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公开(公告)号：KR101521450B1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020130009267
申请日：2013-01-28
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은 CuSe2를타겟으로하는비셀렌화스퍼터링공정을이용한 CIGS 박막제조방법에관한것으로서, CuSe2 타켓으로스퍼터링증착을수행하여 CIGS 박막을제조하기위한방법을제공함에그 목적이있다. 이러한목적을달성하기위한본 발명은, (a) 기판에마련된 CuSe2 타겟에프리스퍼터링수행하는단계; (b) RF 마그네트론스퍼터링수행하는단계; 및 (c) Ga/In/CuSe다층스택구조를생성하기위하여, 인듐(In) 및갈륨(Ga) 타겟을 RF 스퍼터링을수행하여 CuSe2 박막위에증착하는단계; 를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020070102002A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020060033573
申请日：2006-04-13
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: C09K3/14
Abstract: A method for preparing a slurry abrasive for CMP process from a waste CMP slurry and a slurry abrasive produced thereby are provided to reduce the cost for CMP process as well as to improve CMP performances. A method for preparing a slurry abrasive for CMP process from a waste CMP slurry comprises the extraction process(S10) of extracting a silica abrasive from a waste slurry used in chemical mechanical polishing(CMP) process, the heat-treatment process(S20) of heating and drying the extracted silica abrasive, the pulverization process(S30) of pulverizing the heat-treated silica abrasive to prepare a silica powder, and the mixing process(S40) of mixing the produced silica powder with a slurry original liquid. In the method, the extraction process is performed by drying the waste slurry to obtain a silica abrasive or filtrating the waste slurry through a membrane filter having a pore of 1.25 micrometer.
Abstract translation: 提供了一种从废CMP浆料制备用于CMP工艺的浆料研磨剂和由此制备的浆料研磨剂的方法，以降低CMP工艺的成本以及改善CMP性能。 从废CMP浆料制备用于CMP工艺的浆料磨料的方法包括从化学机械抛光（CMP）工艺中使用的废浆中提取二氧化硅磨料的提取方法（S10）， 加热干燥提取的二氧化硅研磨剂，粉碎加热处理的二氧化硅磨料的粉碎工序（S30），制备二氧化硅粉末，以及将生成的二氧化硅粉末与浆料原液混合的混合工序（S40）。 在该方法中，通过干燥废浆来获得二氧化硅磨料或通过孔径为1.25微米的膜过滤器过滤废浆来进行萃取过程。
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公开(公告)号：KR1020090051641A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070118123
申请日：2007-11-19
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L21/304 , B24B37/26 , B24B37/04
Abstract: 본 발명은 연마작업시 슬러리의 배출을 원활하게 하고, 슬러리 잔류물들과 오염물질의 방출이 용이한 화학적 기계적 연마장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 웨이퍼를 연마하는 연마패드가 장착된 화학적 기계적 연마장치에 있어서, 상기 연마패드는, 상하방향으로 관통 형성되어 슬러리가 배출되는 관통홀과; 상기 연마패드의 상면에 형성되어 상기 슬러리가 유동하는 유동홈; 을 포함하여 이루어지되, 상기 유동홈은 상기 관통홀과 연통되는 것을 특징으로 한다.
연마패드, 슬러리, 유동홈-
公开(公告)号：KR100744099B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060033371
申请日：2006-04-12
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: A slurry supply nozzle for chemical mechanical polishing equipment is provided to enhance the polishing rate of an object by using the hot slurry. A slurry supply nozzle(10) is communicated with a pump for circulating slurry so that it supplies the slurry onto a pad. A temperature sensor(12) is mounted on the nozzle to detect a temperature of the slurry supplied to the nozzle, and a heat coil(14) is wound around an outer periphery of the nozzle to heat the slurry so that the hot slurry is supplied on the pad attached to a polishing table(30). The temperature sensor and the heat wire are controlled by a controller(16).
