公开(公告)号：KR100254798B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019980010937

申请日：1998-03-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박융 ,  캐빈놀즈

IPC: H01B3/00

CPC classification number: C04B35/497 ,  H01G4/1254

Abstract: PURPOSE: Provided is a magnetic composition for a high permittivity capacitor which shows high dielectric constant and low loss coefficient so that it is sintered at low temperature like less than 1000 deg.C. CONSTITUTION: In the two component system of (1-X)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-XPb(Fe1/2Ta1/2)O3 which is prepared by mixing PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5 or so on, the magnetic composition is characterized by setting 0.35≤X≤ 0.65 in a mixed ratio wherein 0.01-0.5wt.% of manganese oxide is added or transition metal like Cr or Co is replaced to configure main component.

Abstract translation: 目的：提供一种用于高介电常数和低损耗系数的高介电常数电容器的磁性组合物，使其在低于1000℃的低温下烧结。 构成：在通过混合PbO，Fe2O3，Nb2O5，Ta2O5等制备的（1-X）Pb（Fe1 / 2Nb1 / 2）O3-XPb（Fe1 / 2Ta1 / 2）O3的双组分体系中， 组合物的特征在于，以添加0.01-0.5重量％的氧化锰的混合比例设定为0.35≤X≤0.65，或者替换过渡金属如Cr或Co以构成主要成分。

公开(公告)号：KR100241812B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970046861

申请日：1997-09-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박융

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/497

CPC classification number: C04B35/486

Abstract: 본 발명은 (Pb1-xCax)(Zrl-ySny)O3를 주성분으로 하여 산화아연(ZnO)과 산화안티모니(Sb2O3)를 미량 첨가하여 이루어진 위치변위 시스템용 저손실 유전체자기 조성물 조성에 관한 것이다. 본 발명은 (Pb1-xCax)(Zrl-ySny)O3에 소결조제로 a ZnO + b Sb2O3가 참가된 유전체 자기조성물로서 몰(mol)비로 0.15 ＜ x ＜ 0.40, 0.15 ＜ y ＜ 0.50이고, 소결조제의 첨가량은 (Pb1-xCax)(Zrl-ySny)O3에 대해 0 ＜ a + b ＜ 0.05 중량 %의 조성으로 이루어 진다. 본 발명의 조성물은 소결조제의 미량 첨가로 인해 소결조직의 치밀화가 이루어져서 고온부하 및 내습부하의 장기 신뢰성에 있어서 안정된 품수 값질계과 공진주파수의 안정된 온도특성을 나타내는 특성이 있다.

公开(公告)号：KR100229358B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019970041508

申请日：1997-08-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  이원재 ,  윤순길 ,  안준형

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/40

Abstract: 본 발명은 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박박(SrBi
2 Ta
2 O
9 ; 스크론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극(Pr)이 15 μC/cm
2 이상, 항전계(Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse) 하에서 1 X 10
11 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.
따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C
5 F
6 HO
2 )
2 , Bi(C
6 H
5 )
3 , Ta(C
2 H
5 O)
5 를 사용하여 110-130℃, 140-160℃ 및 120-140℃로 각각 버블링(bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550℃로 저온증착시키는 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990070298A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005056

申请日：1998-02-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박용준

IPC: H01M4/50

Abstract: 본 발명에서는 반도체집적회로, 마이크로 센서, 마이크로 액츄에이터, 인체내 투입 가능한 의료용 소형기기분야, 각종 카드제품등에 전원으로 활용될 수 있는 마이크로전지(Microbattery)용 박막전극인 LiMn
2 O
4 박막을 졸겔법을 이용하여 제조하였다. 지금까지 박막전극은 고가의 장비와 유지비가 필요한 스퍼터링(sputtering)방법을 주로 사용해 왔으나 조성과 형태의 조절이 힘들고 특성 개선을 위한 첨가물의 사용이 곤란한 문제점이 있다. 특히 LiMn
2 O
4 의 경우 Li과 Mn의 조성비에 따라 많은 특성 차이가 있는데 기존방법의 경우 Li 양의 조절이 상당히 어렵다고 알려져 있다. 본 발명은 이같은 문제점을 해결하기 위해 리튬아세틸아세토네이트(Lithium acetylacetonate)와 망간아세틸아세토네이트(Manganess acetylacetonate)를 source로 사용하고 습윤특성이 좋은 1-butanol 과 아세트산을 용매로 하고 스핀코더를 사용하여 LiMn
2 O
4 박막을 제조하였다. 건조는 RTA system을 이용하여 열처리를 하였는데 이과정의 조절을 통해 박막의 특성을 제어할 수 있다.
제조된 LiMn
2 O
4 박막은 LiMn
2 O
4 박막/1M LiClO
4 에 PC용액/Li과 같은 구조의 시험 cell을 제조하여 특성을 평가한 결과 약 40μAh/cm2-μm의 방전용량을 가지고 있었으며 액체 전해질에서 25회 충방전 실험 결과 약 10%정도의 적은 방전용량감소가 일어났다.

