Abstract:
나노 입자를 포함하는 전자소자용 광산란 박막 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터용 접합 구조와 이들의 제조 방법에 관하여 개시한다. 전자소자용 광산란 박막은 Si 또는 금속으로 이루어지는 나노입자를 포함하는 탄화물-반금속 또는 탄화물-금속으로 구성된다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터용 접합 구조는 (ZnS) 1-x (SiC) x , W 1 - x C x , Ta 1 - x C x 및 Mo 1 - x C x (0 1 -y ((ZnS) 1-x (SiC) x ) y , M 1 -y (W 1 - x C x ) y , M 1 -y (Ta 1 - x C x ) y 및 M 1 -y (Mo 1 - x C x ) y (0
Abstract:
본 발명은 광소자용 구조물 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 외부로부터 제공되는 열 에너지에 의해 나노 입자가 생성되는 광산란층, 상기 광산란층을 보호하는 보호층 및 상기 광산란층과 상기 보호층 사이에 형성된 캡핑층을 포함한다. 광산란층을 질화물-산화물로 형성함으로써 에너지 갭이 커져 고속의 전자회로에 유리하고, 정량비를 쉽게 만들 수 있다. 또한, 상기 캡핑층에 의해 결정학적인 미스매치가 방지됨으로써 성분 불균일을 방지하여 화학 양론적인 상태를 유지한다. 따라서 박막의 균일성 및 재현성이 우수한 고집적 및 고속의 전자회로를 용이하게 구현할 수 있다. 광산란, 나노 입자, 질화물-산화물, 캡핑층, 투과도
Abstract:
본 발명은 광소자용 구조물 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 외부로부터 제공되는 열 에너지에 의해 나노 입자가 생성되는 광산란층, 상기 광산란층을 보호하는 보호층 및 상기 광산란층과 상기 보호층 사이에 형성된 캡핑층을 포함한다. 광산란층을 질화물-산화물로 형성함으로써 에너지 갭이 커져 고속의 전자회로에 유리하고, 정량비를 쉽게 만들 수 있다. 또한, 상기 캡핑층에 의해 결정학적인 미스매치가 방지됨으로써 성분 불균일을 방지하여 화학 양론적인 상태를 유지한다. 따라서 박막의 균일성 및 재현성이 우수한 고집적 및 고속의 전자회로를 용이하게 구현할 수 있다. 광산란, 나노 입자, 질화물-산화물, 캡핑층, 투과도
Abstract:
본 발명은 넓은 에너지 영역에서 띠간격(band gap)을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 탄화규소(SiC)와 질화규소(Si 3 N 4 )의 혼합 타겟을 이용하여 펄스레이저 증착 장비에 의해 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 제조한다. 이에 따라, 본 발명은 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖음과 아울러 띠간격도 조절할 수 있는 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 얻을 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a silicon carbide layer having silicon nano-dots is provided to emit a deposition process of an active layer or a passivasion layer and form the silicon nano-dot in the silicon carbide layer by controlling a mixing ratio between silicon carbide and silicon. CONSTITUTION: A mixed pulverulent body is formed in slurry by dissolving silicon carbide powders and silicon powders in the solvent(11). A green body is formed by drying the mixed pulverulent body in a molding frame(12). A mixed target of silicon carbide and silicon is formed by dipping the green body in metallic silicon of high purity(13). The mixed target is loaded into a reaction chamber(14). A silicon carbide layer having silicon nano-dots is deposited on a substrate by irradiating laser beam to the mixed target(15).
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for driving a sample holder of semiconductor fabrication equipment and an etching method using the same are provided to form smoothly an incline boundary by controlling an incident angle of ion beam and a revolution speed of a sample. CONSTITUTION: A gear teeth(11) is formed on a sample holder(10). A rotation driving portion is connected with the gear tooth(11) of the sample holder(10). A slope driving portion(30) is used for shifting the sample holder(10) as much as a predetermined angle. The rotation driving portion includes a motor(21), a gear portion(22), a driving shaft(23), the first bevel gear(24), the second bevel gear(25), and the third bevel gear(27). The slope driving portion(30) is formed with a rotary handle bar(31), a worm(33) installed at a rotary shaft(32), a horizontal gear(34), and a fixing member(36). A supply line(40) is connected with a cooling line(41) of a vacuum chamber. A flange(42) is adhered on the vacuum chamber.
Abstract:
The present invention relates to an emotion signal sensing device which includes a sensor unit which senses an environment signal and a bio-signal by the emotion change of a user, a signal processing unit which converts the sensed bio-signal and environment signal into digital signals and outputs the digital signals, and a control unit which generates emotion information by using the digital signals outputted from the signal processing unit and transmits the generated emotion information to an emotion service providing apparatus or an emotion signal sensing device of another user.
Abstract:
A silicon nano-crystal biosensor according to an embodiment of the present invention comprises: a flexible substrate which can be deformed at least in one surface according to the form of a body organ; a light-emitting device which is disposed on the flexible substrate and irradiates light; and a light detector which is disposed on the flexible substrate in order to face the light-emitting device and absorbs the discharged light. The length of the flexible substrate is the same as or longer than the bending radius of the body organ.
Abstract:
A photoelectric conversion device according to an embodiment is to facilitate the absorption of light. The embodiment provides a photoelectric conversion device which includes: a first substrate; a photoelectric conversion layer arranged on the upper part of a first substrate; a second substrate different from the first substrate and arranged on the photoelectric conversion layer; and a nanopillar layer arranged on the upper part of the second substrate. The nanopillar layer includes nanopillars which are separated from each other.
Abstract:
PURPOSE: A light detector element successively absorbs lights ranging from a light with small energy to a light with large energy, and thus improves optical absorption efficiency. CONSTITUTION: A photoelectric transformation layer (200) is interposed between a lower and upper part carrier transport layers. A common electrode (130) is arranged on the upper carrier transport layer. The photoelectric transformation layer comprises multiple light absorption layers. The light absorption layers contain silicon nanocrystals. The size of the silicon nanocrystals is different from each other.