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公开(公告)号：KR100453812B1
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020010077422
申请日：2001-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/146 , H01S3/1053 , H01S5/02252 , H01S5/02284
Abstract: A fiber-grating semiconductor laser with tunability is provided, which varies a output wavelength easily. The fiber-grating semiconductor laser with tunability is the hybrid integrated module on a substrate. It consists of a semiconductor laser as a gain medium and a Bragg-grating-written fiber held in a wavelength-tuning unit. (deletion) The wavelength-tuning unit can apply compression or elongation in the fiber grating for wavelength tunability.
Abstract translation: 提供具有可调谐性的光纤光栅半导体激光器，其容易地改变输出波长。 具有可调谐性的光纤光栅半导体激光器是基板上的混合集成模块。 它由作为增益介质的半导体激光器和保存在波长调谐单元中的布拉格光栅写入光纤组成。 （删除）波长调谐单元可以在光纤光栅中施加压缩或延伸以实现波长可调性。
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公开(公告)号：KR1020020091635A
公开(公告)日：2002-12-06
申请号：KR1020010030466
申请日：2001-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/12 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: PURPOSE: A single wavelength single mode laser array and a fabrication method thereof are provided which can fabricate a multiwavelength array light source easily and economically using a sampling grating(SG). CONSTITUTION: An asymmetric sampling grating laser is arranged on a substrate(11) with a fixed gap. The asymmetric sampling grating laser includes an active region(21) divided into two regions(A,B), and asymmetric sampling gratings(12a,12b) distributed on a bottom of the active region with different period each other. And an effective refractive index variation layer(22) is arranged on one side of the active region and has different Bragg wavelength on two regions of the active region respectively.
Abstract translation: 目的：提供单波长单模激光器阵列及其制造方法，其可以使用采样光栅（SG）容易且经济地制造多波长阵列光源。 构成：非对称采样光栅激光器被布置在具有固定间隙的基板（11）上。 非对称采样光栅激光器包括分为两个区域（A，B）的有源区域（21）和分布在有源区域的底部上的不对称采样光栅（12a，12b），具有不同的周期。 并且有效折射率变化层（22）被布置在有源区域的一侧上，并且在有源区域的两个区域上分别具有不同的布拉格波长。
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公开(公告)号：KR1020020054204A
公开(公告)日：2002-07-06
申请号：KR1020000083171
申请日：2000-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser element including doped polymer waveguide is provided to select a wavelength of a semiconductor laser element stably by applying an atomic ray transition to the semiconductor laser element. CONSTITUTION: A polymer waveguide(5) is doped with a material which has an atomic ray transition. A first semiconductor waveguide(3) which is linked with one end of the polymer waveguide(5) at a Brewster angle(6) offers a gain. A second semiconductor waveguide(4) which is linked with the other end of the polymer waveguide(5) at a Brewster angle(7) selects a wavelength. A resonator mirror(1,2) is linked with the first and the second semiconductor waveguide(3,4). An electrode injects a current into the first and the second semiconductor waveguide(3,4).
