-
公开(公告)号：KR100766084B1
公开(公告)日：2007-10-12
申请号：KR1020060084913
申请日：2006-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 분포 귀환형 반도체 레이저 구조물에 관한 것으로, 본 반도체 레이저 구조물은 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 리지도파로; 상기 제1 리지도파로 상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 리지도파로; 상기 제2 리지도파로 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함하며, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로와 소정 각도를 이루면서 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로의 길이 방향을 따라 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함한다.
이에 따라, 대량생산이 가능한 일반적인 홀로그램 리소그래피 공정을 적용할 수 있어 공정시간을 단축할 수 있으며, 완전한 단일 파장을 얻기 위한 추가적인 공정이 필요 없는 양자점 활성층을 사용하는 분포귀환형 반도체 레이저 구조물을 제공할 수 있다.
단일파장, 분포귀환형, 그레이팅, 리지 도파로, 각도-
公开(公告)号：KR100766069B1
公开(公告)日：2007-10-12
申请号：KR1020060086028
申请日：2006-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 분포 귀환형 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 레이저 다이오드의 제조방법은, 기판상에 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층을 형성하는 단계; 상기 그레이팅 구조층 상부에 제1 격자정합층을 형성하는 단계; 상기 제1 격자정합층 상에 적어도 하나의 양자점을 갖는 하나이상의 양자점층을 형성하는 단계; 상기 양자점층 상에 제2 격자정합층을 형성하는 단계; 상기 제2 격자정합층상에 클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 클래드층 상에 오믹 콘택층을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 양자점의 균일도에 영향을 받지 않으면서도 원하는 파장에서 높은 이득을 얻을 수 있어 레이저 다이오드의 특성을 개선할 수 있다.
그레이팅, 양자점, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR100710048B1
公开(公告)日：2007-04-23
申请号：KR1020050043466
申请日：2005-05-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 하부 클래딩층, 광도파층, 활성층, 상부 클래딩층 및 오옴 접촉층을 순차적으로 적층한 후, 식각 공정을 통해 형성된 릿지; 상기 릿지의 폭을 조절하기 위해 상기 상부 및 하부 클래딩층의 표면부에 형성된 산화층; 상기 산화층이 형성된 릿지의 양 측면 각각에 형성된 유전체층; 상기 오옴 접촉층 상부와 상기 유전체층을 감싸도록 형성된 상부 전극층; 및 상기 기판의 하단에 형성된 하부 전극층을 포함함으로써, 기존의 반도체 레이저 다이오드의 제작공정에 비해 간단하며, 습식 산화시간의 조절에 의해서 릿지의 폭을 자유롭게 조절할 수 있을 뿐만 아니라 자동으로 오옴 접촉면을 형성할 수 있는 효과가 있다.
반도체 레이저 다이오드, RWG, 산화층, 오옴 접촉층, 양자점, 릿지-
公开(公告)号：KR100698015B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 상기 기판상에 성장시키기 위해, 상기 제1 장벽층을 성장시키는 성장온도로 상기 제1 장벽층을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점의 일부 또는 전부와 접촉하여 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 및 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리-
公开(公告)号：KR1020060059780A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/06 , H01S5/2009 , H01S2304/02
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 성장시키는 성장 온도에서 상기 기판 상에 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점과 적어도 부분적으로 접촉하며 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100241352B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970023869
申请日：1997-06-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04J13/10