公开(公告)号：KR100205254B1

公开(公告)日：1999-07-01

申请号：KR1019960048722

申请日：1996-10-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  정태석

IPC: H01G4/12

Abstract: 본 발명은 고주파용 세라믹 콘덴서의 재료 조성물 및 제조방법에 관한 것으로서, PbO의 휘발을 억제하고 저온소결이 가능하도록 Sn과 ZnO를 함유하는 고주파용 세라믹 콘덴서의 재료 조성물과 이 조성물을 제조하는 방법에 관한 것이다. Pb계 페로브스카이트 재료에 Sn을 첨가함으로써 PbO의 휘발을 억제하고, ZnO를 첨가함으로써 소결온도를 낮추어, 재료의 유전특성을 저하시키지 않고도 고주파용 세라믹 콘덴서의 재료 조성물을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 조성물과 그 제조방법에 따라, 고주파용 세라믹 콘덴서 재료를 그 유전특성의 저하없이 낮은 소결온도에서 제조할 수 있고 PbO의 휘발을 억제할 수 있기 때문에, 생산 공정이 용이해져 생산성이 향상되고, 제조되는 콘덴서의 물리적 크기를 소형화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990008764A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970030877

申请日：1997-07-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박융 ,  정태석

IPC: H01F1/00

Abstract: 본 발명은 마이크로파 유전체 자기조성물의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 자기조성물은 유전율이 100미만이고 공진주파수(f)와 품질계수(Q)의 곱이 4000 이하이며 공진주파수의 온의존계수가 ±3mmp/℃이상의 값을 가지며, 첨가물을 산화물 형태로 첨가하기 때문에, 미량 첨가시 정확한 공정제어에 많은 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 마이크로파 유전체 자기 조성물은 (Pb
1-x Ca
x )(Zr
1 -
y Sn
y )O
3 를 주성분으로 하며, 이때 상기의 x, y는 몰(mol)비로서 0.15 x 0.40, 0.15 y 0.50가 되도록 하며 원소는 물에 잘 용해하는 질산망간(Mn(No
3 )
2 ·4H
2 O) 형태로 첨가하며 상기의 산화납(PbO), 산화칼슘(CaO), 산화지르코늄(ZrO
2 ), 산화주석(SnO
2 )으로 구성된 주조성물의 무게를 100으로 하여 수화물 질산망간(Mn(No
3 )
2 ·4H
2 O)을 산화물의 무게비로 환산해서 산화망간(MnO)을 3중량% 미만으로 첨가하여 혼합한 후, 2,000℃ 내지 2,400℃의 토치불꽃으로 용융 후, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1550℃의 온도의 산소분위기에서 소성하여 제조됨을 특징으로 하고 있다.

公开(公告)号：KR100133455B1

公开(公告)日：1998-05-15

申请号：KR1019940017863

申请日：1994-07-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 장건익 ,  김호기

IPC: H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 본 발명은 초전도체 요업 재료를 제조하는 방법, 특히 상온의 산소 분위기하에서 Y-Ba-Cu-O 초전도체 출발 물질을 Nd: YAG 레이저를 사용하여 하소시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은 종래의 방법과는 달리 하소 단계에서 노(爐) 대신 레이저를 사용함으로써 공정 시간을 최대한 단축시킬 수 있는 잇점이 있다. 또한, 도가니를 사용하지 않으므로 도가니와의 반응에 의한 불순물의 유입 가능성 및 도가니 재질 선택상의 난점이 배제된다.

公开(公告)号：KR1019970067394A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019960007104

申请日：1996-03-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  최원열 ,  김진균

IPC: H01C7/02

Abstract: 본 발명은 BaTiO
3 와 Y
2 O
3 를 기본 조성으로 하고, 부성분으로서 SrTiO
3 , CaTiO
3 , MnO
2 , PbO, SiO
2 를 함유하는 표면실장형 PTC 칩 서미스터 제조용 BaTiO
3 계 세라믹 조성물, 이 조성물을 1310~1390℃의 최적 소결온도에서 소결시켜 제조한, 큐리 온도가 넓은 영역에서 정확히 제어되고 표면 실장에 이용가능한 낮은 상온 저항과 내전압 특성 및 PTC 효과를 갖는 표면 실장형 PTC 서미스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 BaTiO
3 계 PTC 칩 서미스터의 종래의 BaTiO
3 계 PTC 서미스터보다 정확한 큐리온도의 제어와 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항 및 PTC 효과가 실현되었으며, 상온저항이 작아 저전압으로 구동이 가능하고, 구동전압이 낮아지므로서 SMD에 활용가능성이 대폭 확대되었으며, SrTiO
3 함량을 변화시킴으로써 큐리온도(Tc)를 정확히 제어할 수 있고, TC의 정확한 제어가능성으로 온도가 변화하는 여러 분야의 SMD에 이용가능하며, 넓은 범위의 Tc를 갖고 있으므로 스위칭 소자에 활용가능성이 증대되었다.

公开(公告)号：KR1019960005630A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019940017863

申请日：1994-07-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 장건익 ,  김호기

IPC: H01B12/00

Abstract: 본 발명은 초전도체 요업 재료를 제조하는 방법, 특히 상온의 산소 분위기하에서 Y-Ba-Cu-O 초전도체 출발 물질을 Nd: YAG 레이저를 사용하여 하소시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은 종래의 방법과는 달리 하소 단계에서 노(爐) 대신 레이저를 사용함으로써 공정 시간을 최대한 단축시킬 수 있는 잇점이 있다. 또한, 도가니를 사용하지 않으므로 도가니와의 반응에 의한 불순물의 유입 가능성 및 도가니 재질 선택상의 난점이 배제된다.

公开(公告)号：KR100045783B1

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：KR1019880013032

申请日：1988-10-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  윤순길

IPC: H01L51/00