Abstract translation: 目的：提供包括掺杂聚合物波导的半导体激光元件，通过向半导体激光元件施加原子射线转变来稳定地选择半导体激光元件的波长。 构成：聚合物波导（5）掺杂有具有原子射线转变的材料。 以布鲁斯特角（6）与聚合物波导（5）的一端连接的第一半导体波导（3）提供增益。 以布鲁斯特角（7）与聚合物波导（5）的另一端连接的第二半导体波导（4）选择波长。 谐振镜（1,2）与第一和第二半导体波导（3,4）连接。 电极将电流注入到第一和第二半导体波导（3,4）中。
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公开(公告)号：KR100148631B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950056725
申请日：1995-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01R1/20
Abstract: 본 발명은 마이크로파와 밀리미터파의 측정을 위한 진공용 동축 커넥터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 진공용 동축커넥터에 있어서, 케이블을 특정하고자 하는 시료를 연결할 수 있으며 냉각 부분인 시료 장착 위치를 중앙이 가지고 있는 진공을 만들기 위한 외형 원주형 금속벽인 진공챔버와, 밀리미터파 대역까지 사용가능한 제1V-형 숫 연결수단과 커넥터를 상기 진공쳄버에 부착시키는 판으로서 진공을 만들기 위해 평면도가 매우 좋은 제1지지수단과, 상기 제1지지수단과 연결시키는 연결나사의 나사구멍이 있으며 상기 측정용 진공챔버에 삽입할 때에 동축 커넥터가 회전하는 것을 방지하기 위해 V-커넥터 케이블과 유사한 육각형태로 만든 나사인 회전방지용 제2지지수단과, 상기 제1V-형 숫커넥터와 상기 동축 케이블을 연결시키는 � �미리지드 케이블 및 상기 동축 케이블에 연결되며 밀리미터파 대역까지 사용가능한 제2V-형 숫연결수단을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파 소자에 대해 DC∼60 GHz까지의 초고주파 대역뿐만 아니라 극저온까지의 전송특성 평가에도 유용하며, 계측용 진공장치(cryostat)에 부착하여 사용하면 우수한 고주파 전송특성도 얻을 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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35.发明授权
公开(公告)号：KR100155309B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019950020207
申请日：1995-07-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 마이크로파 통신시스템에 사용되는 핵심부품인 멀티플렉서나 믹서 등을 구성하는 핵심소자인 3-dB 하이브리드 결합기(coupler)일종으로, 마이크로스트립 분기선 방식의 사각형 를 갖는 마이크로파용 4-포트 수동소자이다. 본 발명인 직각 하이브리드 결합기는 3-dB이상의 우수한 결합특성이 10GHZ근방에서 발휘되게끔 설계하였고, 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막을 미세형상화 (패터닝)함으로서 제조하였다. 이어서 기판 뒷면에는 접지평면용 Ti(10nm)/Ag(2㎛)을 증착하여 YBCO/MgO/Ti/Ag구조를 갖게 하였다. 그리고 4개의 K-커넥트 (4-포트)를 가지는 3-성분 시험치구에 내장시켜 저온 마이크로파 특성을 측정하였다. 이러한 고온초전도 커플러를 핵심소자로 사용하는 무선 및 마이크로파 통신부품은 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고 마이크로스트립선 방식의 서브시스템이므로 제조가 간단하고 경량이다. 그리고 고온초전도체의 우수한 마이크로파 특성을 이용한 하이브리드 결합기이므로 結合度가 뛰어나고, 마이크로파 손실특성도 매우 양호하였다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980043448A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061306
申请日：1996-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/20
Abstract: 본 발명은 마이크로스트립 평행결합선 방식의 Ag를 첨가한 고온초전도 임의 형태의 4극 대역통과필터에 관한 것으로서, 마이크로파 특성이 우수한 단결정 기판과 상기 단결정기판 상부에 형성된 신호전송용 입력단과 상기 단결정 기판 상부의 상기 신호 전송용 입력단의 타측에 형성된 출력단과 상기 단결정 기판 상부에 입력단과 출력단과 연결되도록 형성된 ㄱ자형의 정합망과 상기 다결정기판과의 정합망 사이에 개수에 의해 결정되는 4개의 마이크로스트립 방식으로 형성된 필터패턴과 상기 다결정기판 하부에 형성된 접지판을 만든다. 따라서 손실 특성을 저하 시키면서 스커트 특성을 향상 시킬 수 있고, 기존의 고온초전도체인 YBCO를 사용하지 않고 Ag-YBCO를 이용하여 제작하여 기존의 특성보다 우수한 소자를 창출한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980016216A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035748
