公开(公告)号：KR100408761B1

公开(公告)日：2003-12-11

申请号：KR1020010051103

申请日：2001-08-23

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  이승기 ,  김종팔 ,  박상준 ,  백승준 ,  김세태 ,  구치완

IPC: H01L21/308

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a (100) directional GaAs beam having a rectangular cross-section is provided to obtain a floated (100) directional GaAs beam by using a (001) GaAs substrate as a structural material. CONSTITUTION: An etch mask having a (100) directional boundary is patterned by using a (001) GaAs substrate. A stepped structure is formed perpendicularly to a wall face of a structure by wet etching or dry etching. The amount of undercut corresponds to the amount of etch to the direction of depth if the wet etching is done. A wall protection layer of the fabricated structure is formed. A (100) directional beam is floated by the wet etching of the structure having the wall protection layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有矩形截面的（100）定向GaAs束的方法，以通过使用（001）GaAs衬底作为结构材料来获得浮动（100）定向GaAs束。 构成：通过使用（001）GaAs衬底来图案化具有（100）定向边界的蚀刻掩模。 通过湿法蚀刻或干法蚀刻，垂直于结构的壁面形成台阶结构。 如果完成湿法蚀刻，底切量对应于深度方向上的蚀刻量。 制造的结构的壁保护层被形成。 （100）定向光束通过对具有壁保护层的结构进行湿法蚀刻而浮动。

公开(公告)号：KR1020020085211A

公开(公告)日：2002-11-16

申请号：KR1020010024607

申请日：2001-05-07

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  김종팔

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B81C1/00396 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/053

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an electrostatic vertical actuator by using one single crystalline silicon wafer is provided to for the electrostatic vertical actuator by using one single crystalline silicon wafer with a MEMS(Micro Electro Mechanical System) method. CONSTITUTION: The first silicon etch mask is deposited on a silicon wafer. A photoresist layer pattern is formed on the silicon etch mask by performing photo-lithography process. The second silicon etch mask is deposited and patterned thereon. The first silicon etch process is etched. The second etch mask is removed. The second silicon etch process is performed. A protective layer is formed thereon. The third silicon etch process is performed. A sacrificial layer is etched by using an alkali aqueous solution. The fourth silicon etch process is performed. A stepped structure is completed by removing the first silicon etch mask and the protective layer. An upper electrode and a lower electrode of a vertical actuator are formed thereon. A thermal oxide layer is deposited on the silicon wafer and a polysilicon is deposited thereon. The polysilicon of a bottom portion is etched by using an upper portion metal as an etch mask.

Abstract translation: 目的：通过使用具有MEMS（微机电系统）的一个单晶硅晶片，为静电垂直致动器提供使用一个单晶硅晶片制造静电垂直致动器的方法。 构成：第一硅蚀刻掩模沉积在硅晶片上。 通过进行光刻工艺在硅蚀刻掩模上形成光致抗蚀剂图案。 在其上沉积和图案化第二硅蚀刻掩模。 蚀刻第一硅蚀刻工艺。 第二蚀刻掩模被去除。 执行第二硅蚀刻工艺。 在其上形成保护层。 执行第三硅蚀刻工艺。 通过使用碱性水溶液蚀刻牺牲层。 执行第四硅蚀刻工艺。 通过去除第一硅蚀刻掩模和保护层来完成阶梯式结构。 在其上形成垂直致动器的上电极和下电极。 在硅晶片上沉积热氧化物层，并且在其上沉积多晶硅。 通过使用上部金属作为蚀刻掩模来蚀刻底部的多晶硅。

公开(公告)号：KR100338460B1

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：KR1019990001856

申请日：1999-01-22

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  김성욱 ,  김형진 ,  고재인

IPC: G08G1/042

CPC classification number: G08G1/042

Abstract: 본발명은루프센서를이용한차량검지장치에관한것으로서, 차량이통과하면서루프의인덕턴스변화에따른공진주파수가변화하는루프센서, 상기루프센서의공진주파수의변화를검지하여차량검지신호를출력하기위한 PLL, 상기 PLL과병렬로연결된주파수변화검지부, 및상기 PLL과주파수변화검지부의출력으로부터차량검지를판단하는마이컴을포함하는것을특징으로한다. 본발명에의한루프센서를이용한차량검지장치에의하면, 주파수변화검지부를 PLL에병렬로연결하여 PLL의출력신호와주파수변화검지부의출력신호를이용하여루프센서를루프센서를고속으로통과하는경우뿐만아니라, 저속으로통과하는차량도정확하게검지할수 있다.

