-
公开(公告)号：KR1020030029755A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：KR1020010062451
申请日：2001-10-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
Abstract: PURPOSE: A magnetoresistive thin film with superior thermal characteristics for a top or bottom type spin valve and a method for manufacturing the same are provided to prevent the diffusion of elements generated in respective layers by forming a proper oxide layer in the laminate structure and the transmission of Mn generated in an antiferromagnetic layer to other layers, thereby improving the thermal characteristics. CONSTITUTION: A magnetoresistive thin film with superior thermal characteristics for a top type spin valve is in the laminate structure of a buffer layer, a first ferromagnetic layer, a nonmagnetic layer, a second ferromagnetic layer, an oxide layer, another second ferromagnetic layer, an antiferromagnetic layer, and a protecting layer stacked on a substrate in sequence. The structure is formed by deposition in the DC magnetron sputtering and the oxide layer is introduced in the process of the deposition.
Abstract translation: 目的：提供一种用于顶部或底部型自旋阀的具有优异热特性的磁阻薄膜及其制造方法，以通过在层叠结构中形成适当的氧化物层，并且在透光性 在反铁磁层中产生的Mn与其它层的结合，从而提高了热特性。 构成：用于顶部型自旋阀的具有优异热特性的磁阻薄膜在缓冲层，第一铁磁层，非磁性层，第二铁磁层，氧化物层，另一第二铁磁层， 反铁磁性层和依次层叠在基板上的保护层。 该结构通过在DC磁控溅射中沉积形成，并且在沉积过程中引入氧化物层。
-
公开(公告)号：KR100140788B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019950006875
申请日：1995-03-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C45/02
Abstract: 본 발명은 다음 조성식으로 표시되며 평균 입경이 5 내지 20nm인 결정립으로 된 것을 특징으로 하는, 자심 손실이 적고 고주파 특성이 우수한 철계 극박형 초미세 결정 합금 및 그의 극박형 박대의 제조 방법에 관한 것이다.
Fe
100-xyzw B
w Nb
y Cu
z M
w
식중, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Y, Zr, Mo, Hf 및 Ta 중에서 선택된 1개 이상의 원소이며, x, y, z 및 w는 각각 원자 %로서 5≤x≤15, 5≤y≤15,0≤z≤5, 0≤w≤5 및 10≤x+y+z+w≤40을 만족시키는 수이다.-
公开(公告)号：KR1019970021349A
公开(公告)日：1997-05-28
申请号：KR1019950036726
申请日：1995-10-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C38/06
Abstract: 본 발명은 하기 조성식(Ⅰ) 및 (Ⅱ)로 표시되는 조성을 갖는 용융 상태의 모합금을 초급냉시켜 비정질상을 만든 다음, 이를 이 비정질상의 결정화 온도 이하 및 이상의 온도에서 각각 열처리하여 제조한 구조 이완된 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금 및 결정립의 입도가 약 5 내지 20nm인 bcc상 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금에 관한 것이다. 본 발명의 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금은 약 10,000~30,000의 실효 투자율, 36mOe이하의 보자력 및 0.5~1.2T의 포화 자속 밀도를 나타내며, 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금은 10,000~30,000의 투자율, 40mOe 이하의 보자력 및 1.3~1.5T의 큰 포화 자속 밀도를 나타내어 각종 전기·전자 기기에서의 에너지 변환 소자, 출력 제어 소자, 노이즈 감쇄 소자 및 센서 소자 등의 기능 부품으로서 사용이 가능하다.
-
-
公开(公告)号：KR100756367B1
公开(公告)日：2007-09-10
申请号：KR1020050084067
申请日：2005-09-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C45/02
Abstract: 본 발명은 바이폴라 플레이트용 비정질 합금 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 바이폴라 플레이트용 비정질 합금은 일반식 Fe
100-abcdefg Cr
a Mo
b C
c B
d Y
e M
f I
g 의 조성을 가진다. 여기서, M은 Al, Co, N 및 Ni 중에서 선택된 하나 이상의 원소이고, I는 불순물로서 Mn, P, S 및 O 중에서 선택된 하나 이상의 원소이며, a, b, c, d, e, f, g는 각각 16.0wt%≤a≤22.0wt%, 15.0wt%≤b≤27.0wt%, 2.0wt%≤c≤3.5wt%, 1.0wt%≤d≤1.5wt%, 1.0wt%≤e≤3.5wt%, 0.25wt%≤f≤3.0wt%, 0.01wt%≤g≤0.5wt% 이다.
비정질 합금, 연료전지, 바이폴라 플레이트-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100716679B1
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：KR1020050101709
申请日：2005-10-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05K9/00
Abstract: 본 발명은 불필요한 전자기파를 줄이기 위해 그래뉼라 자성합금층/절연성 고분자층의 노이즈 감쇄층을 실리콘 회로기판 또는 연성회로기판 내부/상부에 형성함으로써 휴대전화, 무선전화, 디지털 카메라 또는 사무자동화기기 내부에 실장하여 전자파 노이즈에 의한 내부간섭, 누화에 의한 불요 신호방해, 또는 오작동을 방지하기 위해 제안된 것이다.
Co-Fe/Ni-Fe 자성합금층/폴리이미드층으로 형성된 노이즈 감쇄층을 기판에 적용하여 플렉서블 소자에 응용할 수 있으며 얇은 두께에서도 노이즈 저감특성을 가지는 효과가 있다.
