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公开(公告)号：KR1020140117155A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020130032237
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주) 누리베큠
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , G02F1/1343
Abstract: An oxide based highly flexible transparent electrode according to the present invention has a highly flexible characteristic which can be applied to a highly flexible display device, which is a next generation display, and concurrently has excellent electrical and optical characteristics. The transparent electrode is manufactured by a first step of preparing a flexible substrate made of glass or polymer; a second step of fixating the substrate at a rotator arranged within a chamber to be rotatable, generating a vacuum by a high vacuum pump, a low vacuum pump and a vacuum pump, and adjusting the density of plasma and adjusting an indium content in overall thickness and materials of a ZITO:Ga or ZITO:Al thin film to form (deposit) the ZITO:Ga or ZITO:Al thin film by applying RF power to each of a first sputter gun equipped with a ZnO target doped with group 3 elements (Ga, Al) and a second sputter gun equipped with an ITO target; and a third step of performing heat treatment for the substrate that has passed the second step, at 200-300°C for 50-70 seconds. The present invention provides the oxide based highly flexible transparent electrode by optimizing process conditions when manufacturing a multi-component metal oxide based transparent electrode made of ZnO-ITO doped with the 3 group elements, to have excellent electrical characteristics and high light transmittance as well as high flexibility and to reduce usage of indium which is a main material of the ITO and a rare earth metal.
Abstract translation: 根据本发明的基于氧化物的高柔性透明电极具有高度灵活的特性，其可以应用于作为下一代显示器的高度柔性的显示装置，并且同时具有优异的电气和光学特性。 通过制备由玻璃或聚合物制成的柔性基底的第一步制造透明电极; 将基板固定在室内的旋转体上以便可旋转的第二步骤，通过高真空泵，低真空泵和真空泵产生真空，并调节等离子体的密度并调整铟的总厚度 和ZITO：Ga或ZITO：Al薄膜的材料，通过向配备有掺杂有3族元素的ZnO靶的第一溅射枪施加RF功率来形成（沉积）ZITO：Ga或ZITO：Al薄膜 Ga，Al）和配备有ITO靶的第二溅射枪; 对经过第二工序的基板进行热处理，在200〜300℃下进行50〜70秒的第三工序。 本发明通过在制造掺杂有3组元素的ZnO-ITO制成的多组分金属氧化物基透明电极的工艺条件下优化提供氧化物高柔性透明电极，具有优异的电特性和高透光率 高灵活性和减少作为ITO和稀土金属的主要材料的铟的使用。
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公开(公告)号：KR101449258B1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130032237
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주) 누리베큠
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , G02F1/1343
Abstract: 본 발명에 따른 산화물 기반의 고 유연성 투명전극은 차세대 디스플레이인 고 유연 디스플레이 소자에 적용할 수 있는 고유연의 특성을 갖으며 동시에 전기적, 광학적 특성이 뛰어난 투명 전극에 관한 것으로 유리 또는 폴리머 소재의 유연한 기판을 준비하는 제 1단계와 상기의 기판을 챔버내에 구비된 로테이터에 회전가능토록 고정한 후 고진공 펌프와 저진공 펌프 및 진공 벨브에 의하여 진공을 발생시키고, 3족 원소(Ga, Al)가 도핑된 ZnO 타겟(target)을 장착한 제 1스퍼터건과 ITO 타겟을 장착한 제 2스퍼터건에 각각 RF파워를 가함으로써 플라즈마 밀도를 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al 박막의 전체적인 두께와 물질에서 In(인듐)이 차지하는 함량을 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al의 박막을 형성(증착)하는 제 2단계 및 상기의 제 2단계를 완료한 기판을 200℃~300℃에 서 50초~70초 동안 열처리하는 제 3단계로 제작되어 고 유연성을 가지는 것은 물론이고 우수한 전기적 특성과 높은 광투과율을 가지며 ITO의 주된 물질이자 희토류 금속인 인듐의 사용량을 감소시킬 수 있도록 3족 원소가 도핑된 ZnO-ITO의 다성분계 금속산화물계 투명 전극으로 다성분 금속 산화물계 투명전극의 제조 시 공정 조건 등을 최적화시킴으로써 산화물 기반의 고 유연성 투명전극을 제공하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020160089952A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009502
申请日：2015-01-20
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주) 누리베큠
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35
Abstract: 본발명은, 원통형의스퍼터링타깃(10), 스퍼터링타깃(10)의내부에스퍼터링타깃(10)의길이방향으로배치되며자기장을형성하는마그넷(20), 마그넷(20)을지지하는마그넷지지유닛(30)을포함하고, 마그넷(20)은스퍼터링타깃(10)의내주면과간극(G)을두고대면하는대향면(22)을가지며대향면(22)이스퍼터링타깃(10)의내주에대응되는곡률을갖도록형성된원통형스퍼터링캐소드를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种圆柱形溅射阴极，包括：圆柱形溅射靶（10）; 在所述溅射靶（10）内沿所述溅射靶（10）的纵向布置的磁体（20），形成磁场; 以及支撑所述磁体（20）的磁体支撑单元（30）。 所述磁体（20）具有与所述溅射靶（10）的内周面对置的相反面（22），同时留有间隙（G），所述相对面（22）形成为具有与所述内周 的溅射靶（10）。
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公开(公告)号：WO2017188578A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/001787
申请日：2017-02-17
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 자외선 발광소자용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 제1 산화물층; 상기 제1 산화물층 상에 형성된 금속층; 및 상기 금속층 상에 형성된 제2 산화물층; 을 포함하고, 상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층 중 적어도 어느 하나는, FTO(fluorine doped tin oxide)를 포함하는, 자외선 발광소자용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 단파장 영역에 대한 높은 투과도를 갖는 자외선 발광소자용 투명 전극을 제공하고, 자외선 발광소자의 제조단가를 낮출 수 있다.
