公开(公告)号：KR3006747810000S

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR3020120049307

申请日：2012-10-17

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈

公开(公告)号：KR3006720840000S

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：KR3020120049313

申请日：2012-10-17

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈

公开(公告)号：KR100753583B1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：KR1020060034420

申请日：2006-04-17

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 이우선 ,  최권우 ,  김남훈 ,  서용진

IPC: C09K3/14

Abstract: Provided is a method for preparing a mixture abrasive slurry for CMP (chemical mechanical polishing) to improve polishing selectivity and to lower RMS surface roughness. A method comprises the steps of (S10, S20) mixing a BaCO3 powder and a TiO2 powder in a ratio of 1:1 with deionized water; (S30) milling the obtained one by using a zirconia ball and (S40) drying it; (S50) molding the dried one in a mold at a pressure of 6,000 kgf/cm^2; (S60, S70) sintering the molded one to prepare a BTO (BaTiO3) target; and (S80) pulverizing the BTO target to prepare a BTO abrasive and (S90) mixing the BTO abrasive with a slurry raw solution.

Abstract translation: 提供一种用于制备用于CMP（化学机械抛光）的混合物研磨浆料的方法，以提高抛光选择性并降低RMS表面粗糙度。 一种方法包括以下步骤：（S10，S20）将BaCO 3粉末与TiO 2粉末以1：1的比例与去离子水混合; （S30）通过使用氧化锆球研磨所获得的一个并且（S40）将其干燥; （S50）在6,000kgf / cm 2的压力下将干燥的模具在模具中模制; （S60，S70）烧结成型体以制备BTO（BaTiO3）靶; 和（S80）粉碎所述BTO靶以制备BTO研磨剂，和（S90）将所述BTO研磨剂与浆料原液混合。

公开(公告)号：KR3008446880000S

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：KR3020150036428

申请日：2015-07-20

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈

公开(公告)号：KR3008277270000S

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：KR3020150036425

申请日：2015-07-20

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈

公开(公告)号：KR3007996210000S

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：KR3020140051252

申请日：2014-10-27

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈

公开(公告)号：KR3007996230000S

公开(公告)日：2015-06-08

申请号：KR3020140051255

申请日：2014-10-27

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈

公开(公告)号：KR3007996220000S

公开(公告)日：2015-06-08

申请号：KR3020140051253

申请日：2014-10-27

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈

公开(公告)号：KR101521450B1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020130009267

申请日：2013-01-28

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 김남훈 ,  오성하 ,  이우선

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/34

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은 CuSe2를타겟으로하는비셀렌화스퍼터링공정을이용한 CIGS 박막제조방법에관한것으로서, CuSe2 타켓으로스퍼터링증착을수행하여 CIGS 박막을제조하기위한방법을제공함에그 목적이있다. 이러한목적을달성하기위한본 발명은, (a) 기판에마련된 CuSe2 타겟에프리스퍼터링수행하는단계; (b) RF 마그네트론스퍼터링수행하는단계; 및 (c) Ga/In/CuSe다층스택구조를생성하기위하여, 인듐(In) 및갈륨(Ga) 타겟을 RF 스퍼터링을수행하여 CuSe2 박막위에증착하는단계; 를포함한다.

公开(公告)号：KR3007316460000S

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR3020130049501

申请日：2013-09-30

Applicant: 조선대학교산학협력단

Designer： 김남훈