电极和漏电极（S50）。

公开(公告)号：KR100809822B1

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：KR1020060065877

申请日：2006-07-13

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  박태영

IPC: H01L33/36

Abstract: 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 발광 다이오드용 구성요소의 일부가 형성된 발광 다이오드용 기판과 전극층이 형성되어 있는 다이오드 역할을 하는 전도성 기판을 웨이퍼 본딩하여 back to back 구조를 형성한 후 발광 다이오드용 기판을 제거하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다이오드 특성의 전도성 기판과 전극에 와이어 본딩함으로써 정전기 방전 특성과 광학적 특성, 전기적 특성 및 열적 특성의 향상을 꾀할 수 있으며, 2번의 와이어 본딩만으로 정전기 방전 특성을 갖는 발광 다이오드를 제조할 수 있으므로 공정이 간단하여 경제적인 측면에서도 우수하다.
발광 다이오드, 정전기 방전 구조, 전도성 기판, 와이어 본딩

公开(公告)号：KR100631037B1

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：KR1020040070071

申请日：2004-09-02

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 나석인 ,  김자연 ,  김석순 ,  한대섭 ,  임재홍 ,  박성주

IPC: H01L33/02

Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 상부접촉층(34)의 표면을 끓는점이 100℃ 내지 1000℃인 용액을 포함하여 이루어진 pH가 11~14인 염기성 용액이나 pH가 1~4인 산성용액으로 100℃ 내지 1000℃의 온도범위에서 습식식각하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 비록 AlGaInN 기반의 발광다이오드이지만 습식식각에 의하여 상부접촉층(34)에 존재하는 표면결함이나 자연산화막 및 오염층이 효과적으로 제거됨과 동시에 부동막도 형성되기 때문에 발광다이오드의 누설전류가 획기적으로 줄어 소자의 수명이 크게 향상되며, 소자의 효율성과 신뢰성 등 전반적인 특성이 크게 향상된다.
AlGaInN, 부동막, 습식식각, 염기성, 산성, 누설전류

公开(公告)号：KR1020060062418A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101247

申请日：2004-12-03

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 권민기 ,  박성주 ,  백성호 ,  박일규 ,  김자연

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30

Abstract: Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 전계에 의해 자외선 빛의 발광시 p형 상부 접촉층에서의 자외선 빛의 흡수가 최소화되고 단일 또는 다중양자 우물구조의 전도대에서 p형 상부 접촉층의 억셉터 준위로의 전이되는 손실이 최소화되도록, p형 상부 접촉층 성장공정이 진행됨에 따라 p형 도펀트의 양을 증가시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, p형 질화갈륨 접촉층에서의 광의 흡수를 최소화할 수 있고, 다중양자 우물의 전도대에서 p형 질화갈륨 접촉층내의 억셉터 준위로 전이되는 손실을 최소화함에 따라 고효율의 자외선 발광소자를 제작할 수 있다.
자외선 발광소자, 다중양자 우물구조, p형 상부 접촉층, 도펀트

公开(公告)号：KR1020060055739A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020040094876

申请日：2004-11-19

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 한대섭 ,  박성주 ,  나석인 ,  김자연

IPC: H01L33/30 ,  H01L21/306

Abstract: 본 발명은 투명기판 상에, n-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 하부접촉층과 p-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 상부접촉층이 형성되고, 상기 하부접촉층과 상부접촉층 사이에 AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 발광 활성층이 개재되어 이루어지는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 공기와 접하는 상기 투명기판의 아랫면에 건식식각을 통하여 굴곡을 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 공기와 접하는 기판표면의 굴곡에 의하여 광자가 특정 임계각의 조건에 만족할 수 있는 확률, 즉 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하므로 외부 광자효율이 증가하게 된다.
발광효율, 건식식각, 사파이어, 굴곡, 플립구조, 질화물반도체

公开(公告)号：KR100564912B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020040025463

