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公开(公告)号：WO2017188578A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/001787
申请日：2017-02-17
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 자외선 발광소자용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 제1 산화물층; 상기 제1 산화물층 상에 형성된 금속층; 및 상기 금속층 상에 형성된 제2 산화물층; 을 포함하고, 상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층 중 적어도 어느 하나는, FTO(fluorine doped tin oxide)를 포함하는, 자외선 발광소자용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 단파장 영역에 대한 높은 투과도를 갖는 자외선 발광소자용 투명 전극을 제공하고, 자외선 발광소자의 제조단가를 낮출 수 있다.
Abstract translation: 紫外发光器件用透明电极及其制造方法技术领域本发明涉及紫外发光器件用透明电极及其制造方法，特别涉及紫外发光器件用透明电极， 形成在第一氧化物层上的金属层; 并且在金属层上形成第二氧化物层; 并且，第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个包括氟掺杂氧化锡（FTO），以及用于制造紫外发光器件用透明电极的方法。 本发明可以提供一种用于在短波长区域具有高透射率的紫外发光器件的透明电极，并且可以降低紫外发光器件的制造成本。
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2.发明申请수직형 발광다이오드 제조 방법, 수직형 발광다이오드와 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드 审中-公开用于制造垂直型发光二极管，垂直型发光二极管的方法，制造超紫外线发光二极管的方法和超紫外线发光二极管
公开(公告)号：WO2014175564A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/KR2014/002642
申请日：2014-03-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드, 그 제조 방법과 자외선 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 p-n접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다. 한편, 자외선 발광다이오드에서 p형 클래드층 상에 p-전극을 증착시킴에 있어, p형 클래드층의 상부 면적의 70% 이하 10% 이상의 면적에만 p-전극을 증착시키는 경우, p형 클래드층이 노출되는 면적이 넓어 p-전극이 증착되지 않은 부분을 통하여 자외선의 투과율을 높일 수 있다. p-전극의 형태는 메시 형태, 타공판 형태, 일차원 그리드 형태 등이 될 수 있다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 방출되는 빛이 자외선인 경우에도 투과율을 높일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及垂直型发光二极管及其制造方法，紫外线发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直型发光二极管基于具有pn结合结构的氮化物半导体，在p型覆盖层上形成透明材料层，透明材料层的折射率不同于 p型覆盖层并具有图案结构。 反射金属电极层作为p电极形成在透明材料层上。 在透明材料层中形成立体图案之后，沉积p电极，因此在p电极中形成图案。 来自活性层的光通过在p电极中形成的图案以宽的辐射角发射，并且根据图案形式和材料的折射率改善反射率。 另一方面，在紫外线发光二极管的p型覆盖层上淀积p电极的情况下，当p型电极仅沉积在p型覆盖层的上部的10〜70％时， p型覆盖层被暴露的情况较宽，因此可以增加通过不沉积p电极的区域的紫外线的透射率。 p型电极的形式可以是网格形式，冲压板形式，一维网格形状等。本发明的垂直型发光二极管通过简单的工艺制造，并且具有高的反射效率，因为 光通过p电极的图案以广角发射。 因此，本发明可以提供一种高效率的垂直型发光二极管。 此外，即使当发射的光是紫外线时，也可以提高透射率。
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公开(公告)号：KR101773706B1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160051334
申请日：2016-04-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/42 , H01L33/005 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은, 자외선발광소자용투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 반도체층상에형성된제1 산화물층; 상기제1 산화물층상에형성된금속층; 및상기금속층상에형성된제2 산화물층; 을포함하고, 상기제1 산화물층및 제2 산화물층중 적어도어느하나는, FTO(fluorine doped tin oxide)를포함하는, 자외선발광소자용투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 단파장영역에대한높은투과도를갖는자외선발광소자용투명전극을제공하고, 자외선발광소자의제조단가를낮출수 있다.
Abstract translation: 本发明，用于紫外线发光元件和透明电极及其作为涉及的制备方法，更具体地，形成在所述半导体层上的第一氧化物层; 形成在第一氧化物层上的金属层; 并且在金属层上形成第二氧化物层; 并且，第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个包括氟掺杂氧化锡（FTO），以及用于制造紫外发光器件用透明电极的方法。 产业上的可利用性根据本发明，能够提供对短波长区域的透过率高的紫外发光元件用透明电极，能够降低紫外发光元件的制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101615564B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020150025042
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른수직형발광다이오드는 p-n접합구조를갖는질화물반도체를기반으로하며, p형클래드층상에 p형클래드층과굴절율이상이하며패턴구조를갖는투명소재층을형성한다. 투명소재층상에는 p-전극으로서반사금속전극층을형성한다. 투명소재층에입체적인패턴을형성한후 p-전극을증착함으로써 p-전극에패턴이형성된다. p-전극에형성된패턴에의해활성층에서방출된빛이넓은방사각으로방출되며, 패턴된형태와물질의굴절률에따라반사율을향상시킨다. 본발명에따른수직형발광다이오드는간단한공정에의해제조되면서도, p-전극의패턴에의해빛이넓은각도로방출되어높은반사효율로인해서고효율의수직형발광다이오드를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101807957B1
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160080911
申请日：2016-06-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성되고, 국부적으로나노결정닷이분포된 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물박막; 을포함하고, 상기나노결정닷 및 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물은, 각각, ZITO:Al, ZITO:Ga 또는이 둘을포함하는산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 플렉서블또는웨어러블소자에적용가능한유연성과우수한전기적특성을갖는, 고전도성유연투명전극을제공할수 있다.
Abstract translation: 基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法技术领域本发明涉及一种基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种基底; 以及在衬底上形成并与纳米晶点局部分布的Zn-In-Sn-O基非晶氧化物薄膜; 并且其中所述纳米晶体和点Zn系的In-Sn-O的非晶氧化物与分别ZITO：涉及一种镓或基于氧化物的高导电柔性透明电极和包括所述两个方法：铝，ZITO 。 本发明可以提供具有柔韧性和适用于柔性或可佩戴元件的优异电性能的高导电性柔性透明电极。
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公开(公告)号：KR101580213B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020130043944
申请日：2013-04-22
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은자외선발광다이오드제조방법및 자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른자외선발광다이오드제조방법은 n형클래드층, 활성층, p형클래드층이순차적으로적층된질화물계반도체층및 p-전극, n-전극을포함하는질화물반도체기반자외선발광다이오드를제조하기위한것이다. p형클래드층상에 p-전극을증착시킴에있어, p형클래드층의상부면적의 70% 이하 10% 이상의면적에만 p-전극을증착시킨다. p-전극의형태는메시형태, 타공판형태, 일차원그리드형태등이될 수있다. 본발명에따른자외선발광다이오드제조방법에의해제조된자외선발광다이오드는간단한공정에의해제조되면서도 p형클래드층이노출되는면적이넓어, p-전극이증착되지않은부분을통하여자외선의투과율을높여고효율의자외선발광다이오드를제공할수 있다.
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