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    ＣＩＳ계 박막 코팅 장치
    32.
    发明授权
    ＣＩＳ계 박막 코팅 장치 有权
    涂布基于电影的设备

    公开(公告)号：KR101370637B1

    公开(公告)日：2014-03-12

    申请号：KR1020120116573

    申请日：2012-10-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이도권 ,  김홍곤 ,  고민재 ,  김진영 ,  김봉수

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0749

    Abstract: The present invention relates to a device for coating a CIS based film. More particularly, the present invention relates to a device for coating a CIS based film which can be used in fabrication of all semiconductor thin films where light is absorbed and electron-hole pairs can be formed. According to the embodiment of the present invention, the device for coating a CIS based film which can be used in fabrication of all semiconductor thin films where light is absorbed and electron-hole pairs can be formed, uses a self-accelerated photoelectrochemical deposition phenomenon. According to the embodiment of the present invention, the device for coating a CIS based film can fabricate a CIS thin film with a compact microstructure and a flat and uniform surface.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂布CIS基膜的装置。 更具体地说，本发明涉及一种用于涂布CIS基膜的装置，其可用于制造所有可以吸收光并且可以形成电子 - 空穴对的半导体薄膜。 根据本发明的实施方式，可以形成可以用于制造吸收光的全部半导体薄膜和电子 - 空穴对的CIS基膜的涂布装置，采用自加速光电化学沉积现象。 根据本发明的实施例，用于涂布CIS基膜的装置可以制造具有紧凑的微结构和平坦且均匀的表面的CIS薄膜。

    염료감응 태양전지용 광전극과 그 제조방법 및 이를 이용한 염료감응 태양전지
    35.
    发明公开
    염료감응 태양전지용 광전극과 그 제조방법 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 有权
    用于透明的太阳能电池的电极，其制备方法和使用它的太阳能电池

    公开(公告)号：KR1020130027000A

    公开(公告)日：2013-03-14

    申请号：KR1020120098724

    申请日：2012-09-06

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 고민재 ,  이도권 ,  김봉수 ,  김홍곤 ,  최인석 ,  유기천 ,  이진아 ,  김경곤

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01G9/2031 ,  B82Y30/00 ,  H01G9/2095 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

    Abstract: PURPOSE: A photoelectrode for a dye-sensitized solar cell, a manufacturing method thereof, and the dye-sensitized solar cell using the same are provided to improve durability, mechanical intensity, and photoelectric efficiency by using the photoelectrode as a semiconductor electrode. CONSTITUTION: A conductive substrate(103) includes a substrate(101) and a conductive film(102). The conductive substrate includes a glass substrate coated with a conductive film, a flexible plastic substrate, or a metal substrate. A porous film(107) is formed on the conductive substrate. A porosity of the porous film is 30 to 80 %. A thickness of the porous film is 1 to 100 um. The porous film includes a metal oxide nanoparticle layer absorbing photosensitive materials and a polymer layer formed on the surface of the metal oxide nanoparticle layer.

    Abstract translation: 目的：提供用于染料敏化太阳能电池的光电极及其制造方法以及使用其的染料敏化太阳能电池，以通过使用光电极作为半导体电极来提高耐久性，机械强度和光电效率。 构成：导电基板（103）包括基板（101）和导电膜（102）。 导电性基板包括涂覆有导电膜的玻璃基板，柔性塑料基板或金属基板。 在导电性基板上形成有多孔膜107。 多孔膜的孔隙率为30〜80％。 多孔膜的厚度为1〜100μm。 多孔膜包括吸收感光材料的金属氧化物纳米颗粒层和形成在金属氧化物纳米颗粒层的表面上的聚合物层。

    ＺｎＳ 나노벨트 상온 자성반도체 제조방법
    36.
    发明授权
    ＺｎＳ 나노벨트 상온 자성반도체 제조방법 失效
    制造室温NANOBELTS ZNS FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR的方法

    公开(公告)号：KR100666729B1

    公开(公告)日：2007-01-09

    申请号：KR1020050062311

    申请日：2005-07-11

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이우영 ,  김봉수 ,  정원용 ,  이관희 ,  심우영 ,  강태준