申请日：2004-04-13

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  임재홍 ,  황대규

IPC: H01L21/283

Abstract: 본 발명에 따른 오믹접촉 투명전극층 형성방법은, p-AlGaInN 화합물 반도체층(120) 상에 니켈산화물(NiO
1-x )
, 망간산화물(MnO
1-x ), 철산화물(FeO
3/2(1-x) ), 코발트산화물(CoO
1-x ), 크롬산화물(CrO
3/2(1-x) ), 구리산화물(CuO
1-x ), 주석산화물(SnO
1-x ), 은산화물(AgO
1-x ), 구리알루미늄산화물(CuAlO
2(1-x) ), 및 팔라듐산화물(PdO
1-x )으로 이루어진 금속 산화물군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 삽입층(130)과 아연 산화물층(140)을 순차적으로 적층하고 상기 결과물을 100~1200℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 특징으로 한다. 아연산화물의 우수한 열적 안정성 및 투광성으로 인해서 우수한 광방출효율을 갖는 발광소자를 제조할 수 있으며, 발광소자의 고온 열처리에 의한 특성 저하를 방지할 수 있게 된다.
아연 산화물, 니켈 산화물, 삽입층, 열처리, 오믹접촉, 투명전극, GaN

公开(公告)号：KR100538041B1

公开(公告)日：2005-12-20

申请号：KR1020040001700

申请日：2004-01-09

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  성태연 ,  김경국 ,  김상호

IPC: H01L33/40

Abstract: 본 발명은 산화아연계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 산화아연계 발광소자는 n형 클래드층의 노출된 부분에 레늄(Re), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta)중 어느 하나로 형성된 n형 제1오믹컨택트층과, n형 제1오믹컨택트층 위에 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 바나듐(V), 마그네슘(Mg), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 타이타늄(Ti), 베릴륨(Be), 망간(Mn) 중 상기 n형 제1오믹컨택트층과 다른 어느 하나의 소재로 형성된 n형 제2 오믹컨택트층 및 n형 제2 오믹컨택트층 위에 금으로 형성된 n형 제3 오믹컨택트층을 구비한다. 이러한 산화아연계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, n형 및 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 발광소자의 패키징 시 와이어 본딩 효율 및 수율을 높일 수 있고, 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성에 의해 소자의 발광효율 및 소자 수명을 향샹시킬 수 있는 장점을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050100485A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：KR1020040025731

申请日：2004-04-14

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 나석인 ,  김자연 ,  한대섭 ,  김석순 ,  박성주

IPC: H01L33/22

Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 결함들이 존재하는 위치가 우선적으로 식각되어 상부접촉층(34)의 윗 표면에 식각홈(etch pit)이 형성되도록 상부접촉층(34)의 윗 표면을 마스크 없이 습식식각함으로써 상부접촉층(34)의 윗 표면에 표면거칠기를 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상부접촉층(34)의 표면굴곡으로 인하여 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하여 외부광자효율이 증가하게 되고, 이 때, 식각을 위한 마스크를 사용하지 않기 때문에 공정이 간단하고, 나아가 건식식각이 아닌 습식식각을 사용하기 때문에 식각 잔류물이 상부접촉층(34) 표면에 잔존하는 것이 방지되어 식각 잔류물에 의한 발광효율의 저하도 방지할 수 있다. 그리고, 부수적으로 표면거칠기의 증가로 인하여 상부접촉층(34)과 p형 전극(50) 사이의 접촉면적이 증가되어 구동전압이 낮아지게 되어 소자의 전기적 특성도 향상되게 된다.

公开(公告)号：KR1020050097051A

公开(公告)日：2005-10-07

申请号：KR1020040021770

申请日：2004-03-30

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  임재홍 ,  황대규

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28026 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명에 따른 오믹접촉 투명전극층 형성방법은, p-Al
x Ga
y In
z N(0≤x, y, z≤1, x+y+z=1) 화합물 반도체층 상에 아연 산화물층을 적층하고 상기 아연 산화물층이 p-Al
x Ga
y In
z N 화합물 반도체층(120)에 오믹접촉되도록 상기 결과물을 100~1200℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 특징으로 한다. 상기 열처리는 아르곤, 질소 및 산소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 분위기에서 행해지는 것이 바람직하다. 상기 아연 산화물층은 인듐 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물, 및 알루미늄 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 불순물로서 포함할 수 있다. 상기 아연 산화물층은 1~1000nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 열처리는 1초 내지 3시간 동안 행하는 것이 바람직하다. 투명전극층으로서 아연산화물층을 사용하면, 아연산화물의 우수한 열적 안정성 및 투광성으로 인해서 우수한 광방출효율을 갖는 발광소자를 제조할 수 있으며, 발광소자의 고온 열처리에 의한 특성 저하를 방지할 수 있게 된다.