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公开(公告)号：KR1020100070820A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: PURPOSE: A high efficiency heat emission resonance light-emitting diode package and a manufacturing method thereof are provided to efficiently discharge and amplify photons generated in an active layer by forming a DBR(Distributed Bragg Reflector) layer under a light emitting diode, thereby generating resonance effect. CONSTITUTION: A light emitting diode(200) comprises a DBR layer(230), a P-type semiconductor layer(240), an active layer(250), and a N type semiconductor layer(260). A substrate(210) is formed under the light emitting diode. A heat emission metal part(270) emits heat generated in the light emitting diode. A first electrode layer is formed in the lower part of the substrate including the heat emission metal part. A second electrode layer(290) is formed in the upper part the light emitting diode. A submount(310) is formed in the lower part of the first electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种高效率的发热共振发光二极管封装及其制造方法，通过在发光二极管下形成DBR（分布式布拉格反射器）层，有效地对有源层中产生的光子进行放电和放大，从而产生共振 影响。 构成：发光二极管（200）包括DBR层（230），P型半导体层（240），有源层（250）和N型半导体层（260）。 衬底（210）形成在发光二极管的下方。 发热金属部件（270）发射在发光二极管中产生的热量。 第一电极层形成在包括发热金属部分的基板的下部。 第二电极层（290）形成在发光二极管的上部。 在第一电极层的下部形成有基座（310）。
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公开(公告)号：KR1020090092059A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017336
申请日：2008-02-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F1/565 , H01P5/02 , H03F3/60 , H03F2200/171 , H03H7/38
Abstract: An amplifier including an internal matching network is provided to minimize a size of a matching network by using an internal matching network as PI network performed by an inductor of a bond wire form and a capacitor using material of a high dielectric constant. A PI matching network comprises two high-capacitance capacitors(Ca) and an inductor(La). The inductor is positioned between the two high-capacitance capacitors. An internal PI matching network of 2 shift is formed by serially connecting the PI matching network into 2 shift. The internal PI matching network is formed by one capacitor instead of parallel connected two capacitors. The internal PI matching network is serially connected to an input terminal and an output terminal of an amplifier package. The high-capacitance capacitor is performed by laminating a metal pattern on a top surface and a bottom surface of a dielectric substrate inserted inside the package.
Abstract translation: 提供一种包括内部匹配网络的放大器，通过使用内部匹配网络作为PI网络，由接合线形式的电感器和使用高介电常数的材料的电容器来实现，从而使匹配网络的尺寸最小化。 PI匹配网络包括两个大电容电容器（Ca）和一个电感器（La）。 电感位于两个大容量电容器之间。 通过将PI匹配网络串行连接到2位移而形成2位移的内部PI匹配网络。 内部PI匹配网络由一个电容器组成，而不是并联两个电容器。 内部PI匹配网络串行连接到放大器封装的输入端子和输出端子。 大容量电容器通过在插入到封装内的电介质基板的上表面和底面上层叠金属图案来进行。
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公开(公告)号：KR1020090029905A
公开(公告)日：2009-03-24
申请号：KR1020070095079
申请日：2007-09-19
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: A semiconductor device and method for manufacturing thereof is provided to improve electrical and mechanical characteristics and by obtaining a nitride epitaxial thin film. A silicon substrate(300) is etched by a V shape by using a patterned etch stop as a mask. The silicon is exposed by the V-shape through the etching process. The distance of sides is smaller than that of sides of. The etch rate of side is slow than the etch rate of side. The patterned etch stop is removed by using a hydrogen fluoride(HF) solution. A transition layer(transition layer)(320) is overgrowth by using an epitaxial growth.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法以提高电气和机械特性，并通过获得氮化物外延薄膜。 通过使用图案化蚀刻停止件作为掩模，通过V形蚀刻硅衬底（300）。 硅通过蚀刻工艺被V形暴露。 边的距离小于边的距离。 侧面的蚀刻速率比侧面的蚀刻速度慢。 通过使用氟化氢（HF）溶液去除图案化的蚀刻停止层。 通过使用外延生长，过渡层（过渡层）（320）过度生长。
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公开(公告)号：KR1020090029896A
公开(公告)日：2009-03-24
申请号：KR1020070095067
申请日：2007-09-19
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/0649 , H01L29/66462
Abstract: A high electron mobility transistor and method for manufacturing thereof is provided to form nitride buffer layer by suppressing dislocation movement due to an oxide pattern. A buffer layer(220) having a transition layer(210) and high resistance are formed on a substrate. A first oxide layer is evaporated on a first buffer layer wile being formed by patterning the first oxide layer. A photosensitive layer is formed by spreading a photoresist on the surface of the first oxide layer uniformly. A certain resist pattern is formed by performing the selective exposure and developing process. A desired pattern is formed by selectively etching the first oxide layer, and the photoresist pattern is removed. A nitride buffer layer of the high definition is formed on the device formation part by suppressing the dislocation of the first oxide layer.