Abstract translation: 紫外发光器件用透明电极及其制造方法技术领域本发明涉及紫外发光器件用透明电极及其制造方法，特别涉及紫外发光器件用透明电极， 形成在第一氧化物层上的金属层; 并且在金属层上形成第二氧化物层; 并且，第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个包括氟掺杂氧化锡（FTO），以及用于制造紫外发光器件用透明电极的方法。 本发明可以提供一种用于在短波长区域具有高透射率的紫外发光器件的透明电极，并且可以降低紫外发光器件的制造成本。
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5.发明申请수직형 발광다이오드 제조 방법, 수직형 발광다이오드와 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드 审中-公开用于制造垂直型发光二极管，垂直型发光二极管的方法，制造超紫外线发光二极管的方法和超紫外线发光二极管
公开(公告)号：WO2014175564A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/KR2014/002642
申请日：2014-03-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드, 그 제조 방법과 자외선 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 p-n접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다. 한편, 자외선 발광다이오드에서 p형 클래드층 상에 p-전극을 증착시킴에 있어, p형 클래드층의 상부 면적의 70% 이하 10% 이상의 면적에만 p-전극을 증착시키는 경우, p형 클래드층이 노출되는 면적이 넓어 p-전극이 증착되지 않은 부분을 통하여 자외선의 투과율을 높일 수 있다. p-전극의 형태는 메시 형태, 타공판 형태, 일차원 그리드 형태 등이 될 수 있다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 방출되는 빛이 자외선인 경우에도 투과율을 높일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及垂直型发光二极管及其制造方法，紫外线发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直型发光二极管基于具有pn结合结构的氮化物半导体，在p型覆盖层上形成透明材料层，透明材料层的折射率不同于 p型覆盖层并具有图案结构。 反射金属电极层作为p电极形成在透明材料层上。 在透明材料层中形成立体图案之后，沉积p电极，因此在p电极中形成图案。 来自活性层的光通过在p电极中形成的图案以宽的辐射角发射，并且根据图案形式和材料的折射率改善反射率。 另一方面，在紫外线发光二极管的p型覆盖层上淀积p电极的情况下，当p型电极仅沉积在p型覆盖层的上部的10〜70％时， p型覆盖层被暴露的情况较宽，因此可以增加通过不沉积p电极的区域的紫外线的透射率。 p型电极的形式可以是网格形式，冲压板形式，一维网格形状等。本发明的垂直型发光二极管通过简单的工艺制造，并且具有高的反射效率，因为 光通过p电极的图案以广角发射。 因此，本发明可以提供一种高效率的垂直型发光二极管。 此外，即使当发射的光是紫外线时，也可以提高透射率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101773706B1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160051334
申请日：2016-04-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/42 , H01L33/005 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은, 자외선발광소자용투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 반도체층상에형성된제1 산화물층; 상기제1 산화물층상에형성된금속층; 및상기금속층상에형성된제2 산화물층; 을포함하고, 상기제1 산화물층및 제2 산화물층중 적어도어느하나는, FTO(fluorine doped tin oxide)를포함하는, 자외선발광소자용투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 단파장영역에대한높은투과도를갖는자외선발광소자용투명전극을제공하고, 자외선발광소자의제조단가를낮출수 있다.
Abstract translation: 本发明，用于紫外线发光元件和透明电极及其作为涉及的制备方法，更具体地，形成在所述半导体层上的第一氧化物层; 形成在第一氧化物层上的金属层; 并且在金属层上形成第二氧化物层; 并且，第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个包括氟掺杂氧化锡（FTO），以及用于制造紫外发光器件用透明电极的方法。 产业上的可利用性根据本发明，能够提供对短波长区域的透过率高的紫外发光元件用透明电极，能够降低紫外发光元件的制造成本。
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公开(公告)号：KR101615564B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020150025042
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른수직형발광다이오드는 p-n접합구조를갖는질화물반도체를기반으로하며, p형클래드층상에 p형클래드층과굴절율이상이하며패턴구조를갖는투명소재층을형성한다. 투명소재층상에는 p-전극으로서반사금속전극층을형성한다. 투명소재층에입체적인패턴을형성한후 p-전극을증착함으로써 p-전극에패턴이형성된다. p-전극에형성된패턴에의해활성층에서방출된빛이넓은방사각으로방출되며, 패턴된형태와물질의굴절률에따라반사율을향상시킨다. 본발명에따른수직형발광다이오드는간단한공정에의해제조되면서도, p-전극의패턴에의해빛이넓은각도로방출되어높은반사효율로인해서고효율의수직형발광다이오드를제공할수 있다.
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