中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

54 records (took 0.021 seconds)

    광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법
    32.
    发明授权
    광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법 失效
    制造用于光通信的光模块的方法

    公开(公告)号：KR100155507B1

    公开(公告)日：1998-10-15

    申请号：KR1019940035492

    申请日：1994-12-21

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

    Inventor： 박경현 ,  장동훈 ,  이중기 ,  김정수 ,  조호성 ,  김홍만 ,  박형무

    IPC: H01L31/12

    Abstract: 본 발명은 광결합 효율을 높이기 위하여 집적광학형 광도파로를 적용한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법에 관한 것으로 반도체 발광 소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유(pigtail fiber)를 부착한 형태로 패키징하여 제작되는 발광모듈의 패키징에 있어서 가장 어렵고 비용이 많이 드는 부분은 발광 소자와 부착 광섬유 사이의 광결합의 공정이다.
    본 발명은 기존 발광모듈 제작시 발생하는 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이의 정렬오차에 의한 영향을 배제하면서 동시에 광출력-입력 면적 차이를 작게 함으로써 광결합 효율을 높이기 위한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법으로서 발광 소자에 광섬유를 부착하여 발광 모듈로 제작함에 있어 여러개의 역 깔때기형 코어가 배치된 집적 광학형 광도파로를 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이에 삽입하여 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.

    습각 식각법을 이용한 점차 가늘어지는 도파로의 제조 방법
    33.
    发明公开
    습각 식각법을 이용한 점차 가늘어지는 도파로의 제조 방법 无效
    湿法刻蚀锥形波导的制作方法

    公开(公告)号：KR1019980050451A

    公开(公告)日：1998-09-15

    申请号：KR1019960069274

    申请日：1996-12-20

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

    Inventor： 이상민 ,  오광룡 ,  안주헌 ,  김정수

    IPC: H01S3/00

    Abstract: 광통신에 사용되는 반도체 레이저 및 반도체 스위치 등과 같이 소자의 입출력단의 광도파로와 광섬유 사이의 연결 부위가 많은 소자에 있어서, 결합부의 광 결합효율을 높이는 것은 매우 중요한 기술이다.
    본 발명은 선택적 식각법을 이용하여 점차 가늘어지는 도파로를 만드는 방법에 관한 것이다. 특히 선택적 식각시에 식각마스크의 폭을 서서히 좁혀 주고 실제 마스크 폭 보다 더 좁은 형상이 구현되도록 일정정도 과도한 식각을 수행함으로써 도파로의 폭과 두께를 동시에 가늘어지도록 만들 수 있기 때문에 넓은 면적에 균일하게 적용할 수 있을 뿐만아니라 재현성 및 경제성 측면에서의 문제점도 해결할 수 있는 방법이다.

    파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법
    34.
    发明公开
    파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법 失效
    具有波长选择性的半导体光滤波器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1019980015365A

    公开(公告)日：1998-05-25

    申请号：KR1019960034662

    申请日：1996-08-21

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

    Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김정수 ,  김홍만

    IPC: H01L27/14

    Abstract: 본 발명은 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두 도파로의 간격이 너무 밀집되어기 때문에 광섬유를 부착할 경우에 크로스 토크가 발생하는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 n-형 InP 기판(1)과 그 위에 적층된 n-형 InP 완충층(2), 그 위에 출력단 근처에서 수평방향으로 휘어지도록 공간적으로 제한된 형태로 적층된 InGaAsP 제1광도파로층(3), 그 위에 적층된 InP(4), 그 위에 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 InGaAsP 회절격자층(5), 그 위에 적층된 InP(6), 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제2광도파로층(7), 그 위에 적층된 n-형 InP 클래드층(8), 그 위에 적층된 도핑하지 않은 InGaAsP 음 접촉층(9), 그 위에 도핑하지 않고 제2광도파로층보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 InP 표� �보호층(10)으로 구성된 웨이퍼 상에 제2광도파로 층보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드 또는 이산화 규소와 같은 유전물질(11), 그 창을 통해 제2도파로의 일부까지 깊게 형성된 p-형 불순물층(12), 그 위에 적층된 p-형 전극금속층(13) 및 기판아래에 제작된 n-형 전극금속층(14)로 구성되어, 두 광도파로 사이의 거리를 공간적으로 멀리 떨어지게 하여 채널 크로스 토크를 줄일 수가 있으며, 안정된 pn 접합을 형성할 수가 있어 여과하고자 하는 광파장을 바꾸고 싶을 때에 주입되는 전류를 작게함으로써 안정된 튜닝은 물론 역전압에 대한 튜닝도 할 수 있다.

    부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법
    35.
    发明公开
    부분적으로 높은 전하층을 갖는 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법 失效
    具有部分高电荷层的雪崩光电二极管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1019970054555A

    公开(公告)日：1997-07-31

    申请号：KR1019950047054

    申请日：1995-12-06

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

    Inventor： 박찬용 ,  오광룡 ,  현경숙 ,  김정수 ,  김형문

    IPC: H01L31/107

    Abstract: 본 발명은 애벌랜치 포토다이오드에 관한 것으로, 활성층영역이 주위보다 높은 전하량을 갖도록 형성하되 전기장(전계)을 보다 상세하게 조절하여 소자의 동작특성이 안정화되도록한 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 애벌랜치 포토다이오드 활성층에 해당하는 물질층을 그 사이에 n-InP 전하층(25), 도핑하지 않은 InP 층(26) 및 n-InP 전하층(27)을 차례로 적층된 구조로 형성하여 불순물층을 n-InP 전하층(25)과 n-InP 전하층(27)으로 2층으로 형성함으로써 활성층의 전하량을 높이는 동시에 조절을 용이하게 하여 소자의 동작특성이 개선된다.

    수직형 유기금속 기상 결정성장 장치(MOCVD)의 반응기구조
    39.
    发明公开
    수직형 유기금속 기상 결정성장 장치(MOCVD)의 반응기구조 失效

    公开(公告)号：KR1019950020994A

    公开(公告)日：1995-07-26

    申请号：KR1019930029350

    申请日：1993-12-23

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

    Inventor： 오대곤 ,  김정수 ,  김홍만

    IPC: H01L21/205

    Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 결정성장 장비인 유기금속 기상 결정성장 장치의 반응기 구조에 관한 것으로, 특히 균일도가 향상된 양질의 반도체 결정을 성장시키기 위한 수직형 유기금속 기상 결정성장치(MDCVD)의 반응기 구조에 관한 것으로 배기구를 중심으로 대칭된 구조의 서로 다른 구멍크기를 갖는 매쉬밴드(mesh band)를 반응기 마운트에 삽입하게 되나. 이 경우 역시 반응기내의 성장입력이나 속도등의 성장조건 변화에 따라 최적화된 매쉬밴드(mesh band)의 구멍크기비를 찾는데 어려움이 많은 문제점을 해소하기 위하여 상기의 문제점을 달성하기 위하여 본 발명에서는 반응기 마운트의 배기구 양단에 2개의 배기관을 만듬으로서 대칭점을 하나 더 늘려 유체의 분산도를 크게함을 특징으로 함.

Patent Agency Ranking