Abstract translation: 提供高电子迁移率晶体管及其制造方法，通过抑制由氧化物图形引起的位错移动而形成氮化物缓冲层。 在衬底上形成具有过渡层（210）和高电阻的缓冲层（220）。 在通过图案化第一氧化物层形成的第一缓冲层上蒸发第一氧化物层。 通过在第一氧化物层的表面上均匀地铺展光致抗蚀剂而形成感光层。 通过进行选择性曝光和显影处理形成一定的抗蚀剂图案。 通过选择性蚀刻第一氧化物层形成期望的图案，并去除光致抗蚀剂图案。 通过抑制第一氧化物层的位错，在器件形成部分上形成高清晰度的氮化物缓冲层。
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公开(公告)号：KR1020150125809A
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：KR1020140052556
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01S3/04
CPC classification number: H01S3/0405 , G02B27/149 , H01S5/02415
Abstract: 레이저영상기기용백색레이저모듈이제공된다. 본발명의실시예에따른백색레이저모듈은, 제1 레이저광원, 제2 레이저광원및 제3 레이저광원을층계형으로배치하여함께냉각시킨다. 이에의해, 레이저광원모듈의소형화를이룰수 있게되고, 열전소자와칠러를통해레이저광원모듈을냉각시켜방열문제를해소시킬수 있게된다.
Abstract translation: 提供了一种用于激光图像装置的白色激光模块。 根据本发明的实施例的白色激光模块具有第一激光光源，第二激光光源和第三激光光源的阶梯型结构并将其冷却。 由此，能够实现激光光源模块的小型化。 热辐射问题可以通过冷却激光光源模块通过热电元件和冷却器来解决。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150077036A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165858
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 레이저영상기기용화이트밸런스조정방법이제공된다. 본발명의실시예에따른레이저영상기기는, 레이저광원에서출사되는광을분리하는색분리광학계, 분리된광들의세기들을각각측정하는수광소자들및 수광소자들에서측정된세기들을기초로레이저광원을제어하여화이트밸런스를조정함에있어, 화이트밸런스조정에필요한광학계들을최소화시키면서도광 효율은극대화할수 있게된다.
