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公开(公告)号：KR1019960042818A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950012959
申请日：1995-05-24
Applicant: 오리온전기 주식회사 , 한국과학기술연구원
IPC: H01J9/20
Abstract: 새도우마스크를 충전전극으로 사용하여 단순화된 공정으로도 균일하게 광전도막에 전하잠상을 형성하여 음극선관을 제조할 수 있는 새도우마스크전극에 의한 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법을 제공한다.
판넬내면에 형광면을 형성시키기 위한 전자사진식 음극선관의 스크린제조방법에 있어서; (1) 상기 판넬내면에 휘발성전도막을 형성시키는 1차코팅 단계; (2) 그 전도막위에 휘발성광전도막을 형성하는 2차코팅단계; (3) 상기 판넬에 새도우마스크를 그 판넬과 절연되게 장칙하고 고압의 직류전원을 상기 전도막과 새도우마스크에 인가하여 충전하면서 그 새도우마스크를 통해 광선을 소정의 입사각으로 광전도막에 조사(노광)하여 소정의 배열구조만 전도막에 충전된 전하를 선택적으로광전도막에 이동시킨 후, 그 전원과 빛을 차단하고 전도막의 전하를 방출시켜 광전도막에 소정의 전하잠상을 형성하는 대전 및 노광 단계; 그리고 (4) 소망의 전하로 대전된 미세분말을 상기 대전 및 노광단계(3)에서 전하가 선택적으로 이동된광전도막의 노광부분과 그 나머지 광전도막의 비노광부분중 어느 하나의 영역에 그 대전된 미세분말을 접촉, 부착시켜 그미세분말의 실상을 만드는 현상단계를 포함한다. 이에 따라, 방전장치가 필요없게 되고 복잡한 방전조건을 조절할 필요없이 충전과 노광을 동시에 균일하게 할 수 있으므로 형광체 도포두께 및 크기, 형상 등을 균일하게 할 수 있고 음극선관의화질을 높일 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라, 제조설비 및 제조공정이 크게 감축되고 생산성이 크게 향상되는 등의 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019960002284B1
公开(公告)日：1996-02-14
申请号：KR1019920016394
申请日：1992-09-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: The thickness adjustment method includes the steps of: a) forming silicon layer by etching the silicon substrate which forms the circuit unit in front of the substrate; and b) estimating and adjusting the thickness by penetrating the light into the silicon layer.
Abstract translation: 厚度调整方法包括以下步骤：a）通过在衬底前蚀刻形成电路单元的硅衬底来形成硅层; 以及b）通过将光穿入硅层来估算和调整厚度。
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公开(公告)号：KR1019940010492B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910020835
申请日：1991-11-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: To eliminate the deterioration of dynamic properties of semiconductor device which occurs by the defects on the interface between two bonded substrates, silicon structure with cavity is manufactured by fusion bonding of two wafers, one of which has preformed cavity. The method for manufacturing has the steps of (A) forming shallow cavity (3) on the upper substrate (1) by photolithography, (B) fusion-bonding upper and lower (2) substrates, (C) thinning the upper substrate (1) by chemical, electrochemical, or mechanical method, and (D) removing part of the upper substrate (4) to make a cantilever structure. The structure is used for the substrate for pressure-sensitive sensors or accelaration sensors by forming sensors on the surface (6).
Abstract translation: 为了消除由两个键合衬底之间的界面上的缺陷引起的半导体器件的动态特性的劣化，通过两个晶片的熔合结合制造具有空腔的硅结构，其中之一具有预成型腔。 制造方法具有以下步骤：（A）通过光刻法在上基板（1）上形成浅空腔（3），（B）上下基板熔合，（C）使上基板（1） ）通过化学，电化学或机械方法，和（D）去除上部基板（4）的一部分以制成悬臂结构。 通过在表面（6）上形成传感器，该结构用于压敏传感器或加速度传感器的基板。
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公开(公告)号：KR1019930011146A
公开(公告)日：1993-06-23
申请号：KR1019910020836
申请日：1991-11-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 실리콘기판의 용융접합에 관한 것으로, 산화성분위기에서의 고온열처리를 통해 단시간내에 접합계면에 존재하는 미세틈새를 제거할 수 있는 실리콘기판의 용융접합방법 및 그 장치에 관한 것이다.
