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公开(公告)号：KR1020150125838A
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：KR1020140052700
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01S3/0941 , H01S3/08
CPC classification number: H01S3/09415 , H01S3/08004 , H01S3/08059
Abstract: 외부반사거울조정을이용한외부공진기다이오드레이저가제공된다. 본발명의실시예에따른외부공진기다이오드레이저는, 레이저다이오드, 반사거울및 파장선택필터로형성된광 피드백경로에의해단일종모드를확보하고, 반사거울에의해단일횡모드를확보한다. 이에의해, 외부공진기다이오드레이저를통해단일모드[단일종모드(단일파장), 단일횡모드]를고출력으로구현가능하게된다.
Abstract translation: 提供了使用外部反射镜调节的外部谐振二极管激光器。 根据本发明的实施例的外部谐振二极管激光器通过由激光二极管，反射镜和波长选择滤光器组成的光反馈路径确保单个垂直模式，并且通过反射模式来确保单个水平模式。 因此，外部谐振二极管激光器可以输出单模[单垂直模式（单波长），单水平模式]。
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公开(公告)号：KR1020150125809A
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：KR1020140052556
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01S3/04
CPC classification number: H01S3/0405 , G02B27/149 , H01S5/02415
Abstract: 레이저영상기기용백색레이저모듈이제공된다. 본발명의실시예에따른백색레이저모듈은, 제1 레이저광원, 제2 레이저광원및 제3 레이저광원을층계형으로배치하여함께냉각시킨다. 이에의해, 레이저광원모듈의소형화를이룰수 있게되고, 열전소자와칠러를통해레이저광원모듈을냉각시켜방열문제를해소시킬수 있게된다.
Abstract translation: 提供了一种用于激光图像装置的白色激光模块。 根据本发明的实施例的白色激光模块具有第一激光光源，第二激光光源和第三激光光源的阶梯型结构并将其冷却。 由此，能够实现激光光源模块的小型化。 热辐射问题可以通过冷却激光光源模块通过热电元件和冷却器来解决。
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公开(公告)号：KR1020150077036A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165858
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 레이저영상기기용화이트밸런스조정방법이제공된다. 본발명의실시예에따른레이저영상기기는, 레이저광원에서출사되는광을분리하는색분리광학계, 분리된광들의세기들을각각측정하는수광소자들및 수광소자들에서측정된세기들을기초로레이저광원을제어하여화이트밸런스를조정함에있어, 화이트밸런스조정에필요한광학계들을최소화시키면서도광 효율은극대화할수 있게된다.
Abstract translation: 本发明提供一种控制激光成像装置的白平衡的方法。 根据本发明的实施例，激光成像装置包括：分色光学系统，用于分离从激光光源注入的光; 用于分别测量分离的光的强度的光接收元件; 以及分析装置，用于基于在光接收元件中测量的强度来控制激光光源并控制白平衡，由此最小化控制白平衡所需的光学系统并使光效最大化。
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公开(公告)号：KR1020140135303A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020130054923
申请日：2013-05-15
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G02B6/02076 , G01K11/3206 , G01L1/246
Abstract: FBG 센싱 시스템이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 센싱 시스템은, 다수의 필터들 중 하나로 광원에서 조사된 광을 필터링하여 광 센서들에 전달한다. 이에 의해, 고성능과 가격 경쟁력으로 멀티 센싱이 가능해지고, 구성을 간단화 시켜 제조가 용이해질 뿐만 아니라, 부피를 축소시켜 소형화가 가능하며, 제조 단가를 낮추어 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 된다.
