Abstract:
FBG 센싱 시스템이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 센싱 시스템은, 다수의 필터들 중 하나로 광원에서 조사된 광을 필터링하여 광 센서들에 전달한다. 이에 의해, 고성능과 가격 경쟁력으로 멀티 센싱이 가능해지고, 구성을 간단화 시켜 제조가 용이해질 뿐만 아니라, 부피를 축소시켜 소형화가 가능하며, 제조 단가를 낮추어 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A light emitting diode including a reflection layer is provided to improve the stability of a wavelength of output light and to maximally suppress a light loss from an LED. CONSTITUTION: An LED layer includes an N-type semiconductor layer (120), an active layer (130), and a P-type semiconductor layer (140). A current diffusion layer (150) is formed on the P-type semiconductor layer. A reflection layer (160) is formed on the current diffusion layer. The reflection layer is made of P-type metal to suppress a light loss due to total internal reflection. A plurality of reflection structures (161) are formed on the reflection layer.
Abstract:
PURPOSE: The p-type sub mount for individually driving the bar type laser diode array and semiconductor package including the same is provided to individually control each laser diode. CONSTITUTION: The p-type sub mount (200) comprises a substrate (210) and the multiple conductive line structures (220). The substrate has the heat transfer to the p-type sub mount of bar type laser diode array in which p-type electrode and n-type electrode is positioned in the opposite direction. The multiple conductive line structures comprise a power terminal (221), a mounting unit (222), and a distribution line (224).The power terminal is arranged according to the one-way direction of the upper side of the substrate, electrically insulated and supplies power supply. The mounting unit unites p-type electrode of bar type laser diode array. The distribution line electrically connects between the power terminal and the mounting unit. [Reference numerals] (AA) X direction; (BB) Y direction
Abstract:
본 발명은 고전압 질화물 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 오믹 접합의 어닐링 온도를 낮추어 질화물 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류의 원인인 금속 스파이크(metal spikes)를 줄이고, 쇼트키 접합 영역에 리세스 구조를 형성하여 높은 항복 전압을 확보하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 상부면에 전이층, 도핑되지 않은 GaN층 및 도핑된 GaN층이 순차적으로 적층된 기판을 준비한다. 도핑된 GaN층 위에 700 내지 800℃에서 30 내지 60초간 어닐링하여 오믹 접합을 형성한다. 오믹 접합이 형성된 영역에서 이격된 도핑된 GaN층에 리세스를 형성한다. 리세스 쇼트키 접합을 형성한다. 그리고 기판의 상부면으로 노출된 부분을 덮도록 보호층을 형성하되, 오믹 접합 및 쇼트키 접합 부분이 노출되게 보호층을 형성한다. 이때 쇼트키 접합은 도핑되지 않은 GaN층이 노출되게 도핑된 GaN층 부분을 식각하여 리세스를 형성하고, 리세스가 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 1차 어닐링한 후, 리세스에 쇼트키 금속을 형성하고, 쇼트키 금속이 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 2차 어닐링하여 형성한다.
Abstract:
PURPOSE: An optical module package for a molecular diagnostic device is provided to improve processing speed and accuracy and to enable quick and simple diagnosis. CONSTITUTION: An optical module package for a molecular diagnostic device comprises a light emitting device(110). The light emitting device is a light emitting diode(LED) or laser diode(LD). The light emitting device a first light emitting device(111) for emitting the light of a first wave length to the outside and a second light emitting device(112) for emitting the light of a second wave length to the outside. The package also comprises an optical waveguide(120) for guiding the emitted light to a sample(130). The optical waveguide is formed of polymer-based materials, glass-based materials, oxide, or semi-conductor.
Abstract:
본 발명은 광학 기기를 구비한 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 발광하는 발광 소자와, 상기 발광 소자의 발광 축을 조절하여 대상체에 대향하도록 하는 광학 장치를 포함하는 발광 소자 모듈; 및 상기 발광에 따라 형광을 발산하는 대상체에 대향하여 상기 형광을 수광하는 수광 소자를 구비하며 상기 발광 소자 모듈과 일체로 형성되는 수광 소자 모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 기기를 구비한 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈을 제공한다. 발광 소자, 수광 소자. 광학 기기, 밴드패스 필터