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1.发明申请수직형 발광다이오드 제조 방법, 수직형 발광다이오드와 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드 审中-公开用于制造垂直型发光二极管，垂直型发光二极管的方法，制造超紫外线发光二极管的方法和超紫外线发光二极管
公开(公告)号：WO2014175564A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/KR2014/002642
申请日：2014-03-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드, 그 제조 방법과 자외선 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 p-n접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다. 한편, 자외선 발광다이오드에서 p형 클래드층 상에 p-전극을 증착시킴에 있어, p형 클래드층의 상부 면적의 70% 이하 10% 이상의 면적에만 p-전극을 증착시키는 경우, p형 클래드층이 노출되는 면적이 넓어 p-전극이 증착되지 않은 부분을 통하여 자외선의 투과율을 높일 수 있다. p-전극의 형태는 메시 형태, 타공판 형태, 일차원 그리드 형태 등이 될 수 있다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 방출되는 빛이 자외선인 경우에도 투과율을 높일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及垂直型发光二极管及其制造方法，紫外线发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直型发光二极管基于具有pn结合结构的氮化物半导体，在p型覆盖层上形成透明材料层，透明材料层的折射率不同于 p型覆盖层并具有图案结构。 反射金属电极层作为p电极形成在透明材料层上。 在透明材料层中形成立体图案之后，沉积p电极，因此在p电极中形成图案。 来自活性层的光通过在p电极中形成的图案以宽的辐射角发射，并且根据图案形式和材料的折射率改善反射率。 另一方面，在紫外线发光二极管的p型覆盖层上淀积p电极的情况下，当p型电极仅沉积在p型覆盖层的上部的10〜70％时， p型覆盖层被暴露的情况较宽，因此可以增加通过不沉积p电极的区域的紫外线的透射率。 p型电极的形式可以是网格形式，冲压板形式，一维网格形状等。本发明的垂直型发光二极管通过简单的工艺制造，并且具有高的反射效率，因为 光通过p电极的图案以广角发射。 因此，本发明可以提供一种高效率的垂直型发光二极管。 此外，即使当发射的光是紫外线时，也可以提高透射率。
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公开(公告)号：KR1020160114244A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020150040273
申请日：2015-03-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에있어서, 상기태양전지의 P형화합물반도체층과 P전극사이에적층되는적어도하나이상의물질층으로써, 상기 P형화합물반도체층에가장인접한물질층으로부터상기 P전극에가장인접한물질층까지의각 물질층이점진적으로낮은굴절률을갖는물질로이루어진굴절률조정부를포함하는것을특징으로하는본 발명의일 실시예에따른태양전지가개시된다.
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公开(公告)号：KR1020150039147A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020150025042
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른수직형발광다이오드는 p-n접합구조를갖는질화물반도체를기반으로하며, p형클래드층상에 p형클래드층과굴절율이상이하며패턴구조를갖는투명소재층을형성한다. 투명소재층상에는 p-전극으로서반사금속전극층을형성한다. 투명소재층에입체적인패턴을형성한후 p-전극을증착함으로써 p-전극에패턴이형성된다. p-전극에형성된패턴에의해활성층에서방출된빛이넓은방사각으로방출되며, 패턴된형태와물질의굴절률에따라반사율을향상시킨다. 본발명에따른수직형발광다이오드는간단한공정에의해제조되면서도, p-전극의패턴에의해빛이넓은각도로방출되어높은반사효율로인해서고효율의수직형발광다이오드를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及垂直发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直发光二极管基于具有pn结结构的氮化物半导体，并且形成与p型覆盖层具有不同折射率的透明材料层，并且在p型覆盖层上具有图案结构 。 反射金属电极层作为p电极形成在透明材料层上。 在透明材料层上形成立体图案之后，通过蒸发p电极，在p电极上形成图案。 通过形成在p电极上的图案从有源层发射的光以宽的辐射角放电。 根据图案形状和材料的折射率，反射率得到改善。 根据本发明的垂直发光二极管通过简单的工艺制造，并通过p电极的图案以广角放电。 因此，可以通过高反射效率提供高效率的垂直发光二极管。
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公开(公告)号：KR1020140131713A
公开(公告)日：2014-11-14
申请号：KR1020130050633
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0008 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2924/12041
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 pn접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及垂直发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直发光二极管基于具有p-n结的氮化物半导体，并且形成在p型覆盖层上具有与p型覆盖层不同的折射率和图案结构的透明材料层。 垂直发光二极管在透明材料层上形成作为p电极的折射金属电极层，并通过在透明材料层上形成立体图案并沉积p电极而在p电极上形成图案。 本发明通过形成在p电极上的图案从有源层发射具有宽的辐射角的光，并且根据图案化类型和材料的折射率提高反射率。 根据本发明的垂直发光二极管通过简单的工艺制造时，通过p电极上的图案以广角发射光，从而由于高反射效率而提高效率。
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公开(公告)号：KR101307141B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020110106870
申请日：2011-10-19
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 수직 방향으로의 고방열 특징을 갖는 클래드 메탈 제조방식에 관한 것으로 상하부 금속층과 망사 또는 타공판 형상을 갖는 중간 금속 모재층과의 기계적, 전기적 특성 향상을 위해 도금된 중간 모재층을 사용하여 클래드 메탈을 제조하는 것을 특징으로 한다. 클래드 메탈 제조에서 상하부 금속층과 중간 모재층의 결합력 및 계면에서의 불순물 제거는 클래드 메탈의 전기적, 기계적 특성 향상에 매우 중요하다. 특히 본 발명에서 구현하고자 하는 수직 고방열 특성의 경우 망사 또는 타공판 형상을 가진 중간 모재층의 경우 기존 판상형 모재층과는 달리 금속 표면의 산화막 제거가 용이하지 않아 클래드 메탈 제조 후 계면 결함의 원인이 될 수 있다. 본 발명에서는 이러한 단점을 극복하기 위해서 망사 또는 타공형 중간 모재층에 상하부 금속과 같은 계열의 금속층을 도금함으로써 클래드 메탈 제조 공정 후 계면의 결합력 향상과 망사 형태의 중간 모재층에서 발생하기 쉬운 결함을 억제할 수 있다. 또한 도금된 금속층의 경우 중간 모재층의 표면에 산화막 생성을 억제하여 클래드 메탈 제조 공정 중 사용되는 산화막 제거 공정을 최소화할 수 있는 장점이 있다. 특히 Cu 또는 Cu 합금을 도금한 망사형 중간 모재층을 적용한 클래드 메탈 구조에서는 상하부 금속층과 같은 Cu계 금속층 이므로 결합력뿐만 아니라 높은 열전도율의 특성까지 유지할 수 있어, 종래의 클래드 메탈에서 확보하기 어려운 수직방향의 고 열전도도 특성을 구현할 수 있다. 이러한 본 발명을 계기로 그동안 수직 고방열 특성을 가진 고강도의 클래드 메탈 부재로 인한 광전소자 및 통신소자 제작의 어려움을 극복하고 우수한 고효율의 소자 제작이 가능하게 될 것으로 기대된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130042777A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020110106855
