公开(公告)号：KR1020160089952A

公开(公告)日：2016-07-29

申请号：KR1020150009502

申请日：2015-01-20

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 ,  (주) 누리베큠

Inventor： 김경국 ,  김동준 ,  김택균 ,  조하나 ,  김소현 ,  이병길 ,  김환삼

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/35

Abstract: 본발명은, 원통형의스퍼터링타깃(10), 스퍼터링타깃(10)의내부에스퍼터링타깃(10)의길이방향으로배치되며자기장을형성하는마그넷(20), 마그넷(20)을지지하는마그넷지지유닛(30)을포함하고, 마그넷(20)은스퍼터링타깃(10)의내주면과간극(G)을두고대면하는대향면(22)을가지며대향면(22)이스퍼터링타깃(10)의내주에대응되는곡률을갖도록형성된원통형스퍼터링캐소드를제공한다.

Abstract translation: 本发明提供一种圆柱形溅射阴极，包括：圆柱形溅射靶（10）; 在所述溅射靶（10）内沿所述溅射靶（10）的纵向布置的磁体（20），形成磁场; 以及支撑所述磁体（20）的磁体支撑单元（30）。 所述磁体（20）具有与所述溅射靶（10）的内周面对置的相反面（22），同时留有间隙（G），所述相对面（22）形成为具有与所述内周 的溅射靶（10）。

公开(公告)号：KR101506961B1

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：KR1020130050633

申请日：2013-05-06

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김경국 ,  오세미

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42

Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 pn접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다.