申请日：1996-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 펄스 레이저 증착장치를 사용하여 기판 상에 박막을 성장할 때, 고품위의 재현성있는 박막을 성장할 수 있고, 증착장치를 자동화할 수 있으며, 펄스 레이저 증착을 경제적으로 수행할 수 있는 멀티 타겟 구동장치에 관한 것이다. 본 발명의 펄스 레이저 증착장치용 멀티 타겟 구동장치는, 스테핑 모터와, 구동 피드스루로 구성되어, 타겟원판 구동축 및 타겟 구동용 모터축에 회전 구동력을 제공하기 위한 구동력 제공부와; 설치 플랜지와, 타겟원판 구동용 피동기어와, 타겟원판 구동용 능동기어와, 타겟원판 구동용 모터축과, 타겟원판 구동축과, 머리부 지지용 프레임과, 타겟 구동용 모터축으로 구성되어, 상기한 구동력 제공부로부터 제공받은 타겟원판 및 타겟의 회전에 필요한 회전 구동력을 전달하며 타겟 구동장치의 머리부를 지지하기 위한 구동력 전달 및 지지부와; 타겟 원판과, 타겟 구동용 피동기어와, 타겟 구동용 능동기어와, 타겟홀더 고정용 스터브와, 타겟 홀더와, 복수의 타겟 구동축으로 구성되어, 타겟 재료를 레이저빔의 촛점에 위치시키도록 타겟원판과 타겟의 회전이 수행되는 머리부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1019970055302A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950054543
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H9/00
Abstract: 본 발명은 변형된 오픈 스터브-선 고온초전도 9-극 저역통과 필터에 관한 것으로, RF 및 마이크로파 특성이 우수한 단결정 기판과 상기 단결정 기판 상부의 양측 모서리에 형성된 신호 전송용 입출력단(gold pad 포함)과 상기 단결정 기판 상부의 상기 입력단과 출력단 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 5개의 오픈스터브-선과 4개의 마이크로스트립-선으로 구성한 변형된 9-극 저역통과 필터의 회로패턴과, 상기 단결정 기판의 하부에 형성된 금속박막 접지평면을 포함 구성하여, 저역통과 필터의 극수를 9-극으로 증가시키는 반면, 회로패턴의 크기는 종전대로 15㎜×15㎜×0.5㎜t 로 함에 따라 통과대역에서의 맥류진폭도 매우 작아 평평도가 우수하고, 저지역대까지의 가파르기도 향상되어 저지대역을 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970055301A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950054534
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H9/00
Abstract: 본 발명은 RF 및 마이크로파 통신시스템이나 통신기기에 사용되는 멀티플렉서, 믹서등의 핵심부품을 구성하는 핵심소자이면서도 기본소자인 특정주파수대역에서만 정보를 통과시키게 하는 X-밴드용 섭동준고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터에 관한 것으로, RF 및 마이크로파 특성이 우수한 MaO 단결정 기판과 상기 단결정 기판 상부의 한쪽 모서리에 형성한 신호 전송용 입출력단(gold pad 포함)과 상기 단결정 기판 상부의 상기 입출력단과 마이크로스트립 결합선 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 섭동준 고리형 공진기 2개와 마이크로스트립 결합선을 집적시킨 고리형 고온초전도 이중모드 5-극 대역통과 필터의 회로패턴과, 상기 단결정 기판의 하부에 증착시킨 접지평면용의 금속박막을 포함하여 구성되어 고리형 고온 전도 이중모드 대역통과 필터의 극수를 5-극으로 하고, 회로패턴의 크기는 기판의 크기를 고려하여 15㎜×15㎜내로 하여, 마이크로파 특성은 통과대역에서의 맥류진폭도 매우 작안 평평도가 우수하고, 저지대역까지의 가파르기인 스커트 특성도 우수하다.
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公开(公告)号：KR1019970008638A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950020383
申请日：1995-07-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/24
Abstract: 본 발명은 무선 및 마이크로파 통신시스템에 사용되는 핵심부품인 대채널 멀티플렉서의 한부분으로 마이크로스트립 분기선 방식의 3-dB하이브리드 결합기(coupler)와 평행결합선 방식의 2-극 대역통과 여파기를 집적시킨 고온초전도 서브시스템의 일종이다.
본 발명은 마이크로스트립선 방식의 고온초전도 마이크로파 듀플렉서는 고온초전도 YBCO/MgO 에피텍셜 박막과 미세형성화 공정을 통하여 구현하였으며 출력포트에서의여파기 신호는 36MHz의 대욕폭과~10GHz 중 심주파수를 가졌다.
한편, 4-포트형 3-성분 시험치구(test-jig)에 제조한 고온초전도 듀플렉서를 내장시키고 저온 마이크로파 특성을 측정하기 전에, 기판 뒷면에는 전자선 증발기로 이중금속(Ti/Ag)접지평면을 중착하였다.
따라서, 고온초전도 듀플렉서는 YBCO/MgO/Ti/Ag구조를 갖게 되었다.
이러한 고온초전도 듀플렉서는 사용하는 무선 및 마이크로파 통신부품은 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고, 마이크로스트립線 방식의 서브시스템으로 제조도 간단하고 경량이므로 고온초전도 MMICs의 발달을 촉진할 것으로 기대된다.
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