Abstract translation: 提供FBG感测系统。 根据本发明的实施例的感测系统使用多个滤波器中的一个对从光源照射的光进行滤波，并将滤波的光传输到光学传感器。 因此，本发明能够实现具有高性能和价格竞争力的多感测，通过简化配置便于制造，通过减小体积来实现小型化，并通过降低制造成本来获得价格竞争力。
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公开(公告)号：KR1020140085082A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155268
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/454 , H01L29/458 , H01L29/66136
Abstract: The present invention relates to a structure of a hybrid vertical gallium nitride diode composed by joining an N- gallium nitride epitaxy wafer and a P+ silicon wafer with metallic solder and a method of fabricating the same. After the N- gallium nitride epitaxy wafer is grown on a substrate, a metal pattern is combined on the N- gallium nitride epitaxy wafer, and the N- gallium nitride epitaxy wafer and the P+ silicon wafer are combined with the metal pattern. After the substrate is removed through a wafer thinning process, a rear surface ohmic contact is formed on the lower surface of the N- gallium nitride epitaxy wafer, and a front surface ohmic contact which determines an active region is formed on the upper surface of the P+ silicon wafer. A floating P+ silicon wafer junction for an edge termination may be formed by selectively etching the P+ silicon wafer.
Abstract translation: 本发明涉及通过用氮化镓外延晶片和P +硅晶片与金属焊料接合而构成的混合垂直氮化镓二极管的结构及其制造方法。 在氮化镓外延晶片在基板上生长之后，在氮化镓外延晶片上组合金属图案，并且将氮化镓外延晶片和P +硅晶片与金属图案组合。 在通过晶片减薄处理去除衬底之后，在氮化镓外延晶片的下表面上形成后表面欧姆接触，并且确定有源区的前表面欧姆接触形成在 P +硅晶片。 可以通过选择性蚀刻P +硅晶片来形成用于边缘终止的浮动P +硅晶片结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130074915A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110143025
申请日：2011-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0008 , H01L33/58 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode including a reflection layer is provided to improve the stability of a wavelength of output light and to maximally suppress a light loss from an LED. CONSTITUTION: An LED layer includes an N-type semiconductor layer (120), an active layer (130), and a P-type semiconductor layer (140). A current diffusion layer (150) is formed on the P-type semiconductor layer. A reflection layer (160) is formed on the current diffusion layer. The reflection layer is made of P-type metal to suppress a light loss due to total internal reflection. A plurality of reflection structures (161) are formed on the reflection layer.
Abstract translation: 目的：提供包括反射层的发光二极管，以提高输出光的波长的稳定性并最大限度地抑制来自LED的光损失。 构成：LED层包括N型半导体层（120），有源层（130）和P型半导体层（140）。 在P型半导体层上形成电流扩散层（150）。 在电流扩散层上形成反射层（160）。 反射层由P型金属制成，以抑制由于全内反射引起的光损失。 在反射层上形成多个反射结构（161）。
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37.发明公开
公开(公告)号：KR1020130074909A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110143012
申请日：2011-12-27
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01S5/02264 , H01S5/4081 , H01S5/426
Abstract: PURPOSE: The p-type sub mount for individually driving the bar type laser diode array and semiconductor package including the same is provided to individually control each laser diode. CONSTITUTION: The p-type sub mount (200) comprises a substrate (210) and the multiple conductive line structures (220). The substrate has the heat transfer to the p-type sub mount of bar type laser diode array in which p-type electrode and n-type electrode is positioned in the opposite direction. The multiple conductive line structures comprise a power terminal (221), a mounting unit (222), and a distribution line (224).The power terminal is arranged according to the one-way direction of the upper side of the substrate, electrically insulated and supplies power supply. The mounting unit unites p-type electrode of bar type laser diode array. The distribution line electrically connects between the power terminal and the mounting unit. [Reference numerals] (AA) X direction; (BB) Y direction