Abstract translation: 本发明提供一种控制激光成像装置的白平衡的方法。 根据本发明的实施例，激光成像装置包括：分色光学系统，用于分离从激光光源注入的光; 用于分别测量分离的光的强度的光接收元件; 以及分析装置，用于基于在光接收元件中测量的强度来控制激光光源并控制白平衡，由此最小化控制白平衡所需的光学系统并使光效最大化。
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公开(公告)号：KR1020130055975A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121686
申请日：2011-11-21
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01S5/02248 , H01S5/02469 , H01S5/18366
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser device of a backlight pumping mode and a manufacturing method thereof are provided to secure productivity and reliability. CONSTITUTION: A semiconductor package(120) loads a laser chip which emits light of a first wave length by an optical pumping mode. A submount(110) emits heat which is generated from the semiconductor package to the outside. An optical epoxy(130) combines one side of the submount with the lower side of the semiconductor package. A mirror(140) is located to be separated from the upper side of the semiconductor package at a fixed distance, outputs light to the outside by transmitting a part of light which is generated in the laser chip, and reflects the rest of light to the laser chip. A pump laser unit(150) is arranged to face with the lower side of the submount and emits optical pumping light of a second wave length. [Reference numerals] (140) Mirror; (150) Pump laser unit; (AA) Light pumping; (BB) Transparent submount; (CC) Semiconductor structure; (DD) Vibrated laser beam; (EE) Emitted laser beam
Abstract translation: 目的：提供背光泵浦模式的半导体激光器件及其制造方法，以确保生产率和可靠性。 构成：半导体封装（120）加载通过光泵浦模式发射第一波长的光的激光芯片。 基座（110）将从半导体封装件产生的热量发射到外部。 光学环氧树脂（130）将基座的一侧与半导体封装的下侧结合。 反射镜（140）被定位成以固定距离与半导体封装的上侧分离，通过透射在激光芯片中产生的一部分光而将光输出到外部，并将其余的光反射到 激光芯片 泵激光单元（150）布置成与底座的下侧面对并且发射第二波长的光泵浦光。 （附图标记）（140）镜面; （150）泵浦激光单元; （AA）轻抽; （BB）透明底座; （CC）半导体结构; （DD）振动激光束; （EE）发射激光束
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公开(公告)号：KR101197174B1
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
Abstract: 본 발명은 고전압 질화물 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 오믹 접합의 어닐링 온도를 낮추어 질화물 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류의 원인인 금속 스파이크(metal spikes)를 줄이고, 쇼트키 접합 영역에 리세스 구조를 형성하여 높은 항복 전압을 확보하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 상부면에 전이층, 도핑되지 않은 GaN층 및 도핑된 GaN층이 순차적으로 적층된 기판을 준비한다. 도핑된 GaN층 위에 700 내지 800℃에서 30 내지 60초간 어닐링하여 오믹 접합을 형성한다. 오믹 접합이 형성된 영역에서 이격된 도핑된 GaN층에 리세스를 형성한다. 리세스 쇼트키 접합을 형성한다. 그리고 기판의 상부면으로 노출된 부분을 덮도록 보호층을 형성하되, 오믹 접합 및 쇼트키 접합 부분이 노출되게 보호층을 형성한다. 이때 쇼트키 접합은 도핑되지 않은 GaN층이 노출되게 도핑된 GaN층 부분을 식각하여 리세스를 형성하고, 리세스가 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 1차 어닐링한 후, 리세스에 쇼트키 금속을 형성하고, 쇼트키 금속이 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 2차 어닐링하여 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020120073543A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020100135342
申请日：2010-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: An optical module package for a molecular diagnostic device is provided to improve processing speed and accuracy and to enable quick and simple diagnosis. CONSTITUTION: An optical module package for a molecular diagnostic device comprises a light emitting device(110). The light emitting device is a light emitting diode(LED) or laser diode(LD). The light emitting device a first light emitting device(111) for emitting the light of a first wave length to the outside and a second light emitting device(112) for emitting the light of a second wave length to the outside. The package also comprises an optical waveguide(120) for guiding the emitted light to a sample(130). The optical waveguide is formed of polymer-based materials, glass-based materials, oxide, or semi-conductor.
Abstract translation: 目的：提供用于分子诊断装置的光学模块封装，以提高处理速度和精度，并能够快速简单地进行诊断。 构成：用于分子诊断装置的光学模块封装包括发光器件（110）。 发光器件是发光二极管（LED）或激光二极管（LD）。 发光器件用于向外部发射第一波长的光的第一发光器件（111）和用于将第二波长的光发射到外部的第二发光器件（112）。 封装还包括用于将发射的光引导到样品（130）的光波导（120）。 光波导由聚合物基材料，玻璃基材料，氧化物或半导体形成。
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公开(公告)号：KR101067653B1
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020090091353
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0232
Abstract: 본 발명은 광학 기기를 구비한 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 발광하는 발광 소자와, 상기 발광 소자의 발광 축을 조절하여 대상체에 대향하도록 하는 광학 장치를 포함하는 발광 소자 모듈; 및 상기 발광에 따라 형광을 발산하는 대상체에 대향하여 상기 형광을 수광하는 수광 소자를 구비하며 상기 발광 소자 모듈과 일체로 형성되는 수광 소자 모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 기기를 구비한 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈을 제공한다.
발광 소자, 수광 소자. 광학 기기, 밴드패스 필터
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