    IPC: H01L43/10 ,  B82Y25/00

    CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  H01L43/12

    Abstract: A method for manufacturing room temperature nano-belts ZnS ferromagnetic semiconductor is provided to realize spintronics by growing ZnS nano-belts doped with Mn and Fe on a substrate. A semiconductor manufacture apparatus is comprised of a reaction chamber(1), a quartz tube(3), and an alumina boat(7) for accommodating a mixed powder. A substrate(5) coated with Au colloid and a mixed powder made of ZnO, FeS, and MnCl2 are placed in an inner of the reactive chamber. The mixed powder is heated to be vaporized. Upon supplying Ar gas into the reactive chamber and moving the vaporized mixed powder, ZnS nano-belts doped with Mn and Fe is grown on the substrate.

    Abstract translation: 提供制造室温纳米带ZnS铁磁半导体的方法，通过在衬底上生长掺杂有Mn和Fe的ZnS纳米带来实现自旋电子学。 半导体制造装置由用于容纳混合粉末的反应室（1），石英管（3）和氧化铝舟（7）组成。 将涂有Au胶体的基材（5）和由ZnO，FeS和MnCl 2制成的混合粉末放置在反应室的内部。 混合的粉末被加热以汽化。 在将Ar气体供应到反应室中并移动蒸发的混合粉末时，在衬底上生长掺杂有Mn和Fe的ZnS纳米带。

    유무기 하이브리드 적층형 태양전지
    37.
    发明授权
    유무기 하이브리드 적층형 태양전지 有权
    混合式TANDEM太阳能电池

    公开(公告)号：KR101535000B1

    公开(公告)日：2015-07-08

    申请号：KR1020140001888

    申请日：2014-01-07

    Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  한국과학기술연구원

    Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  신종훈 ,  정준희 ,  봉성재 ,  한승희 ,  김봉수 ,  김태희 ,  김진영 ,  손해정 ,  이도권

    IPC: H01L31/04 ,  H01L51/42

    CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L31/076 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1824 ,  H01L51/4213 ,  H01L2031/0344

    Abstract: 유무기하이브리드적층형태양전지가개시된다. 유무기하이브리드적층형태양전지는제1 무기태양전지유닛, 제2 무기태양전지유닛, 중간전극층및 유기태양전지유닛을구비한다. 제1 무기태양전지유닛의제1 p-형반도체층은 p-형불순물이도핑된비정질수소화실리콘으로이루어진제1 박막및 p-형불순물이도핑된비정질수소화실리콘산화물로이루어진제2 박막을구비한다. 이러한유무기하이브리드적층형태양전지는개방전압(Voc)을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种有机和无机混合串联太阳能电池。 有机和无机混合串联太阳能电池包括第一无机太阳能电池单元，第二无机太阳能电池单元，中间电极层和有机太阳能电池单元。 第一无机太阳能电池单元的第一p型半导体层包括由掺杂有p型杂质的非晶氢化硅制成的第一薄膜和由掺杂有p型杂质的非晶氢化氧化物制成的第二薄膜， 型杂质。 有机和无机混合串联太阳能电池提高开路电压（Voc）。

    도핑-프리 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법
    40.
    发明授权
    도핑-프리 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 有权
    无掺杂硅太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101369729B1

    公开(公告)日：2014-03-07

    申请号：KR1020120079437

    申请日：2012-07-20

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 고민재 ,  한승희 ,  김홍곤 ,  김태희 ,  김진영 ,  김경곤 ,  김봉수 ,  이도권

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 상하부 전극과 광흡수층 사이에 도핑(doping) 공정 없이도 전기장 (electric field)을 가해줄 수 있는 중간층(interfacial layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도핑공정이 없으므로 유독한 도핑가스를 사용하지 않아도 될 뿐만 아니라, 정공(hole)을 수송하는 역할을 하면서 광투과도가 높은 금속산화물을 빛이 입사되는 윈도우층(window layer)으로 사용함으로써 광흡수층에 도달하는 빛의 손실을 최소화시켜, 광전류밀도가 향상된 고효율 태양전지를 제조할 수 있다.

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