기판, 노이즈 감쇄층, 그래뉼라 자성합금층, 절연성 고분자층.-
公开(公告)号：KR1020060124480A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050046432
申请日：2005-05-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F9/00
Abstract: A method for inexpensively preparing flake-shaped amorphous powder obtained by flaking an amorphous alloy, and the flake-shaped amorphous powder prepared by the same are provided. A preparation method of amorphous powder flakes comprises: a first step of rapidly solidifying an amorphous alloy to obtain amorphous powder; and a second step of milling the amorphous powder using a high energy mill to obtain amorphous powder flakes. The amorphous powder in the first step is at least one selected from Fe, Si, B, Cr, C, Nb and Cu. The amorphous powder in the first step comprises 88.5 to 90.5 wt.% of Fe, 6.0 to 9.0 wt.% of Si and 2.0 to 3.5 wt.% of B. The amorphous powder in the first step is obtained by milling the atomized or spun alloy melt after gas atomizing, centrifugal atomizing, water atomizing or melt spinning melt of an alloy comprising constituents composing the amorphous powder. The amorphous powder in the first step has a particle size of 200 mum or less.
Abstract translation: 提供了通过剥离非晶态合金而获得的片状无定形粉末及其制备的片状无定形粉末的廉价制备方法。 无定形粉末薄片的制备方法包括：快速固化非晶合金以获得无定形粉末的第一步骤; 以及使用高能磨机研磨无定形粉末以获得无定形粉末薄片的第二步骤。 第一步中的无定形粉末是选自Fe，Si，B，Cr，C，Nb和Cu中的至少一种。 第一步中的无定形粉末包含88.5-90.5重量％的Fe，6.0-9.0重量％的Si和2.0-3.5重量％的B.第一步中的无定形粉末是通过研磨雾化的或旋转的 含有构成无定形粉末的成分的合金的气体雾化，离心雾化，水雾化或熔融纺丝熔融后的合金熔体。 第一步中的无定形粉末的粒径为200μm以下。
-
公开(公告)号：KR1020060104493A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026711
申请日：2005-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C11/161 , B82Y25/00 , G11C5/02 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 본 발명은 수직 전류 인가(Current Perpendicular to Plane : CPP) 방식의 나노 크기 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 나노 크기의 메모리 소자의 셀 제작시, 건식 식각을 사용하는 대신, 습식 식각을 사용하여 나노 크기의 안정적인 셀을 형성하는데 특징이 있다. 본 발명에서는 특히 열산화 처리된 기판의 열산화막을 일부 식각하고 그 위에 하부 전극을 형성함으로써 절연막의 두께를 줄일 수 있고 또한 습식 식각 시간을 감소시킨다. 따라서, 전자빔 리지스트의 손상이 감소되고, 하부 전극의 접착력이 증가할 뿐만 아니라 하부 전극을 평탄하게 하여 안정적으로 나노 크기의 셀을 증착할 수 있다.
자기저항, 수직 전류 인가, 열산화막 식각, 습식 식각-
公开(公告)号：KR100597714B1
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020010057534
申请日：2001-09-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
Abstract: 본 발명은 열적특성이 향상된 ＭＲＡＭ용 ＴＭＲ소자 및 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 TMR구조중 피고정층인 제1강자성층에 산화층을 형성하여 반강자성층에서 발생하는 Mn확산을 차단, 다른 층으로 이동하는 것을 막아 줌으로써 TMR소자의 열적 특성을 향상시킴과 동시에 열처리를 통하여 균일한 산화층을 형성할 수 있는 것이다.
그러므로 MRAM 제조시 CMOS와의 결합을 위해 적용되는 플라즈마 향상 화학 기상증착법 및 소결 공정등의 요구조건에 적합하다.
MRAM, 터널링 자기소자, 산화층, 열적특성, 자기저항비, 교환자기이방성-
公开(公告)号：KR1020040020663A
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020020052322
申请日：2002-08-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a bridge sensor using an exchange bias type spin valve is provided to obtain the full-bridge characteristic by controlling differently variations of resistance direction of four resistors on one substrate. CONSTITUTION: A mask pattern is formed on a predetermined region of a flat substrate. A photoresist layer is formed thereon. The first spin valve layer is deposited on a predetermined region for forming two resistor elements having the same spinning direction. The photoresist layer is removed therefrom. A mask pattern is formed on the first spin valve layer. A photoresist layer is formed thereon. The second spin valve layer is deposited on a predetermined region for forming two resistor elements having the same spinning direction. The photoresist layer is removed therefrom. A mask for four resistor element patterns is formed and an etch process for the mask is performed. A wiring forming process is performed to form contact lines of four resistor elements.
Abstract translation: 目的：提供一种使用交流偏置型自旋阀制造桥式传感器的方法，通过控制一个基板上四个电阻器的电阻方向的不同变化来获得全桥特性。 构成：在平坦基板的预定区域上形成掩模图案。 在其上形成光致抗蚀剂层。 第一自旋阀层沉积在用于形成具有相同纺丝方向的两个电阻元件的预定区域上。 从其中除去光致抗蚀剂层。 在第一自旋阀层上形成掩模图案。 在其上形成光致抗蚀剂层。 第二自旋阀层沉积在用于形成具有相同纺丝方向的两个电阻元件的预定区域上。 从其中除去光致抗蚀剂层。 形成用于四个电阻元件图案的掩模，并且执行掩模的蚀刻工艺。 执行布线形成处理以形成四个电阻元件的接触线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.021 seconds)