Abstract: 본 발명은 부호분할다중 접속 방식 통신 시스템에 사용되는 의사잡음부호 발생장치에 관한 것으로서, 임의의 주기로 반복되는 의사잡음부호를 얻기 위해 초기 상태(seed)를 코드 반복구간에 한 번씩 로딩하는 초기 상태 레지스터(101)와, 상기 초기 상태 레지스터(101)로부터 로딩되는 초기 값을 받아 입력 클럭을 조절하여 발생하는 코드 반복 구간내에서 임의의 시간지연을 갖는 의사잡음부호를 쉬프트시키는 다수 개의 쉬프트 레지스터(102)와, 초기 상태 로딩을 임의의 시간지연을 갖는 의사잡음부호를 발생할 수 있도록 상기 초기 상태 레지스터(101)가 임의의 시간만큼 지연된 지점에서 상기 쉬프트 레지스터(102)에 상기 seed의 초기 값을 로딩하도록 제어하는 초기 상태 로딩 제어 로직(103)과, 전단의 쉬프트 레지스터(102)에서 쉬프트된 값과, 최종단의 쉬� �트 레지스터(102)로부터 일정한 코드의 주기가 반복되도록 귀환된 PN 코드를 XOR하여 랜덤한 시퀀스를 생성하는 다수개의 XOR 로직(104) 초기 값을 로딩하는 초기상태 레지스터(101)와, 상기 초기 상태 레지스터(101)로 부터 로딩되는 초기 값을 쉬프트시키는 다수 개의 쉬프트 레지스터(102)와, 초기 상태 로딩을 임의의 시간지연 성분만큼의 위치에서 이루어지도록 하기 위해, 초기 상태 레지스터(101)가 원하는 시점에서 쉬프트 레지스터(102)에 초기 값을 로딩하도록 제어하는 초기 상태 로딩 제어 로직(103)과, 전단의 쉬프트 레지스터(102)에서 쉬프트된 값과, 최종단의 쉬프트 레지스터(102)로부터 일정한 코드의 주기가 반복되도록 귀환된 값을 XOR하여 랜덤한 시퀀스를 생성하는 다수개의 XOR 로직(104)으로 구성되어, 원하는 시간 지연을 갖는 의사잡음부호를 발생 시킴으로써, 종래의 의사잡음부호 발생장치에 비해 더 간단한 구조를 얻을 수 있어 저가의 소형화된 시스템을 구현할 수 있으며, 마스크 레지스터의 값을 변화시키기 위한 추가적인 로직이 필요없이 더 간단하게 구현할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019990000778A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970023869
申请日：1997-06-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04J13/10
CPC classification number: H04J13/0022 , G06F7/584 , H04J13/0074 , H04J13/10
Abstract: 본 발명은 부호분할다중접속 방식 통신 시스템에 사용되는 의사잡음부호 발생 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 초기 값을 로딩하는 초기 상태 레지스터(101)와, 상기 초기 상태 레지스터(101)로부터 로딩되는 초기 값을 쉬프트 시키는 다수 개의 쉬프트 레지스터(102)와, 초기 상태 로딩을 임의의 시간 지연 성분만큼의 위치에서 이루어지도록 하기 위해, 초기 상태 레지스터(101)가 원하는 시점에서 쉬프트 레지스터(102)에 초기 값을 로딩하도록 제어하는 초기 상태 로딩 컨트롤 로직(103)과, 전단의 쉬프트 레지스터(102)에서 쉬프트된 값과, 최종단의 쉬프트 레지스터(102)로부터 일정한 코드의 주기가 반복되도록 귀환된 값을 XOR하여 랜덤한 시퀀스를 생성하는 다수개의 XOR 로직(104)으로 구성되어, 원하는 시간 지연을 갖는 의사잡음부호를 발생 시킴으로써, 종� �의 의사잡음부호 발생 장치에 비해 더 간단한 구조를 얻을 수 있어 저가의 소형화 된 시스템을 구현할 수 있으며, 마스크 레지스터의 값을 변화시키기 위한 추가적인 로직이 필요 없어 더 간단하게 구현할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100146489B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950028611
申请日：1995-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B7/216
Abstract: 본 발명은 CDMA방식을 적용한 이동통신시스템에서의 기지국용 채널 카드에 관한 것으로 특히, 기지국 제어기(7) 또는 교환기(9)와의 통신선로를 형성시키기 위한 스위칭수단과, 상기 스위칭수단을 통한 데이타 통신시 데이타의 정합을 위한 소정갯수의 통신제어기와, 안테나(3)를 통해 이동국과의 통신채널의 변복조를 담당하는 소정갯수의 변복조수단과, 임의의 통신 채널특성에 맞는 변복조 주파수 대역을 형성하기 위하여 상기 변복조수단들의 변복조기능을 제어하는 주제어기 및 상기 주제어기와 상기 변복조수단 또는 통신 제어기간의 통신을 위한 통신설로 정합기능의 디코더 논리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 CDMA방식을 적용한 통신시스템의 기지국용 다기능 채널카드 장치 및 그 제어 방법을 제공하면, 기존의 채널카드가 한 카드당 두개� � 채널만을 지원할 수 있도록 구성되어 있으므로 인해 평균 수백개의 채널을 유지해야 하는 기지국의 설치 및 유지보수에 상당한 어려움을 해소하는 효과가 있다.
-
-
公开(公告)号：KR1019970056139A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050513
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L7/00
Abstract: 본 발명은 직접대역확산 시스템의 2차 동기장치에 관한 것으로 특히, 종래 2차 동기장치의 루프필터나 전압제어 발진기를 사용하지 않고 보다 간단한 구조와 안정된 성능을 가진 직접대역확산 시스템의 2차 동기장치에 관한 것으로, 종래의 2차 동기장치에서 사용하는 루프필터나 전압제어 발진기를 사용하지 않고 수신되는 데이터에서 상관기에서 사용될 데이터의 샘플을 변화시키며, 어얼리 상관기(early correlator)나 레이트 상관기(late correlator)를 위한 각각의 의사잡음코드를 발생시키지 않고 복조기에 사용하는 온-타임 의사잡음코드를 직접 2차 동기장치에 사용하여 구현하는 것을 특징으로 하여, 간단한 구성과 안정된 동작을 효과로 한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
58
records
(took 0.023 seconds)
