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公开(公告)号：KR102142701B1
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：KR1020180094623
申请日：2018-08-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N33/543 , G01N27/327
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公开(公告)号：KR101906447B1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：KR1020160091997
申请日：2016-07-20
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인 아산사회복지재단 , 울산대학교 산학협력단
IPC: G01N33/574 , G01N33/543 , G01N27/414 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/00 , G01N27/414 , G01N33/543 , G01N33/574
Abstract: 시료, 예를들면, 혈액, 또는변 등에적용가능한고감도액상용전계효과대장암센서에관한것으로, 일양상에따른센서에의하면대장암바이오마커의초정밀/저농도검지가가능하여극소량의샘플만으로도대장암을조기진단할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101777483B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020150189545
申请日：2015-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은분자의인식을가속하기위한기술에관한것으로, 더욱상세하게는센싱하고자하는분자와자성입자가결합하여형성되는분자-자성입자복합체와상기복합체에브라운노이즈스펙트럼형의자기장을가하는자기장발생부를포함하여, 상기복합체의자연적인운동을본 현상그대로증폭시켜복합체의운동활성화로분자인식속도를향상시킬수 있고, 상기복합체에가해지는자기장을조절하여즉 복합체의운동활성화를제어하여, 분자인식속도를향상시키거나복합체와센서의결합을제거할수 있는자성입자제어를통한분자인식가속시스템및 방법에대한것이다.
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35.发明授权
公开(公告)号：KR101616560B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020140164134
申请日：2014-11-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/414 , G01N33/50
CPC classification number: G01N27/414 , G01N33/50 , G01N27/327 , G01N27/4141 , G01N33/543
Abstract: 이온감지전계효과트랜지스터바이오센서는 ISFET와교체형센서를포함하고, 교체형센서에는나노프로브가결합되어있으며, ISFET에서발생하는정전결합현상과나노프로브기술을결합시켜, PBS 버퍼용액을사용하는기존의바이오센서플랫폼과는달리, PBS 버퍼용액을사용하지않고, 임상샘플을직접사용함으로써간단한진단이가능한바이오센서플랫폼이제공될수 있다.
Abstract translation: 离子敏感场效应晶体管生物传感器包括ISFET和可更换传感器。 纳米探针耦合到可更换传感器。 在ISFET中产生的静电耦合现象与纳米探针技术相结合。 与使用PBS缓冲溶液的现有生物传感器平台相比，提供了一种用于简单诊断的生物传感器平台，通过直接使用临床样品而不使用PBS缓冲液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160013768A
公开(公告)日：2016-02-05
申请号：KR1020140096028
申请日：2014-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/414 , G01N33/50 , C12Q1/00
CPC classification number: G01N27/414 , C12Q1/00 , G01N33/50
Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서가제공되고, 본발명의일 실시예에따른이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서는하부게이트전극, 하부게이트전극위에위치하는하부절연막, 하부절연막위에위치하고서로이격되어있는소스및 드레인, 하부절연막위에위치하고소스및 상기드레인사이에위치하는채널층, 소스, 드레인, 그리고채널층위에위치하는상부절연막, 그리고상부절연막위에위치하는상부게이트전극을포함하고, 채널층의두께는 10 nm 이하이고, 초정전결합을이용한것일수 있다.
Abstract translation: 提供了双栅离子敏感场效应晶体管（ISFET）传感器。 根据本发明的实施例，ISFET传感器包括：下栅电极; 下绝缘膜放置在下栅电极上; 放置在下绝缘膜上以彼此远离的源极和漏极; 放置在下绝缘膜上并位于源极和漏极之间的沟道层; 放置在源极，漏极和沟道层上的上绝缘膜; 以及放置在上绝缘膜上的上栅电极。 通道层厚度为10nm或更薄，并且可以使用超电容耦合。
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公开(公告)号：KR1020150018224A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130094865
申请日：2013-08-09
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N33/554 , C07K2319/20 , C07K2319/21 , C12N7/00 , C12N15/1037 , C12N2795/10222 , C12N2795/10231 , C12N2810/50 , C12N2810/859 , G01N33/588 , C12N15/11 , C12Q1/6883 , G01N33/53 , G01N33/68
Abstract: The present invention relates to a target-specific probe containing T7 bacteriophage and a targeting antibody; and a detection method, a quantitative method, or a detection kit for a biomarker using the probe. The present invention is used for a phage display in which various functional heterologous proteins and peptides are expressed on the bacteriophage surface by manipulating T7 bacteriophage using gene recombinant technology, a technique for targeting a biomarker or bacteria through an antigen-antibody specific reaction, and a method for quantitatively analyzing a target material using a quantum dot.
Abstract translation: 本发明涉及含有T7噬菌体和靶向抗体的靶特异性探针; 以及使用该探针的生物标志物的检测方法，定量方法或检测试剂盒。 本发明用于噬菌体展示，其中通过使用基因重组技术操纵T7噬菌体，通过抗原 - 抗体特异性反应靶向生物标志物或细菌的技术，在噬菌体表面上表达各种功能性异源蛋白质和肽，以及 使用量子点定量分析目标材料的方法。
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公开(公告)号：KR101492167B1
公开(公告)日：2015-02-10
申请号：KR1020130038147
申请日：2013-04-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C12N15/11 , G01N33/68 , C12N15/115
CPC classification number: C07K14/47 , C07K14/315 , C07K2319/30 , G01N33/588
Abstract: 본 발명은 페리틴 융합 단백질과 표적화 물질을 함유하는 표적-특이적 프로브, 상기 표적-특이적 프로브에 결합된 표지물질을 함유하는 표적-특이적 가시화 프로브 및 이들 프로브를 이용한 바이오마커의 탐지방법 또는 탐지키트에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020140121653A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130038147
申请日：2013-04-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C12N15/11 , G01N33/68 , C12N15/115
CPC classification number: C07K14/47 , C07K14/315 , C07K2319/30 , G01N33/588
Abstract: 본 발명은 페리틴 융합 단백질과 표적화 물질을 함유하는 표적-특이적 프로브, 상기 표적-특이적 프로브에 결합된 표지물질을 함유하는 표적-특이적 가시화 프로브 및 이들 프로브를 이용한 바이오마커의 탐지방법 또는 탐지키트에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及包含铁蛋白和靶物质的靶特异性探针，包含与目标特异性探针结合的标记物质的靶特异性可见探针，以及使用探针检测生物标志物的方法或试剂盒 。
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公开(公告)号：KR100709288B1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020050069384
申请日：2005-07-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25D3/56
CPC classification number: C25D3/562
Abstract: 본 발명은 수직 자기 이방성이 우수한 CoPtP 합금 박막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 CoPtP 합금 박막의 제조 방법은, 0.05~0.2M의 황산코발트(CoSO
4 ·7H
2 O), 0.005~0.02M의 염화백금산(H
2 PtCl
6 ) 및 0.01~0.4M의 차아인산소다(NaH
2 PO
2 )를 포함하는 도금 용액을 준비하는 단계, 도금 용액에 모재를 담지하는 단계, 그리고 저온에서 전기 도금하여 모재상에 CoPtP 경자성 합금 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
CoPtP 합금 박막, 전기 도금, 보자력, 각형비
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