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    급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로
    31.
    发明授权
    급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 失效
    包括金属 - 绝缘体转换型器件的电流控制电路

    公开(公告)号：KR100576704B1

    公开(公告)日：2006-05-03

    申请号：KR1020030078333

    申请日：2003-11-06

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  강광용 ,  채병규 ,  임용식 ,  김성현 ,  맹성렬 ,  김경옥

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L45/00

    Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와, 그리고 저항요소를 구비한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타낸다. 그리고 저항요소는 전원과 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어한다. 이에 따르면 급격하게 발생하는 대량의 전류에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되는 현상을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 적용할 수 있게 된다.
    금속-절연체 상전이, 모트 트랜지스터, 대전류 제어회로

    강자성체를 전극으로 사용한 전기 발광 소자
    32.
    发明授权
    강자성체를 전극으로 사용한 전기 발광 소자 失效
    使用铁磁材料的电致发光器件作为电极

    公开(公告)号：KR100527340B1

    公开(公告)日：2005-11-09

    申请号：KR1020020079991

    申请日：2002-12-14

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김성현 ,  추혜용 ,  오지영 ,  정태형

    IPC: H05B33/26

    CPC classification number: H01L51/5203

    Abstract: 강자성체를 전극으로 사용한 전기 발광(electroluminescence) 소자를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 전기 발광 소자는 강자성체로 이루어진 전극을 포함하여 구성된다. 즉, 제1전극과, 제1전극에 대향되는 제2전극, 및 제1전극과 제2전극 사이에 도입되어 제1전극 및 제2전극들에 의해서 주입되는 전하들의 결합에 의해서 발광하는 발광층을 포함하여 구성되고, 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극은 강자성체로 이루어져 강자성체의 자화 방향에 부합되는 스핀(spin) 방향을 가지는 전하들을 선택적으로 발광층에 주입한다. 이때, 제1전극은 제2전극에 대해서 반대 방향으로 자화 방향을 가지는 강자성체로 이루어질 수 있다.

    급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로
    34.
    发明公开
    급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로 失效
    电流控制电路，包括金属绝缘子转换型器件

    公开(公告)号：KR1020050043431A

    公开(公告)日：2005-05-11

    申请号：KR1020030078333

    申请日：2003-11-06

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  강광용 ,  채병규 ,  임용식 ,  김성현 ,  맹성렬 ,  김경옥

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L45/00

    Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로는, 전원과, 급격한 금속-절연체 상전이형 소자와, 그리고 저항요소를 구비한다. 급격한 금속-절연체 상전이형 소자는, 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 전계가 인가됨에 따라 급격한 금속-절연체 상전이 특성을 나타낸다. 그리고 저항요소는 전원과 급격한 금속-절연체 상전이형 소자 사이에 연결되어 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 관통하는 대량의 전류를 제어한다. 이에 따르면 급격하게 발생하는 대량의 전류에 의해 급격한 금속-절연체 상전이형 소자가 파탄되는 현상을 방지할 수 있으며, 다양한 응용분야에 급격한 금속-절연체 상전이형 소자를 포함하는 전류제어회로를 적용할 수 있게 된다.

    알킬기를 갖는 스피로비플루오렌 화합물 및 그 제조방법
    36.
    发明授权
    알킬기를 갖는 스피로비플루오렌 화합물 및 그 제조방법 失效
    알킬기를갖는스피로비플루오렌화합물및그제조방알킬

    公开(公告)号：KR100449854B1

    公开(公告)日：2004-09-22

    申请号：KR1020010008989

    申请日：2001-02-22

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 이효영 ,  이정익 ,  정태형 ,  도이미 ,  추혜용 ,  김성현

    IPC: C07F5/02

    Abstract: PURPOSE: Provided are various spirobifluorene compounds with alkyl substituents at desired positions and their preparation method, thereby preparing derivatives each having different functions and excellent solubility to be used for polymer synthesis and as electronic materials. CONSTITUTION: Spirobifluorene compound is represented by the formula(1), wherein R1 and R2 are the same or different each other, and represent a C1-C20 linear or branched alkyl group or alkoxy group, or a thioalkyl group; and X1 and X2 are the same or different each other and represent hydrogen or halogen, or a hydroxyl group, or bone or boric ester, provided that X1 and X2 don't represent hydrogen simultaneously.

    Abstract translation: 目的：提供在所需位置具有烷基取代基的各种螺二芴化合物及其制备方法，由此制备各种具有不同功能和优异溶解性的用于聚合物合成的衍生物和作为电子材料。 构成：螺二芴化合物由式（1）表示，其中R 1和R 2彼此相同或不同，并且表示C 1 -C 20直链或支链烷基或烷氧基或硫代烷基; X1和X2彼此相同或不同，并且代表氢或卤素，或羟基，或骨或硼酸酯，条件是X1和X2不同时代表氢。

    플라스틱 박막상의 인듐주석산화막 패턴 형성 방법과 그를 위한 회전 도포기
    37.
    发明授权
    플라스틱 박막상의 인듐주석산화막 패턴 형성 방법과 그를 위한 회전 도포기 失效
    플라스틱박막상의인듐주석산화막패턴형성방법과그를위한회전도포기

