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公开(公告)号：KR101948481B1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：KR1020180101106
申请日：2018-08-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234
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公开(公告)号：KR1020150002029A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020130075282
申请日：2013-06-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42356 , H01L29/423 , H01L29/772 , H01L29/7802
Abstract: 본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫은, N-액티브 레이어(N-active layer)와, 폴리 게이트 레이어(poly gate layer)와, n+ 레이어(n+ layer)를 포함하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫으로서, 트랜지스터 게이트의 산화막 두께가 10nm 이하게 되면 정공 트래핑(hole trapping)이 발생하지 않는 현상을 이용하여 누설 전류 경로를 차단하는 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer); 및 문턱 전압을 높여 트래핑(trapping)된 정공(hole)에 의해 발생하는 채널 반전(channel inversion)을 억제시켜 누설전류 발생을 차단하는 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)를 포함하며, 상기 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer)와 상기 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)에 의해 상기 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain)을 둘러싸 방사선에 의한 누설 전류 경로를 차단한다. 본 발명에 의하면, 본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫(Dummy Gate Assisted n-MOSFET: DGA n-MOSFET)의 레이아웃(layout)은 방사선에 의해 발생 할 수 있는 누설 전류 경로를 차단하여 방사선 환경에서도 정상적으로 동작함으로써, 우주 공간, 타 행성 탐사, 원자력 발전소의 원자로와 같은 방사선 환경에서도 정상적으로 동작하는 전자부품 설계에 활용 할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种耐辐射伪栅极辅助n-MOSFET，即使在放射环境中也能正常地激活，因为当n-MOSFET暴露于辐射时，通过防止由于累积辐射的影响而产生漏电流的现象 很长一段时间。 本发明的耐辐射虚拟栅极辅助n-MOSFET包括：通过使用当晶体管的氧化物膜的厚度不发生空穴捕获的现象时，切断漏电流的路径的虚设多晶硅层 栅极为10nm以下; 以及P活性层和p +层切断漏电流的产生。
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公开(公告)号：KR101448296B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130018888
申请日：2013-02-21
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
Abstract: 본 발명은 실리콘 적외선 윈도우를 얇게 형성하여 적외선의 투과도를 높이면서, 적외선 센서를 진공 상태로 패키징한 실리콘 적외선 윈도우를 구비하는 적외선 센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판(12) 상에 적외선 센서(14)가 형성된 소자 웨이퍼(10); 붕소(Boron) 도핑된 실리콘 적외선 윈도우(24)를 포함하는 캡 웨이퍼(20); 상기 소자 웨이퍼(10)와 상기 캡 웨이퍼(20) 사이에 개재되는 스페이서(30); 및 상기 소자 웨이퍼(10)와 상기 캡 웨이퍼(20)를 결합시키는 결합 물질(40)을 포함하여 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다. 본 발명에 따른 실리콘 적외선 윈도우를 구비하는 적외선 센서 모듈은 실리콘 적외선 윈도우가 얇은 두께로 형성되어 적외선 감지 효과가 뛰어나다.
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公开(公告)号：KR101441589B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020080098409
申请日：2008-10-07
CPC classification number: H04N9/045
Abstract: 본 발명은 이미지 센서 장치에 관한 것으로, 특히 가시광선 이미지와 원적외선 이미지를 별도의 신호처리과정 없이 광학적으로 융합하는 장치에 관한 것이다. 일 예로써, 이미지 센서가 감지할 수 있는 빛을 내부에서 방출하고, 피사체로부터 원적외선이 감지된 경우에만 위 빛을 반사하여 이미지 센서로 전달함으로써 원적외선 정보를 이미지 센서가 감지할 수 있는 정보로 변환하는 것이 가능하다.
