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公开(公告)号：KR1020010103086A
公开(公告)日：2001-11-23
申请号：KR1020010058131
申请日：2001-09-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H03K19/14
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기를 이용한 전광 ＸＯＲ 논리소자의 구현방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 반도체 광증폭기에 주입되는 전류와 입사되는 조사신호 및 펌프신호로 조절이 가능한 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현할 수 있는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따른 XOR 논리소자의 구현방법은, 두개의 반도체 광증폭기에 펌프신호와 조사신호를 같이 입사시켜 상기 반도체 광증폭기의 이득포화와 파장변환에 의해 생기는 인버터 특성의 출력신호를 합하여 전광 XOR 논리소자의 동작특성을 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현하기 때문에 광섬유에 기반을 둔 소자들보다 안정적이고 다른 논리소자와의 결합이 용이하며, 클록 신호를 만들어 줄 필요가 없으므로 논리소자의 규모 및 속도 제한이 크게 줄어드는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020010077666A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005619
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a band gap of a semiconductor optical device having the structure of a quantum well is provided to prevent a quantum well substrate damaging by using a silicon nitride film as a dielectric cover layer and by controlling a flow ratio of ammonia gas. CONSTITUTION: A substrate having the structure of a quantum well is grown(S100). A dielectric cover layer is deposited on the substrate by a plasma chemical vapor deposition process(S200). A thermal processing is performed on the dielectric cover layer at a predetermined time(S300). The dielectric cover layer is removed(S400). A fluorescence spectrum is measured(S500).
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法，以通过使用氮化硅膜作为电介质覆盖层并通过控制氨气流量来防止量子阱基板损坏 。 构成：生长具有量子阱结构的衬底（S100）。 电介质覆盖层通过等离子体化学气相沉积工艺沉积在衬底上（S200）。 在规定时间对电介质覆盖层进行热处理（S300）。 去除电介质覆盖层（S400）。 测量荧光光谱（S500）。
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公开(公告)号：KR200014751Y1
公开(公告)日：1978-06-12
申请号：KR2019760002327
申请日：1976-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1339
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公开(公告)号：KR100418654B1
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020010058131
申请日：2001-09-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H03K19/14
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: A method for forming an electrooptic XOR logic device using an semiconductor optical amplifier is provided to form an electrooptic XOR logic device by using a characteristic of an inverter of an semiconductor optical amplifier. Characteristics of inverters of semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) are controlled by current, incident irradiation signals, and pump signals applied to the semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2). The characteristics of inverters of semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) are obtained by increasing the amount of current, inputting the irradiation signals, and changing intensity of the pump signals. In the first semiconductor optical amplifiers(SOA1), B signal becomes the pump signal and A signal becomes the irradiation signal. In the second semiconductor optical amplifiers(SOA2), A signal becomes the pump signal and B signal becomes the irradiation signal. An XOR logic device is formed by adding two output signals of the semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2). In the XOR logic device, the output signal has logic 1 if any one of A signal and B signal is logic 1 and the output signal has logic 0 if A signal and B signal have the same logic level.
Abstract translation: 提供一种使用半导体光学放大器形成电光XOR逻辑器件的方法，以通过使用半导体光学放大器的反相器的特性来形成电光XOR逻辑器件。 半导体光放大器（SOA1，SOA2）的反相器的特性由施加到半导体光放大器（SOA1，SOA2）的电流，入射照射信号和泵浦信号控制。 通过增加电流量，输入照射信号和改变泵浦信号的强度来获得半导体光放大器（SOA1，SOA2）的反相器的特性。 在第一半导体光放大器（SOA1）中，B信号成为泵浦信号，A信号成为照射信号。 在第二半导体光放大器（SOA2）中，A信号成为泵浦信号，B信号成为照射信号。 XOR逻辑器件通过增加两个半导体光放大器（SOA1，SOA2）的输出信号而形成。 在XOR逻辑器件中，如果A信号和B信号中的任何一个是逻辑1，则输出信号具有逻辑1，如果A信号和B信号具有相同的逻辑电平，则输出信号具有逻辑0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100361035B1
公开(公告)日：2002-11-18
申请号：KR1020000005631
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/14
Abstract: 본 발명은 스스로 뭉쳐서 형성된 양자점에서 나오는 광의 스펙트럼이 매우 넓은 것을 이용하여 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭을 확장하는 방법에 관한 것이다.