申请日：2011-10-19
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B23K20/04 , B23K20/227
Abstract: PURPOSE: A high radiant heat clad metal manufacturing method is provided to connect high thermal conductivity of an upper layer to a lower metal layer by improving a shape of a middle basic material layer as a mesh-shape or a punched shape. CONSTITUTION: A high radiant heat clad metal manufacturing method comprises an upper or a lower metal layer(11,12) and a different kind of basic material layer which is a middle layer. A part of the different kind of the basic material layer is removed so that the upper metal layer and the lower metal are directly connected. The middle basic material layer is manufactured as a mesh shape and comprises clad metal with the upper metal layer and the lower metal layer. The middle basic material layer is manufactured as a punched shape and comprises the clad metal with the upper metal layer and the lower metal layer. [Reference numerals] (11) Lower metal layer; (12) Upper metal layer; (31) Middle basic material layer;
Abstract translation: 目的：提供高辐射热复合金属制造方法，通过改善中间基材层的形状作为网状或冲压形状，将上层的高导热性与下金属层连接。 构成：高辐射热复合金属制造方法包括上金属层或下金属层（11,12）和作为中间层的不同种类的基材层。 去除不同种类的基本材料层的一部分，使得上金属层和下金属直接连接。 中间的基本材料层被制造成网状，并且包括具有上金属层和下金属层的复合金属。 中间基体材料层被制造成冲压形状，并且包括具有上金属层和下金属层的复合金属。 （11）下金属层; （12）上金属层; （31）中间基材层;
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公开(公告)号：KR101615564B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020150025042
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른수직형발광다이오드는 p-n접합구조를갖는질화물반도체를기반으로하며, p형클래드층상에 p형클래드층과굴절율이상이하며패턴구조를갖는투명소재층을형성한다. 투명소재층상에는 p-전극으로서반사금속전극층을형성한다. 투명소재층에입체적인패턴을형성한후 p-전극을증착함으로써 p-전극에패턴이형성된다. p-전극에형성된패턴에의해활성층에서방출된빛이넓은방사각으로방출되며, 패턴된형태와물질의굴절률에따라반사율을향상시킨다. 본발명에따른수직형발광다이오드는간단한공정에의해제조되면서도, p-전극의패턴에의해빛이넓은각도로방출되어높은반사효율로인해서고효율의수직형발광다이오드를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101506961B1
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：KR1020130050633
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 pn접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101677430B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020150040273
申请日：2015-03-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에있어서, 상기태양전지의 P형화합물반도체층과 P전극사이에적층되는적어도하나이상의물질층으로써, 상기 P형화합물반도체층에가장인접한물질층으로부터상기 P전극에가장인접한물질층까지의각 물질층이점진적으로낮은굴절률을갖는물질로이루어진굴절률조정부를포함하는것을특징으로하는본 발명의일 실시예에따른태양전지가개시된다.
Abstract translation: 1。一种太阳能电池，包括：至少一个材料层，层压在所述太阳能电池的P型化合物半导体层和P电极之间，其中所述至少一个材料层距离所述P型化合物半导体层最近的材料层， 根据本发明实施例的太阳能电池，其特征在于，材料层包括由具有逐渐降低的折射率的材料制成的折射率调节部分。
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公开(公告)号：KR1020150014021A
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020130088594
申请日：2013-07-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: Disclosed is a high heat dissipation clad metal and a fabrication method thereof, having an intermediate basic material layer for vertical heat dissipation. The present invention includes: a matrix of a first metal; and a metallic powder comprised of a second metal dispersed inside the matrix. The matrix penetrates between the dispersed metallic powders to be connected, and the first metal has a higher stiffness than the second metal. According to the present invention, the clad metal shows high heat conductivity in the vertical direction by thermally and electrically connecting the upper and the lower side of the clad metal by providing an intermediate basic material layer including rigid particles inside the matrix of the high heat dissipation inside the clad metal.
Abstract translation: 公开了一种高散热复合金属及其制造方法，具有用于垂直散热的中间基材层。 本发明包括：第一金属的基体; 以及由分散在基体内的第二金属组成的金属粉末。 基体穿透待连接的分散的金属粉末，第一金属具有比第二金属更高的刚度。 根据本发明，通过在基体内提供高散热性的包含刚性粒子的中间基体材料层，通过热电连接复合金属的上侧和下侧，使复合金属在垂直方向上显示出高导热性 在复合金属内。
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