公开(公告)号：KR100338459B1

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：KR1020000007110

申请日：2000-02-15

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  김형진 ,  이주형

IPC: G08G1/04

Abstract: 본 발명은, 송신된 초음파가 노면 또는 차량으로부터 반사되는 반사파의 차이를 감지하여 초음파 검지 영역내의 차량의 존재를 파악하는 초음파 교통량 검지 장치에 있어서, 초음파 센서를 차량의 통과 위치의 상위에 수직으로 설치하지 않고 도로변의 구조물에 수직이 아닌 일정한 각도로 설치하여 초음파의 검지 영역에 차량이 없는 경우, 노면반사파가 감지되지 않도록 하는 것임을 특징으로 하는 초음파 교통량 검지 장치에서 초음파 센서의 측면 설치 방법을 제공한다. 본 발명은, 종래의 오버헤드 설치 방법을 개선하여 초음파 센서를 도로변의 구조물에 측면으로 설치하여, 차량이 없는 경우에는 노면반사파가 초음파 센서에 감지되지 않도록 하여, 차량이 있는 경우와 차량이 없는 경우에 있어서, 반사파의 차이가 확연하여 두가지 경우를 용이하게 구분할 수 있을 뿐만 아니라, 설치가 간편하고 미관에 영향을 주지 않는 장점이 있다. 본 발명은 또한, 초음파 센서의 측면 설치시 검지기의 성능을 최적화하기 위하여 센서의 높이에 따른 최적의 설치 각도를 제시한다.

公开(公告)号：KR100338458B1

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：KR1020000007108

申请日：2000-02-15

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  김형진 ,  이주형 ,  김광수

IPC: G08G1/04

Abstract: 본 발명은 초음파 센서를 이용한 교통 정보 생성 방법에 관한 것으로서, 기설정 시간 동안의 차량의 평균 속도(v)와 평균 속도의 변화량(Δv)을 퍼지 시스템의 입력으로 하고, 차량 계수 보정을 위한 보정 주기(N)를 퍼지 시스템의 출력으로 하여, 퍼지 시스템에 의하여 보정 주기를 결정하는 단계(a); 및 상기 단계(a)에서 결정된 보정 주기 이상, 초음파 센서가 반사파를 수신하지 못할 때에 초음파 센서 검지 영역에 차량이 없다고 판단하는 단계(b)를 포함하는 것임을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 초음파 센서를 이용한 교통 정보 생성 방법에 의하면, 차량의 종류에 따라서, 한 대의 차량에 대한 검지 신호가 2개 이상으로 나타나게 되는 경우의 오차를 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR100332360B1

公开(公告)日：2002-04-12

申请号：KR1020000040121

申请日：2000-07-13

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: H01L29/84

Abstract: 본 발명은 단결정 실리콘 마이크로머시닝 기법으로 제작된 미세 각속도계에 관한 것으로서, 미세 각속도계 구조 중 절연할 구조물 전체를 스텝 커버리지가 좋은 공정으로 절연막을 형성하고, 스텝 커버리지가 좋은 전도막을 이용하여 상기 절연막 위로 전체적으로 전도막을 형성하고, 스텝 커버리지가 좋지 않은 금속을 이용하여 상기 전도막 위의 일부분에 형성되는 금속막으로 구성된, 절연막/전도막/금속막의 삼중막을 이용하되, 상기 삼중막 중 전도막을 부분적으로 식각하여 분리시킴에 의하여 미세 각속도계의 구조물간의 전기적인 절연을 구현하는 것임을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 단결정 실리콘 마이크로머시닝 기법으로 제작된 미세 각속도계는, SBM 공정과 산화막/다결정 실리콘막/금속막의 절연 공정을 도입하여 미세 구조물 사이의 간격이 좁고 종횡비가 큰 경우에도 적용될 수 있는 절연 방법을 사용하여, 구조물의 정전 용량을 증가시켜서, 결과적으로 해상도가 높은 장점이 있다. 또한 미세 구조물 제작 후, 절연 공정에서 구조물의 옆면에 증착 또는 성장되는 다결정 실리콘막과 산화막의 두께를 조절하여 수평 방향으로 움직이는 스프링의 폭을 조절할 수 있으며, 이러한 스프링의 폭의 조절을 통하여 스프링 상수와 구조물의 공진 주파수를 공정 단계에서 조절가능하다. 이와 같이, 공정 과정 중간에서 정전 용량이나 기계적 특성을 조절할 수 있는 것은, 제품 양산 공정에서의 수율 증가에 큰 이점이 된다. 또한, 본 발명에 의한 미세 각속도계는, 스프링의 중간이 구멍을만들어서 실리콘 딥 에칭 단계에서 발생하는 언더컷 현상이 스프링의 양 끝단 뿐만 아니라, 중간에 형성된 구멍에서도 발생하게 하여 스프링 부유를 위한 습식 식각 공정에 걸리는 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100291172B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019980006968