더 상세하게는 InGaAs/InGaAsP/InP 양자우물 반도체 광증폭기의 이득 대역폭 확장방법에 있어서, 소정 두께의 InP 버퍼층을 성장시키는 과정과, 상기 InP 버퍼층 성장후 소정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 과정과, 상기 InP 버퍼층 위로 InAs 단일 우물 구조층을 성장시키는 과정과, 상기 InAs 층 성장 후 소정 가스를 공급하여 격자 상수가 맞지 않는 상기 InAs 층이 서로 뭉쳐서 양자점을 형성하도록 하는 제2 가스 공급 과정과, 상기 InAs 층 위로 소정 두께의 InP 캡층을 성장시키는 과정으로 양자점을 생성하여 반도체 광 증폭기의 이득영역으로 양자점을 도입하고, 상기 InAs가 서로 뭉치면서 각 점들의 크기와 높이가 불균일하게 서로 독립적인 점을 형성하게 함을 특징으로 한다.-
7.发明公开
公开(公告)号：KR1020010036949A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990044158
申请日：1999-10-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: PURPOSE: A method for locally forming a different band gap in a quantum well by a dielectric-semiconductor composite cover layer is provided to regulate a degree of disorder of the quantum well. CONSTITUTION: The method begins with growing an InGaAs/InGaAsP quantum well substrate by a chemical beam epitaxy technique. Next, a dielectric thin layer made of such as SiO2 or SiNx is formed as a cover layer on the quantum well substrate by a plasma-enhanced chemical deposition technique. After a heat treatment step is carried out at a temperature of 600 - 800°C for 4 - 16 minutes, the dielectric thin layer is removed. In addition, InP, InGaAs or InGaAsP is used as a semiconductor cover layer.
Abstract translation: 目的：提供通过介电半导体复合覆盖层在量子阱中局部形成不同带隙的方法，以调节量子阱的无序程度。 构成：该方法开始于通过化学束外延技术生长InGaAs / InGaAsP量子阱衬底。 接下来，通过等离子体增强化学沉积技术在量子阱基板上形成由SiO 2或SiN x构成的电介质薄层作为覆盖层。 在600-800℃的温度下进行4-16分钟的热处理步骤后，去除电介质薄层。 此外，使用InP，InGaAs或InGaAsP作为半导体覆盖层。
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公开(公告)号：KR100132539B1
公开(公告)日：1998-04-16
申请号：KR1019940012262
申请日：1994-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: Computer central processing unit scans electron beam by scanning circuit by running analog/digital convertor and detects generating signal with detector(S10). Detected signal converted through analog/digital convertor after passing through an image signal amplifier and is stored at data storing device by computer central processing unit. Stored signal outputs to computer monitor and outputs to electron microscope monitor(S11) through an image signal amplifier from a detector(S10). Therefore, electron beam lithography device carries mask pattern alignment from an output alignment mark image and by using electron beam blocker(S4) blocks electron beam and controls electron microscope magnification so all electron beam lithography area are positioned within range of scanning.
Abstract translation: 计算机中央处理单元通过运行模拟/数字转换器扫描电路扫描电子束，并用检测器检测生成信号（S10）。 检测信号通过模拟/数字转换器通过图像信号放大器后转换，并由计算机中央处理单元存储在数据存储装置中。 存储的信号输出到计算机监视器并通过来自检测器的图像信号放大器输出到电子显微镜监视器（S11）（S10）。 因此，电子束光刻设备从输出对准标记图像和使用电子束阻挡器（S4）携带掩模图案对准，阻止电子束并控制电子显微镜放大率，使得所有电子束光刻区域位于扫描范围内。
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