본 발명은 일반적인 전처리 공정을 거친 접합대상 실리콘기판에 대해 산화제본위기하에서 안정화처리를 행한다음 일차접합을 행하고 나서 역시 산화제분위기가 유지된 열처리로중에서 단시간에 걸쳐 열처리 함으로써 미세틈새로 공급되는 산화제에 의한 계연산화막의 성장을 유도하여 미세틈새의 제거 및 접합강도의 강화를 도모하도록 이루어진다.
본 발명의 용융접합방법은 2분 내지 10분정도의 단시간 내에 미세틈새의 제거가 이루어짐에 따라 절연막상의 실리콘(SOI)구조나 실리콘센서용 미세기계구조용 소재로 적합하다.-
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100329241B1
公开(公告)日：2002-03-18
申请号：KR1020000023920
申请日：2000-05-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 적외선 감지층으로 이용되는 다층 구조의 산화바나듐막(V
2 O
5 ) 제조 방법에 관한 것으로, 다층박막법을 이용하여 V
2 O
5 /V/V
2 O
5 의 샌드위치 구조를 증착한 후 저온 열처리를 통한 확산 공정에 의해 박막의 재현성 및 특성 조절이 용이하도록 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기존의 제조 방식인 스퍼터링법을 이용한 단층의 산화바나듐 박막 제조방법이 스퍼터링 장비가 갖는 재현성의 한계 때문에 박막 특성의 재현성 확보가 어려웠으나, 스퍼터링 장비의 재현성 한계 내에서 제조 가능한 안정상 인 산화바나듐막과 바나듐금속막의 복합구조를 제조한 후 저온에서 열처리하여 확산시킨다.
따라서, 본 발명은 재현성 있고 우수한 적외선 흡수능을 갖는 혼합 바나듐산화 박막 제조가 가능하며, 적외선 감지소자의 성능을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100283284B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990002580
申请日：1999-01-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본발명은고밀도미세반사체(10), 하부절연층(20), 발광층(30), 상부절연층(40), 배면전극(50)으로구성되는것을특징으로하는전계발광표시소자에관한것으로, 고정세가공기술을이용하여고밀도의반사체를제조하고이를박막전계발광구조와결합하여고정세/고휘도/고효율을특징으로하는새로운구조의전계발광표시소자를제조할수 있는구조와방법을제공하는것이다.
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公开(公告)号：KR100283283B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990002577
申请日：1999-01-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본발명은유리기판(1)의상부에순차적으로투명도전막(2), 삽입층(3), 하부고유전율절연층(4), 발광층(5), 삽입층(6), 상부고유전율절연층(7) 및상기상부고유전율절연층(7)의상부에부분적으로증착된배면전극(8)으로구성된것을특징으로하는전계발광소자에관한것으로, 유리기판과고유전율박막층의사이에삽입층을도입하여표면특성이평탄한하부절연층을구현하여다결정질의고유전율절연막을사용한전계발광소자에서전기장을균일하게분포시킴으로써소자의안정성을높였을뿐만아니라, 표면거칠기의감소로전기장분포가균일하며매우안정적인발광을얻어내는효과가있다.
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公开(公告)号：KR100247141B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970024823
申请日：1997-06-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전기장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장 발광소자는 하부 절연층으로 비정질 또는 다결정 BaTiO
3 를 사용하여 하부 절연층을 증착한 이후의 공정에서 고온을 사용하는 경우 그 특성이 열화되어 누설전류가 증가되고, 항복 전기장강도가 저하되어 전기장 발광소자의 구동을 목적으로 전기장을 인가하는 경우 그 전기장 발광소자가 쉽게 파괴되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 하부 절연층을 유전상수값이 큰 다결정 BaTiO
3 와 절연특성이 우수한 비정질 BaTiO
3 를 적층하여 형성함으로써, 휘도의 포화가 일어나는 고전압에서도 파괴되지 않고 안정된 동작을 하는 효과와 아울러 그 휘도특성이 우수하여 저전압에서 사용이 가능한 효과가 있다.
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