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公开(公告)号：KR1019970003693B1
公开(公告)日：1997-03-21
申请号：KR1019930026313
申请日：1993-12-03
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: Method of forming a solder bump using lapping technique defines a photoresist of a solder bump deposition thickness, uses a lapping process, thereby solving a problem of a thick film photoresist pattern process of a prior lift-off method. Also, the method obtains a desired solder volume by adjusting a height after depositing a solder, thereby increasing an accuracy of a solder bump forming process. The method includes the steps of: sputtering a predetermined UBM(under-bumped metal) layer on a semiconductor bonding pad, and forming a damping oxide film(3) on a part excepting the bonding pad(1) area; forming a thick film photoresist(4); light-exposing and developing the thick film photoresist(4) by a predetermined light-exposer having a hydrogen or cadmium ultraviolet rays source; depositing a solder(5) on the thick film photoresist(4) and on the bonding pad(1); performing a lapping until the solder bump deposited on the bonding pad(1) is exposed in order to remove the solder(5); removing a remaining thick film photoresist(4); reflowing the solder bump(6) on the bonding pad(1) defined as the damping oxide film(3) in 5 minutes of 350deg.C and N2 atmosphere, and making a solder ball format.
Abstract translation: 使用研磨技术形成焊料凸块的方法限定了焊料凸块淀积厚度的光致抗蚀剂，使用研磨工艺，从而解决了先前剥离方法的厚膜光致抗蚀剂图案处理的问题。 此外，该方法通过调整沉积焊料后的高度来获得所需的焊料体积，从而提高焊料凸点形成工艺的精度。 该方法包括以下步骤：在半导体接合焊盘上溅射预定的UBM（欠凸极金属）层，并在除了焊盘（1）区域之外的部分上形成阻尼氧化膜（3） 形成厚膜光致抗蚀剂（4）; 通过具有氢或镉紫外线源的预定曝光器对所述厚膜光致抗蚀剂（4）进行曝光和显影; 在厚膜光致抗蚀剂（4）和接合焊盘（1）上沉积焊料（5）; 进行研磨，直到沉积在焊盘（1）上的焊料凸块暴露以去除焊料（5）; 去除剩余的厚膜光致抗蚀剂（4）; 在定义为阻尼氧化膜（3）的接合焊盘（1）上，在350℃和N2气氛的5分钟内回流焊料凸块（6），并制成焊球形式。
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公开(公告)号：KR1019960014446B1
公开(公告)日：1996-10-15
申请号：KR1019930028268
申请日：1993-12-17
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: (A) forming a ring UBM pad(1) to elaborate alignment and to decrease parasitic capacitance by sputtering; (C) forming an opening (8) on the ring UBM pad(1) by etching a dielectric passivation(3); (D) depositing a photoresist(AZ4562)(4) by double coating at 1000-1500 rpm, UV exposure and baking; (E) forming a solder bump(5) on the photoresist(4) and on the opening(8) by thermal deposition; (F) forming a solder bump(5) deposited by lift-off processing to remove the solder except the solder deposited on the ring UBM pad(1); (G) forming a solder bump(6) by reflowing the deposited solder bump(5) in the atmosphere of some gas; and (H) flip chip-bonding the reflowed solder bump(6) on a substrate(7).