Abstract translation: 提供用于化学机械抛光设备的浆料供应喷嘴，以通过使用热浆料来提高物体的抛光速率。 浆料供应喷嘴（10）与用于循环浆料的泵连通，以便将浆料供应到垫上。 温度传感器（12）安装在喷嘴上以检测供应到喷嘴的浆液的温度，并且加热线圈（14）缠绕在喷嘴的外周边上以加热浆液，从而供应热浆液 在连接到抛光台（30）的垫上。 温度传感器和加热丝由控制器（16）控制。
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公开(公告)号：KR1020140097645A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020130009267
申请日：2013-01-28
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , C23C14/34 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a CIGS thin film using a non-selenization sputtering process with a CuSe2 target. The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a CIGS thin film by performing a sputtering deposition process with a CuSe2 target. To achieve the purpose, the present invention includes (a) a step of performing a free sputtering process on a CuSe2 target prepared on a substrate; (b) a step of performing an RF magnetron sputtering process; and (c) a step of depositing an In and Ga target on the CuSe2 thin film by performing an RF sputtering process to generate a Ga/In/CuSe2 multilayer stack structure.
Abstract translation: 本发明涉及使用CuSe 2靶的非硒化溅射法制造CIGS薄膜的方法。 本发明的目的是提供一种通过用CuSe 2靶进行溅射沉积工艺制造CIGS薄膜的方法。 为了实现该目的，本发明包括（a）对在基板上制备的CuSe 2靶进行自由溅射工艺的步骤; （b）执行RF磁控溅射工艺的步骤; 以及（c）通过进行RF溅射工艺以生成Ga / In / CuSe 2多层堆叠结构，在CuSe 2薄膜上沉积In和Ga靶的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100137278A
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：KR1020090055620
申请日：2009-06-22
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: B24B41/06 , B24B37/04 , H01L21/68714
Abstract: PURPOSE: A water holder for a CMP machine is provided to polish a plurality of wafers and suppress wafer waste by holding and polishing a smaller wafer than an absorption area required in an absorption head. CONSTITUTION: A base substrate is held by the absorption of an absorption head. A wafer holder(10) is used by the absorption of an absorption head(120) of a chemical and mechanical polishing device. An absorption head has an absorption path on the bottom and vacuum-absorbs the wafer holder. The wafer holder includes a base substrate(11), an adhesive pad(13), and a restriction plate(15).
Abstract translation: 目的：提供一种用于CMP机器的保持器，用于抛光多个晶片并通过保持和抛光比吸收头中所需的吸收区域更小的晶片来抑制晶片废料。 构成：通过吸收头的吸收来保持基底。 通过吸收化学和机械抛光装置的吸收头（120）来使用晶片保持器（10）。 吸收头在底部具有吸收路径，并且真空吸收晶片保持器。 晶片保持器包括基底（11），粘合垫（13）和限制板（15）。
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公开(公告)号：KR100753583B1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：KR1020060034420
申请日：2006-04-17
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: C09K3/14
Abstract: Provided is a method for preparing a mixture abrasive slurry for CMP (chemical mechanical polishing) to improve polishing selectivity and to lower RMS surface roughness. A method comprises the steps of (S10, S20) mixing a BaCO3 powder and a TiO2 powder in a ratio of 1:1 with deionized water; (S30) milling the obtained one by using a zirconia ball and (S40) drying it; (S50) molding the dried one in a mold at a pressure of 6,000 kgf/cm^2; (S60, S70) sintering the molded one to prepare a BTO (BaTiO3) target; and (S80) pulverizing the BTO target to prepare a BTO abrasive and (S90) mixing the BTO abrasive with a slurry raw solution.