Abstract translation: 目的：用于单独驱动条形激光二极管阵列的p型副安装座和包括其的半导体封装用于单独控制每个激光二极管。 构成：p型副安装座（200）包括基板（210）和多个导线结构（220）。 基板具有热传递到棒型激光二极管阵列的p型副安装座，其中p型电极和n型电极位于相反方向。 多个导线结构包括电源端子（221），安装单元（222）和配电线路（224）。电源端子根据基板上侧的单向方向布置，电绝缘 并提供电源。 安装单元结合棒式激光二极管阵列的p型电极。 配电线电连接在电源端子和安装单元之间。 （标号）（AA）X方向; （BB）Y方向
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公开(公告)号：KR1020130055975A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121686
申请日：2011-11-21
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01S5/02248 , H01S5/02469 , H01S5/18366
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser device of a backlight pumping mode and a manufacturing method thereof are provided to secure productivity and reliability. CONSTITUTION: A semiconductor package(120) loads a laser chip which emits light of a first wave length by an optical pumping mode. A submount(110) emits heat which is generated from the semiconductor package to the outside. An optical epoxy(130) combines one side of the submount with the lower side of the semiconductor package. A mirror(140) is located to be separated from the upper side of the semiconductor package at a fixed distance, outputs light to the outside by transmitting a part of light which is generated in the laser chip, and reflects the rest of light to the laser chip. A pump laser unit(150) is arranged to face with the lower side of the submount and emits optical pumping light of a second wave length. [Reference numerals] (140) Mirror; (150) Pump laser unit; (AA) Light pumping; (BB) Transparent submount; (CC) Semiconductor structure; (DD) Vibrated laser beam; (EE) Emitted laser beam
Abstract translation: 目的：提供背光泵浦模式的半导体激光器件及其制造方法，以确保生产率和可靠性。 构成：半导体封装（120）加载通过光泵浦模式发射第一波长的光的激光芯片。 基座（110）将从半导体封装件产生的热量发射到外部。 光学环氧树脂（130）将基座的一侧与半导体封装的下侧结合。 反射镜（140）被定位成以固定距离与半导体封装的上侧分离，通过透射在激光芯片中产生的一部分光而将光输出到外部，并将其余的光反射到 激光芯片 泵激光单元（150）布置成与底座的下侧面对并且发射第二波长的光泵浦光。 （附图标记）（140）镜面; （150）泵浦激光单元; （AA）轻抽; （BB）透明底座; （CC）半导体结构; （DD）振动激光束; （EE）发射激光束
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公开(公告)号：KR101197174B1
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
Abstract: 본 발명은 고전압 질화물 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 오믹 접합의 어닐링 온도를 낮추어 질화물 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류의 원인인 금속 스파이크(metal spikes)를 줄이고, 쇼트키 접합 영역에 리세스 구조를 형성하여 높은 항복 전압을 확보하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 상부면에 전이층, 도핑되지 않은 GaN층 및 도핑된 GaN층이 순차적으로 적층된 기판을 준비한다. 도핑된 GaN층 위에 700 내지 800℃에서 30 내지 60초간 어닐링하여 오믹 접합을 형성한다. 오믹 접합이 형성된 영역에서 이격된 도핑된 GaN층에 리세스를 형성한다. 리세스 쇼트키 접합을 형성한다. 그리고 기판의 상부면으로 노출된 부분을 덮도록 보호층을 형성하되, 오믹 접합 및 쇼트키 접합 부분이 노출되게 보호층을 형성한다. 이때 쇼트키 접합은 도핑되지 않은 GaN층이 노출되게 도핑된 GaN층 부분을 식각하여 리세스를 형성하고, 리세스가 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 1차 어닐링한 후, 리세스에 쇼트키 금속을 형성하고, 쇼트키 금속이 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 2차 어닐링하여 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020120073543A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020100135342
申请日：2010-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: An optical module package for a molecular diagnostic device is provided to improve processing speed and accuracy and to enable quick and simple diagnosis. CONSTITUTION: An optical module package for a molecular diagnostic device comprises a light emitting device(110). The light emitting device is a light emitting diode(LED) or laser diode(LD). The light emitting device a first light emitting device(111) for emitting the light of a first wave length to the outside and a second light emitting device(112) for emitting the light of a second wave length to the outside. The package also comprises an optical waveguide(120) for guiding the emitted light to a sample(130). The optical waveguide is formed of polymer-based materials, glass-based materials, oxide, or semi-conductor.
Abstract translation: 目的：提供用于分子诊断装置的光学模块封装，以提高处理速度和精度，并能够快速简单地进行诊断。 构成：用于分子诊断装置的光学模块封装包括发光器件（110）。 发光器件是发光二极管（LED）或激光二极管（LD）。 发光器件用于向外部发射第一波长的光的第一发光器件（111）和用于将第二波长的光发射到外部的第二发光器件（112）。 封装还包括用于将发射的光引导到样品（130）的光波导（120）。 光波导由聚合物基材料，玻璃基材料，氧化物或半导体形成。
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