이미지 센서, 가시광선, 원적외선, 캔틸레버, 바이메탈-
公开(公告)号：KR101429160B1
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020130071575
申请日：2013-06-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5657 , G11C11/56 , G11C13/025 , H01L21/28273 , B82Y10/00 , G11C11/22 , H01L21/28291
Abstract: An embodiment of the present invention relates to a multi-bit memory element. According to the embodiment of the present invention, the memory element includes: a substrate; a first electrode placed on the substrate; a first memory part placed on the substrate and the first electrode containing an electrically polarizing material indicating hysteresis; a semiconductor part placed on the first memory part; a source electrode placed on a side of the semiconductor part; a drain electrode placed on the other side of the semiconductor part; a second memory part placed on the semiconductor part, placed between the source electrode and the drain electrode containing the electrically polarizing material indicating hysteresis; and a second electrode placed on the second memory part. When a first operating voltage is applied to the first electrode and a second operating voltage is not applied to the second electrode, a current I_D1 flows in the semiconductor part. When the first operating voltage is not applied to the first electrode and the second operating voltage is applied to the second electrode, a current I_D2 flows in the semiconductor part. When the first operating voltage is applied to the first electrode and the second operating voltage is applied to the second electrode, a current I_D3 (I_D1+I_D2) flows in the semiconductor part and the current I_D1 is larger than the current I_D2.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种多位存储元件。 根据本发明的实施例，存储元件包括：基板; 放置在基板上的第一电极; 放置在基板上的第一存储器部分和包含表示磁滞的电极化材料的第一电极; 放置在第一存储器部分上的半导体部件; 位于所述半导体部件侧的源电极; 放置在所述半导体部件的另一侧的漏电极; 放置在半导体部分上的第二存储器部分，放置在包含指示滞后的电极化材料的源电极和漏电极之间; 以及放置在第二存储器部分上的第二电极。 当向第一电极施加第一工作电压并且第二工作电压不施加到第二电极时，电流I_D1在半导体部件中流动。 当第一工作电压不施加到第一电极并且第二工作电压施加到第二电极时，电流I_D2流入半导体部件。 当第一工作电压被施加到第一电极并且第二工作电压被施加到第二电极时，电流I_D3（I_D1 + I_D2）在半导体部分中流动，并且电流I_D1大于当前I_D2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140105415A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020140060678
申请日：2014-05-21
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/0275 , G01J5/045 , H01L27/1421
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing an infrared sensor module including a silicon infrared window having an infrared sensor packaged in a vacuum state while increasing transmittance of an infrared ray by forming a thin silicon infrared window. The method includes the steps of: fabricating a device wafer by forming the infrared sensor on a silicon substrate; fabricating a silicon on insulator (SOI) cap wafer by forming a cavity in a device layer of an SOI substrate; bonding the device wafer with the SOI cap wafer in a vacuum state; and removing a silicon dioxide layer and a silicon substrate layer from the SOI cap wafer through etching.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造红外线传感器模块的方法，该红外线传感器模块包括具有以真空状态封装的红外传感器的硅红外窗口，同时通过形成薄的硅红外窗口增加红外线的透射率。 该方法包括以下步骤：通过在硅衬底上形成红外传感器来制造器件晶片; 通过在SOI衬底的器件层中形成空腔来制造绝缘体上硅（SOI）帽晶片; 在真空状态下将器件晶片与SOI盖晶片接合; 以及通过蚀刻从SOI盖晶片去除二氧化硅层和硅衬底层。
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公开(公告)号：KR1020140104862A
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130018888
申请日：2013-02-21
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
CPC classification number: G01J5/18 , G01J5/0007 , G01J5/061 , G01J5/0853
Abstract: The present invention relates to an infrared sensor module having a silicon infrared window, which can improve the transmittance of infrared rays by making the silicon infrared window thin, and in which an infrared sensor is packaged in vacuum, and to a manufacturing method thereof. The infrared sensor module includes a device wafer (10) with an infrared sensor (14) formed on a silicon substrate (12); a cap wafer (20) including a silicon infrared window (24) doped with boron; a spacer (30) interposed between the device wafer (10) and the cap wafer (20); and a binding material (40) combining the device wafer (10) with the cap wafer (20). According to the present invention, the infrared sensor module having a silicon infrared window can obtain an improved infrared sensing effect by comprising a thin silicon infrared window.
