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公开(公告)号：KR100608930B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040025731
申请日：2004-04-14
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 결함들이 존재하는 위치가 우선적으로 식각되어 상부접촉층(34)의 윗 표면에 식각홈(etch pit)이 형성되도록 상부접촉층(34)의 윗 표면을 마스크 없이 습식식각함으로써 상부접촉층(34)의 윗 표면에 표면거칠기를 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상부접촉층(34)의 표면굴곡으로 인하여 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하여 외부광자효율이 증가하게 되고, 이 때, 식각을 위한 마스크를 사용하지 않기 때문에 공정이 간단하고, 나아가 건식식각이 아닌 습식식각을 사용하기 때문에 식각 잔류물이 상부접촉층(34) 표면에 잔존하는 것이 방지되어 식각 잔류물에 의한 발광효율의 저하도 방지할 수 있다. 그리고, 부수적으로 표면거칠기의 증가로 인하여 상부접촉층(34)과 p형 전극(50) 사이의 접촉면적이 증가되어 구동전압이 낮아지게 되어 소자의 전기적 특성도 향상되게 된다.
습식식각, 식각홈, 발광효율, 표면거칠기, p-GaN-
公开(公告)号：KR100621871B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020050014199
申请日：2005-02-21
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/40
Abstract: 본 발명은 기판 상에 n-AlxGayInzN으로 이루어지는 하부접촉층, AlxGayInzN으로 이루어지는 발광활성층, p-AlxGayInzN으로 이루어지는 상부접촉층, 및 반사전극층 순으로 적층되어 상기 발광활성층에서 나오는 빛이 상기 반사전극층에 의해 상기 기판 쪽으로 반사되어 빛이 상기 기판을 통해 외부로 방출되는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자로서, 상기 반사전극이 은에 알루미늄, 금, 로듐, 구리, 티타늄, 크롬, 니켈, 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나가 첨가된 은합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 상기 상부접촉층과 반사전극층 사이에 투명전극층이 개재될 수도 있다. 본 발명에 의하면, 합금형태의 반사전극을 사용함으로써 열적 안정성과 전기적 특성의 향상을 도모할 수 있으며, 또한 반사전극과 p-GaN으로 이루어진 상부접촉층의 결합력이 좋기 때문에 투명전극층 없이 상부접촉층 상에 바로 반사전극층을 형성할 수 있게 되어 투명전극에 의한 광흡수가 줄어들어 외부발광효율이 증대된다. 투명전극층이 필요치 않으므로 제조공정의 단순화와 비용절감의 효과도 생긴다.
GaN, 발광다이오드, 반사전극, 은, 알루미늄, 투명전극, 플립칩-
公开(公告)号：KR100631037B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020040070071
申请日：2004-09-02
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 상부접촉층(34)의 표면을 끓는점이 100℃ 내지 1000℃인 용액을 포함하여 이루어진 pH가 11~14인 염기성 용액이나 pH가 1~4인 산성용액으로 100℃ 내지 1000℃의 온도범위에서 습식식각하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 비록 AlGaInN 기반의 발광다이오드이지만 습식식각에 의하여 상부접촉층(34)에 존재하는 표면결함이나 자연산화막 및 오염층이 효과적으로 제거됨과 동시에 부동막도 형성되기 때문에 발광다이오드의 누설전류가 획기적으로 줄어 소자의 수명이 크게 향상되며, 소자의 효율성과 신뢰성 등 전반적인 특성이 크게 향상된다.
AlGaInN, 부동막, 습식식각, 염기성, 산성, 누설전류-
Patent Agency Ranking4.发明公开기판에 건식식각을 수행하여 개선된 광추출 효율을 가지는고효율 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자제조방법 失效用于在基板上使用干蚀刻来制造III-V氮化物复合片状半导体发光器件的方法，以提高提取效率
公开(公告)号：KR1020060055739A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040094876
申请日：2004-11-19
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/30 , H01L21/306
Abstract: 본 발명은 투명기판 상에, n-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 하부접촉층과 p-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 상부접촉층이 형성되고, 상기 하부접촉층과 상부접촉층 사이에 AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 발광 활성층이 개재되어 이루어지는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 공기와 접하는 상기 투명기판의 아랫면에 건식식각을 통하여 굴곡을 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 공기와 접하는 기판표면의 굴곡에 의하여 광자가 특정 임계각의 조건에 만족할 수 있는 확률, 즉 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하므로 외부 광자효율이 증가하게 된다.