Abstract translation: 提供一种用于制备用于CMP（化学机械抛光）的混合物研磨浆料的方法，以提高抛光选择性并降低RMS表面粗糙度。 一种方法包括以下步骤：（S10，S20）将BaCO 3粉末与TiO 2粉末以1：1的比例与去离子水混合; （S30）通过使用氧化锆球研磨所获得的一个并且（S40）将其干燥; （S50）在6,000kgf / cm 2的压力下将干燥的模具在模具中模制; （S60，S70）烧结成型体以制备BTO（BaTiO3）靶; 和（S80）粉碎所述BTO靶以制备BTO研磨剂，和（S90）将所述BTO研磨剂与浆料原液混合。
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公开(公告)号：KR100744102B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060033370
申请日：2006-04-12
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L21/687 , H01L21/208
Abstract: A vacuum chuck for a spin coater is provided to suck a wafer by distributing vacuum and deposit various sizes of waves by using one vacuum chuck. A plate-type vacuum suction plate(20) is provided on a rotary plate(10) which is fixed to a shaft of a vacuum chuck. The vacuum suction plate has at least one vacuum port(22) at its center portion, and a pair of auxiliary vacuum suction ports(24) penetrating the plate. A vacuum adjusting plate(30) is installed in the rotary plate to open/close an auxiliary suction port(24) of the vacuum suction plate. The vacuum adjusting plate has an opening surface(32), a first closing surface and a second closing surface(36).
Abstract translation: 提供用于旋涂机的真空卡盘以通过使用一个真空吸盘分配真空并沉积各种尺寸的波来吸附晶片。 在固定在真空卡盘的轴上的旋转盘（10）上设置有板状的真空吸附板（20）。 真空吸板在其中心部分具有至少一个真空口（22），以及穿透该板的一对辅助真空抽吸口（24）。 真空调节板（30）安装在旋转板中以打开/关闭真空吸板的辅助吸入口（24）。 真空调节板具有开口表面（32），第一封闭表面和第二封闭表面（36）。
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公开(公告)号：KR200422419Y1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR2020060009819
申请日：2006-04-12
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: B24B53/017 , B24B53/12 , B24B55/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B08B1/002 , B24B53/02 , B24B53/12 , H01L21/30625
Abstract: 본 고안은 씨엠피 복합 컨디셔너에 관한 것으로, 보다 상세하게는 폴리싱 패드의 컨디셔닝시 폴리싱 패드의 마모 및 손상을 최소화하여 life time을 증가시킴과 아울러 브러쉬에 의한 컨디셔닝을 통해 폴리싱 패드의 다공성 및 거칠기를 확보하여 평탄화 특성을 개선시킬 수 있는 씨엠피 복합 컨디셔너에 관한 것이다.
본 고안은 CMP 장비의 폴리싱 패드의 표면에 밀착되어 상기 폴리싱 패드를 컨디셔닝하도록 하측 표면에 다이아몬드 입자가 부착된 컨디셔너에 있어서, 상기 컨디셔너(10)는 원형 또는 막대형으로 형성되되, 상기 폴리싱 패드(20)의 마모를 감소시키도록 상기 컨디셔너(10)의 표면 중 일측에는 상기 다이아몬드 입자(12)가 부착되고 나머지 일측에는 브러쉬(14)가 착탈가능하게 부착되어 형성된 것을 특징으로 한다.
CMP, 컨디셔닝, 폴리싱 패드, 다이아몬드 입자, 브러쉬-
公开(公告)号：KR100908017B1
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020070115738
申请日：2007-11-13
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: B24B53/095 , B24B53/12
Abstract: 본 발명은 연마패드의 오염물을 제거하여 전체적인 수명을 연장하고, 연마특성을 향상시키기 위한 연마패드 컨디셔닝 장치를 제공하기 위한 것이다.
상기 연마패드 컨디셔닝 장치는 하우징과; 상기 하우징에 장착되어 연마패드를 컨디셔닝하는 컨디셔너 패드와; 상기 하우징에 장착되어 탈이온수를 배출하는 노즐과; 상기 하우징에 장착되어 상기 노즐 내부로 유동하는 탈이온수를 가열하는 가열장치와; 상기 탈이온수의 온도를 감지하는 온도센서와; 상기 온도센서로부터 데이터를 받아들여 상기 가열장치의 온도를 조절하는 제어부; 를 포함하여 이루어진다.
연마패드, 컨디셔닝, 탈이온수Abstract translation: 发明内容本发明涉及一种用于从抛光垫去除污染物以延长整体使用寿命并改善抛光特性的抛光垫调节设备。
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