Abstract translation: 本发明涉及具有硅红外线窗口的红外线传感器模块及其制造方法，该红外线传感器模块可以通过使硅红外线窗口变薄，并且将红外线传感器真空包装来提高红外线的透射率。 红外线传感器模块包括在硅衬底（12）上形成有红外线传感器（14）的器件晶片（10）。 包括掺杂有硼的硅红外窗口（24）的盖晶片（20） 介于所述器件晶片（10）和所述盖晶片（20）之间的间隔物（30）; 以及将装置晶片（10）与盖晶片（20）组合的装订材料（40）。 根据本发明，具有硅红外窗口的红外线传感器模块可以通过包括薄硅红外窗口来获得改进的红外感测效果。
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公开(公告)号：KR101181248B1
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：KR1020110072787
申请日：2011-07-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01J5/02
Abstract: PURPOSE: An infrared bolometer having a self protection property is provided to solve an afterimage problem occurred when using an infrared bolometer by preventing electric properties of a resistor from being changed in high temperatures. CONSTITUTION: An infrared bolometer comprises an upper substrate(10), a lower substrate(20), a signal bridge(30), and a heat transmitting bridge(40). The upper substrate comprises a resistant in which a resistance is changed according to temperature and an absorption layer absorbing the infrared rays. The lower substrate is spaced from the upper substrate and receives signals according to a change of the resistance of the resistant. The signal bridge mechanically or electrically connects the upper and lower substrate, thereby transmitting the signals to the lower substrate. The heat transmitting bride is connected to the upper substrate and automatically bent according to a temperature change.
Abstract translation: 目的：提供一种具有自我保护特性的红外测辐射热量计，以解决当使用红外测辐射热计时，通过防止电阻在高温下的电特性而发生的残像问题。 构成：红外测辐射热计包括上基板（10），下基板（20），信号桥（30）和传热桥（40）。 上基板包括其中电阻根据温度改变的电阻和吸收红外线的吸收层。 下基板与上基板间隔开，并根据电阻电阻的变化接收信号。 信号桥机械或电连接上基板和下基板，从而将信号传输到下基板。 传热新娘与上基板连接，并根据温度变化自动弯曲。
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公开(公告)号：KR101078208B1
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：KR1020080135149
申请日：2008-12-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/20 , C01G53/04 , C09D5/32 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , G01J5/20
Abstract: 본발명에따른볼로미터용니켈산화막은, -3%/C이상의 TCR과낮은수준의노이즈(noise)값, 안정적이고재현성있는특성을가진다. 또한, 볼로미터용니켈산화막을이용한적외선감지소자의제작에적용될수 있다.
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公开(公告)号：KR100913424B1
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：KR1020080063307
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: A passive matrix-addressable memory apparatus is provided to continually maintain the data state of memory cell by minimizing the interference. A memory device comprises the first electrode line(210), the second electrode line(220), a memory unit(100), and switches(310,320,330). The first electrode line is arranged to be parallel each other. The second electrode lines are arranged to intersect the first electrode lines. The memory unit is arranged between first electrode lines and the second electrode lines. The memory unit has the material which electrically can polarize while having the hysteresis. The switch is arranged between the first electrode lines and the memory unit. The switch is electrically connected to the first electrodes and the memory unit. The first electrodes are electrically connected to the first electrode lines while having the cantilever form. The switch has the second electrodes facing the first electrodes.
Abstract translation: 提供无源矩阵寻址存储装置，通过最小化干扰来连续地维持存储单元的数据状态。 存储器件包括第一电极线（210），第二电极线（220），存储器单元（100）和开关（310,320,330）。 第一电极线被布置为彼此平行。 第二电极线布置成与第一电极线相交。 存储单元布置在第一电极线和第二电极线之间。 存储单元具有能够具有滞后性的电极化的材料。 开关布置在第一电极线和存储器单元之间。 开关电连接到第一电极和存储单元。 第一电极与第一电极线电连接，同时具有悬臂形式。 开关具有面向第一电极的第二电极。
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