申请日：1998-03-03

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: H01H11/00

Abstract: PURPOSE: A multi switch structure layer using a polycrystalline silicon and a manufacturing method thereof are provided to realize a plurality of switches which are to be turned on/off in turn into one multi switch and manufacture a multi switch structure layer using a ball-socket joint structure. CONSTITUTION: A nitrogen layer is formed on a silicon substrate. A recess portion and a plurality of switches which are separated from each other are patterned on the first polycrystalline silicon layer. The first oxide layer is formed on the first polycrystalline silicon layer. The first oxide layer is patterned to flatten the first oxide layer and form a lower end protrusion part of a ball structure. A recess portion of the first oxide layer is patterned to form a recess in the silicon substrate. A socket structure is made by etching the silicon substrate and forming a recess on the silicon substrate. The second oxide layer is formed on the structure layer having the recess. The second polycrystalline silicon layer is formed on the structure layer having the second oxide layer. A ball-socket joint is formed by removing the second oxide layer through a sacrificial etching.

公开(公告)号：KR100288131B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019980005631

申请日：1998-02-23

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A polysilicon structure layer of a rocker arm type and a fabrication method thereof is provided to simplify a process and improve a durability of a small digital micro mirror apparatus by manufacturing the digital micro mirror apparatus without providing a hinge structure. CONSTITUTION: After forming a nitride layer(2) on the substrate(1), the nitride layer is patterned to form a recess(10) on the substrate. A first polycrystalline silicon layer(3) is formed and patterned on the patterned nitride layer. A first oxide layer(4) is formed on the first polycrystalline silicon layer, The first oxide layer is patterned to form a protrusion(30) of a rocker arm. The oxide layer is patterned to a recess on the substrate. The recess is formed on the substrate by etching the substrate. A second oxide layer(5) is formed into the recess. A second polycrystalline silicon layer(6) is formed on the second oxide layer and patterned. The rocker arm structure(20) is completed by etching the first and the second oxide layer.

公开(公告)号：KR1019990069896A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980004424

申请日：1998-02-13

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 수직 운동 미세기계시스템의 공기저항 감소를 위한 구조층 및 그 제조공정에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 자이로스코프와 같이 수직 운동을 하는 미세기계시스템에서, 수직 운동 방향과 직각인 방향으로 형성된 포켓 모양의 요홈에 의하여, 시스템의 수직운동시 스퀴즈 필름 댐핑을 감소시키는 구조층과 그 제조 공정을 제공한다. 본 발명에 의하여 스퀴즈 필름 댐핑이 감소된 자이로스코프는 종래에 비하여 고진공 팩킹 요구 조건을 완화할 수 있고, Q-계수 향상으로 응답 속도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명에서 제시하는 제조 공정은 반도체 소자 제조 기술로 구현할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019960043854A

公开(公告)日：1996-12-23

申请号：KR1019950014116

申请日：1995-05-31

Applicant: 대우전자주식회사 ,  조동일 ,  주종남

Inventor： 조동일 ,  주종남

IPC: H04N5/74

Abstract: 본 발명은 투사형 화상표시 시스템에 채용되어 광원에서 방사되는 광의 광로를 조절하기 위한 광로조절장치에 있어서, 실리콘기판(40)상에 형성된 하부전극(42)과, 그 하부전극(42)과 소정의 간격으로 이격설치되어 상기 광의 광로를 조절하기위한 인덕터(44)를 형성하는 미러부재(46)와 상부전극(48), 상기 미러부재(46)의 양단을 화소단위의 프레임에 연결하면서상기 미러부재(46)의 경사작용을 지원하는 1쌍의 지지부(50a,50b)를 갖추어 구성되고, 상기 상부전극(48)은 상기 미러부재(46)상에 형성되어 상기 하부전극(42)과 전기적인 인덕터(44)를 형성하여 그 전극간에 작용하는 전자력(電磁力)에 의해상기 미러부재(46)의 경사각을 설정하도록 된 것이다.