    公开(公告)号：KR100413971B1

    公开(公告)日：2004-01-07

    申请号：KR1020000080894

    申请日：2000-12-22

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 정태형 ,  이효영 ,  김성현 ,  도이미 ,  이정익 ,  추혜용

    IPC: G02F1/136

    Abstract: PURPOSE: A method of patterning an indium tin oxide layer on a plastic thin film and a rotary coater used for the method are provided to coat photoresist in uniform thickness and prevent undercut generated in the event of wet etching. CONSTITUTION: An ITO layer(11) is formed on a plastic substrate(10), and photoresist is coated on the ITO layer. Heat treatment is performed in order to remove a solvent contained in the coated photoresist. Ultraviolet rays are irradiated on a portion of the ITO layer, which is etched, using a patterned mask. The exposed portion of the photoresist is developed. Heat treatment is carried out to eliminate moisture and solvent left in the photoresist. The ITO layer is dipped in an ITO etchant using the patterned photoresist as a mask to wet-etch the ITO layer. The photoresist used as the mask is stripped.

    Abstract translation: 目的：提供一种在塑料薄膜上图案化铟锡氧化物层的方法和用于该方法的旋转涂布机，以均匀厚度涂布光致抗蚀剂并防止在湿法蚀刻的情况下产生底切。 构成：在塑料衬底（10）上形成ITO层（11），并在ITO层上涂覆光刻胶。 进行热处理以除去包含在涂覆的光致抗蚀剂中的溶剂。 使用图案化的掩模将紫外线照射在被蚀刻的ITO层的一部分上。 光刻胶的曝光部分被显影。 进行热处理以消除残留在光致抗蚀剂中的湿气和溶剂。 使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模将ITO层浸入ITO蚀刻剂中以湿法蚀刻ITO层。 用作掩模的光刻胶被剥离。

    분자전자소자 제조방법
    38.
    发明公开
    분자전자소자 제조방법 失效
    制备分子电子器件的方法

    公开(公告)号：KR1020030089936A

    公开(公告)日：2003-11-28

    申请号：KR1020020027863

    申请日：2002-05-20

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 추혜용 ,  이효영 ,  김성현 ,  최성율 ,  정태형 ,  도이미

    IPC: H01L29/02 ,  B82Y99/00

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a molecular electronic device is provided to reduce a manufacturing cost by using a single crystal growth method and a selective etching method. CONSTITUTION: The first semiconductor layer(20), the second semiconductor layer, and the third semiconductor layer(40) are sequentially laminated on a substrate(10). A nanogap(35) is formed between the first semiconductor layer(20) and the third semiconductor layer(40) by etching a side of the second semiconductor layer. A metal layer is formed on a surface of the resultant. An upper part(50a) and a lower part(50b) of the resultant is electrically disconnected to each other by cutting vertically the substrate(10). A molecular electronic element(70) is coated on the upper part(50a) and the lower part(50b) near to the nanogap(35).

    Abstract translation: 目的：提供一种制造分子电子器件的方法，以通过使用单晶生长方法和选择性蚀刻方法来降低制造成本。 构成：第一半导体层（20），第二半导体层和第三半导体层（40）依次层叠在基板（10）上。 通过蚀刻第二半导体层的一侧，在第一半导体层（20）和第三半导体层（40）之间形成纳米隙（35）。 在所得物的表面上形成金属层。 通过垂直地切割基板（10），所得结果的上部（50a）和下部（50b）彼此电断开。 分子电子元件（70）涂覆在靠近纳米孔（35）的上部（50a）和下部（50b）上。

    유기 전기발광 고분자 화합물 및 이를 포함한 유기전기발광 소자
    40.
    发明授权
    유기 전기발광 고분자 화합물 및 이를 포함한 유기전기발광 소자 失效
    유기전기발광고분자화합물및이를포함한유기전기발광소자

    公开(公告)号：KR100388496B1

    公开(公告)日：2003-06-25

    申请号：KR1020010012585

    申请日：2001-03-12

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 이정익 ,  추혜용 ,  도이미 ,  김성현 ,  이효영 ,  정태형

    IPC: C09K11/06

    Abstract: PURPOSE: Provided are an organic, electroluminescent polymer compound which has high luminescence efficiency and excellent adhesion to insulation layer or metal electrode, and an organic, electroluminescent device comprising the same. CONSTITUTION: The organic, electroluminescent polymer compound has a structure represented by formula 1. In the formula 1, Ar is an aryl group having polar side chain, R3 and R4, which are same or different, represent a linear or branched alkyl group having C1-C20, each of x and y represents a ratio of each monomer and 0.01

    Abstract translation: 目的：提供具有高发光效率和对绝缘层或金属电极的优异粘附性的有机电致发光聚合物化合物以及包含其的有机电致发光器件。 构成：有机电致发光聚合物化合物具有由式1表示的结构。在式1中，Ar为具有极性侧链的芳基，R 3和R 4相同或不同，表示具有C 1的直链或支链烷基 -C20，x和y中的每一个表示每种单体的比例并且0.01

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