발광효율, 건식식각, 사파이어, 굴곡, 플립구조, 질화물반도체-
5.发明公开마스크 없는 선택적 습식식각을 이용하는 Ⅲ-질화물계반도체 발광소자의 제조방법 失效使用MASKING SELECTIVE WET ETCHING制备III-NITRIDE化合物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020050100485A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：KR1020040025731
申请日：2004-04-14
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 결함들이 존재하는 위치가 우선적으로 식각되어 상부접촉층(34)의 윗 표면에 식각홈(etch pit)이 형성되도록 상부접촉층(34)의 윗 표면을 마스크 없이 습식식각함으로써 상부접촉층(34)의 윗 표면에 표면거칠기를 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상부접촉층(34)의 표면굴곡으로 인하여 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하여 외부광자효율이 증가하게 되고, 이 때, 식각을 위한 마스크를 사용하지 않기 때문에 공정이 간단하고, 나아가 건식식각이 아닌 습식식각을 사용하기 때문에 식각 잔류물이 상부접촉층(34) 표면에 잔존하는 것이 방지되어 식각 잔류물에 의한 발광효율의 저하도 방지할 수 있다. 그리고, 부수적으로 표면거칠기의 증가로 인하여 상부접촉층(34)과 p형 전극(50) 사이의 접촉면적이 증가되어 구동전압이 낮아지게 되어 소자의 전기적 특성도 향상되게 된다.
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公开(公告)号：KR1020060093442A
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020050014199
申请日：2005-02-21
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/40
Abstract: 본 발명은 기판 상에 n-AlxGayInzN으로 이루어지는 하부접촉층, AlxGayInzN으로 이루어지는 발광활성층, p-AlxGayInzN으로 이루어지는 상부접촉층, 및 반사전극층 순으로 적층되어 상기 발광활성층에서 나오는 빛이 상기 반사전극층에 의해 상기 기판 쪽으로 반사되어 빛이 상기 기판을 통해 외부로 방출되는 플립칩 구조 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자로서, 상기 반사전극이 은에 알루미늄, 금, 로듐, 구리, 티타늄, 크롬, 니켈, 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나가 첨가된 은합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 상기 상부접촉층과 반사전극층 사이에 투명전극층이 개재될 수도 있다. 본 발명에 의하면, 합금형태의 반사전극을 사용함으로써 열적 안정성과 전기적 특성의 향상을 도모할 수 있으며, 또한 반사전극과 p-GaN으로 이루어진 상부접촉층의 결합력이 좋기 때문에 투명전극층 없이 상부접촉층 상에 바로 반사전극층을 형성할 수 있게 되어 투명전극에 의한 광흡수가 줄어들어 외부발광효율이 증대된다. 투명전극층이 필요치 않으므로 제조공정의 단순화와 비용절감의 효과도 생긴다.
GaN, 발광다이오드, 반사전극, 은, 알루미늄, 투명전극, 플립칩-
7.发明授权기판에 건식식각을 수행하여 개선된 광추출 효율을 가지는고효율 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자제조방법 失效制造方法？ 氮化物复合倒装芯片半导体发光器件使用干蚀刻在衬底上提高提取效率
公开(公告)号：KR100608933B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040094876
申请日：2004-11-19
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/30 , H01L21/306
Abstract: 본 발명은 투명기판 상에, n-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 하부접촉층과 p-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 상부접촉층이 형성되고, 상기 하부접촉층과 상부접촉층 사이에 AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 발광 활성층이 개재되어 이루어지는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 공기와 접하는 상기 투명기판의 아랫면에 건식식각을 통하여 굴곡을 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 공기와 접하는 기판표면의 굴곡에 의하여 광자가 특정 임계각의 조건에 만족할 수 있는 확률, 즉 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하므로 외부 광자효율이 증가하게 된다.
발광효율, 건식식각, 사파이어, 굴곡, 플립구조, 질화물반도체-
公开(公告)号：KR1020060021201A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040070071
申请日：2004-09-02
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 상부접촉층(34)의 표면을 끓는점이 100℃ 내지 1000℃인 용액을 포함하여 이루어진 pH가 11~14인 염기성 용액이나 pH가 1~4인 산성용액으로 100℃ 내지 1000℃의 온도범위에서 습식식각하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 비록 AlGaInN 기반의 발광다이오드이지만 습식식각에 의하여 상부접촉층(34)에 존재하는 표면결함이나 자연산화막 및 오염층이 효과적으로 제거됨과 동시에 부동막도 형성되기 때문에 발광다이오드의 누설전류가 획기적으로 줄어 소자의 수명이 크게 향상되며, 소자의 효율성과 신뢰성 등 전반적인 특성이 크게 향상된다.
AlGaInN, 부동막, 습식식각, 염기성, 산성, 누설전류
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