Abstract translation: （A）形成环UBM焊盘（1）以精细对准并通过溅射降低寄生电容; （C）通过蚀刻电介质钝化（3）在环UBM焊盘（1）上形成开口（8）; （D）通过双重涂覆以1000-1500rpm，UV曝光和烘烤沉积光致抗蚀剂（AZ4562）（4）; （E）通过热沉积在光致抗蚀剂（4）和开口（8）上形成焊料凸块（5）; （F）形成通过剥离处理沉积的焊料凸块（5），除去沉积在环UBM焊盘（1）上的焊料之外的焊料; （G）通过在一些气体的气氛中回流沉积的焊料凸块（5）形成焊料凸块（6）; 和（H）将衬底（7）上的回流焊料凸块（6）倒装芯片接合。
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公开(公告)号：KR1019960024472A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940035169
申请日：1994-12-19
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광소자의 광정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 용접하고자 하는 부품의 정렬마크를 이용하여 카메라를 통해 확대된 상을 육안으로 비교하면서 정밀하게 수동정렬 후 레이저 웰딩하는 정렬 마크를 이용한 광소자의 수동정렬방법 및 제조장치에 관한 것으로 결합하고자 하는 광소자의 한 부분을 정렬마크로 설정하고, 광섬유의 코어(30) (직경 10㎛)를 다른 하나의 정렬마크로 설정한 후 이들 정렬마크를 카메라(19)를 통하여 봄으로서 확대된 상을 육안으로 확인하면서 X스테이지(4), Y스테이지(5), Z스테이지(7), θ스테이지(6)를 움직여 두개의 정렬마크가 중첩되도록 수동정렬 후 레이저 웰딩방법을 이용하여 기계적으로 고정시키도록 하는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950021292A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028268
申请日：1993-12-17
Abstract: 본 발명은 환형 패드를 이용한 솔더범프 형성방법에 관한 것으로서, 종래기술의 솔더범프의 크기가 작아지면 고속 및 고주파특성은 개선되지만 열적특성인 저하될 뿐 아니라 각 범프가 받는 하중이 늘어나 기계적 특성도 떨어지게 되는 문제점을 해결하기 위하에, 본 발명에서는 플립칩용 범프 패드의 형태를 환형으로 하는 공정(A), 유전체 패시베이션 공정(C)과, 후막 포토레지스트 도포공정(D)과, 솔더증착 공정(E)과, 리프트-오프(Lift-off)공정(F)과, 중차된 솔더의 리플로우 공정(G)과, 침과 기판의 플립칩 본딩공정(H)을 제공함으로써 낮은 온도에서 본딩을 가능하게 하고, 광소자의 본딩시에는 수직정렬을 이룰 수 있게하고, 낮은 기생 인덕턴스 및 캐퍼시턴스를 가질 뿐 아니라, 전기적, 기계적, 그리고 열적특성ㅇ을 증가시켜서 고속 및 고주파소자에 대 플립칩본딩의 특성을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019910006702B1
公开(公告)日：1991-08-31
申请号：KR1019880015986
申请日：1988-12-01
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66878 , H01L21/28581 , H01L21/28587
Abstract: The method for manufacturing a self-aligned MESFET with a T- shaped gate comprises the stpes of ion-implanting onto a semi-insulating GaAs substrate (1) by using a thin Si film (2) and a Si3N4 film (3); patterning a gate electrode by etching the Si3N4 film; selectively depositing tungsten by CVD only on the exposed thin Si film; thickoning the tungsten film in the transverse direction to form a T-shape; forming an n+ layer (8) by ion implantation using the T-shaped tungsten gate (7) such that the gap between the gate electrode and the n+ layer is 1000-2000 angstroms; activating the n and n+ layers; and ion-implanting through the Si and Si3N4 layers to provide insulation between the devices.
Abstract translation: 用于制造具有T形栅极的自对准MESFET的方法包括通过使用薄Si膜（2）和Si 3 N 4膜（3）将离子注入到半绝缘GaAs衬底（1）上的电极; 通过蚀刻Si 3 N 4膜来图案化栅电极; 通过CVD仅在暴露的薄Si膜上选择性沉积钨; 在横向上增厚钨膜以形成T形; 通过使用T形钨栅极（7）的离子注入形成n +层（8），使得栅电极和n +层之间的间隙为1000-2000埃; 激活n和n +层; 并通过Si和Si3N4层离子注入以提供器件之间的绝缘。
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公开(公告)号：KR100149128B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950034146
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/022
Abstract: 본 발명은 고속 광통신용 반도체 레이저모듈 패키지에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 광학 부품수를 줄이고 레이저 다이오드의 열전달 경로를 최소화하는 동시에 광섬유를 보다 견고히 고정함으로써 초고속 광통신의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 고속 광통신용 반도체 레이저모듈 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 레이저모듈 패키지는, 레이저 다이오드(1)가 열분산용 기판(103) 상에 결합형성되고, 전기한 열분산용 기판(103)과 전기한 레이저다이오드(101)에서의 광신호를 검출하기 위한 모니터 광검출기(104), 열측정소자(106), 단자(123) 및 박막저항(102) 및 열전 냉각소자(109)의 일면이 칩캐리어(107) 상에 형성되고, 전기한 레이저다이오드(101)와 칩캐리어(107)의 전기적 연결시 기생성분을 감소시키기 위한 접지용 블록(133)이 칩캐리어(107) 상에 형성되고, 칩캐리어(107)는 그 수직면에 집속형 단일렌즈(118)가 입설된
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