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公开(公告)号：KR1019980043237A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061030
申请日：1996-12-02
IPC: G02B6/24
Abstract: 본 발명은 단위 광소자용 보조장치에 관한 것으로, 특히, 초소형의 단위 광소자를 광모듈로 조립하기 전에 선행되는 각종 시험과 같은 반복적인 취급 과정을 용이하게 수행할 수 있는 단위 광소자용 보조장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 단위 광소자용 보조장치는, 광소자의 구동시 발생된 열을 분산시키기 위한 받침대(21)와, 받침대(21) 상에 장착되고, 상부에는 전기적인 연결을 위한 적어도 한개의 전극용 금속선(27,28)이 형성되며, 상기한 한개의 전극용 금속선(28)에는 시험용 단위 광소자가 위치하는 탐사침 접점부위(48)가 형성된, 전극용 보조받침대(24)와, 탐사침(46)이 중앙부에 하향으로 삽입 고정되고 그 후방 일측에는 회전봉(42)이 삽입 설치된 회전판(41)과, 상기한 회전봉(42)의 양단을 지지하기 위한 지지대(29,30)와, 상기한 지지대(29,30)와 상기한 전극용 보조받침대(24)를 상기한 받침대(21)에 고정하기 위한 고정수단으로 구성되어, 시험용 단위 광소자의 착탈시에는 상기한 회전판(41)이 회전봉(42)을 중심으로 회동하여 열림 상태로 되는 한편, 시험용 단위 광소자가 상 기한 전극용 보조받침대(24)의 탐사침 접점부위(48) 상에 탑재된 경우에는 상기한 회전판(41)이 회전봉(42)을 중심으로 회동하여 상기한 탐사침(46)이 단위 광소자와 접촉하는 닫힘 상태로 전환되도록 구성된 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100137578B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940032828
申请日：1994-12-05
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지장치 및 제조방법에 관한 것으로 기존의 p-side up 구조의 레이저 다이오드에 플립칩 본딩을 사용하며, 임피던스 정합된 전송선을 사용함으로써 초고속 레이저 다이오드 패키지의 기생성분을 줄이고 열저항을 줄이는데 있으며 이로써 초고속 전송용 레이저 다이오드 패키지의 소신호 변조 특성을 10Gbps 이상으로 향상시킬 수 있도록 플립칩 본딩용 솔더 범퍼를 가진 p-side up 구조의 레이저다이오드를 다이아몬드 기판에 플립칩 본딩을 적용하며, 소신호 변조대역폭의 향상과 입력 반사계수를 최소화 하기 위하여 레이저 다이오드의 기생성분 저항과 박막저항의 합과 같은 저항으로 임피던스 정합된 전송선을 레이저 다이오드 음극을 직접 전송선에 리본 본딩(Ribbon bonding을 이용한 초고속 레이저 다이오드 패키지 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970024401A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034145
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/022
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 전송선위에 직접 레이저 다이오드를 접합하는 공정과, 레이저 다이오드의 p-축 전극을 넓은 접지면에 와이어 본딩하는 공정과, 레이저 다이오드의 온도 감지를 위해 서미스터를 넓은 접지면에 접합하는 공정을 포함하는 것으로, 초고속 전송용 레이저 다이오드 모듈의 제조시 보다 조립공정을 단순화시켜 간편하게 작업을 할 수 있고, 고주파 특성의 향상 및 열 특성을 개선하며, 작업도중에 제품의 신뢰도를 간편하게 측정할 수 있도록 하므로써 제품의 품위를 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960019623A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940028808
申请日：1994-11-03
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 본발명은반도체패키지방법에관한것으로, 특히 3층포토레지스트(Photoresist)를이용하여플립칩본딩(Flip-Chip Bonding)용솔더범프(Solder Bump)를형성하는방법에관한것이다. 본발명은상기의목적을달성하기위해, 기판절연용실리콘질화막과댑핑용실리콘질화막이형성된실리콘기판에칩이본딩될부분의솔더범프형성을위한공정으로서증착될금속의크기를조절하기위한 1차네가티브(Negative) 포토레지스트와리프트오프(Lift off)를위한전면노광된 2차포지티브(Positive) 포토레지스트와, 그리고또한증착면의크기를조절하기위한 3차포지티브(Positive) 포토레지스트로구성되어지며, 솔더범프형성시용이한리프트오프(Lift off)를위한 3층으로형성된 30㎛이상의두꺼운후막공정으로솔더범프를형성하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成用于使用焊锡凸块（焊锡凸块），特别是三层光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）的方法，涉及一种半导体封装，倒装芯片键合（倒装芯片接合）。 本发明是主要用于调节金属大小将被沉积作为形成为了实现上述目的，该适配器卡平壤，硅部分氮化物膜的芯片粘接到硅衬底的衬底隔离氮化硅膜，其上形成有焊料凸块的方法 负（负）光致抗蚀剂和剥离（剥离）在曝光光致抗蚀剂的第二正（正）和，并且还变得构成的第三正（正）的光致抗蚀剂，以控制沉积表面的尺寸的 其特征在于：用于形成具有易剥离工艺的焊料凸块，厚膜比30㎛厚形成焊料凸点时的三个层形成，（剥离）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019930015603A
公开(公告)日：1993-07-24
申请号：KR1019910026095
申请日：1991-12-30
IPC: H04M11/06
Abstract: 본 발명은 ISDN 기능을 갖는 전전자 교환기에서의 ISDN 일차군 기본액세서 다중 가입자 정합장치 내의 유럽방식 가입자 정합회로에 관한 것이다.
본 발명은, 기존의 음성 및 비음성계를 포함한 다양한 서비스를 제공하기 위하여 지역내 또는 원격지 디지틀 가입자를 기본 액세서로 수용하는 유럽방식인 12(2B+D)형태의 일차군 다중장치인 단말기(PMUX-E1)와 교환시스팀과의 정합이 가능하며, 또한 펌웨어에 내장된 시험프로그램을 이용하여 전송로의 장애상태 감지하며 유지보수를 용이하게 수행할 수 있어 일차군 기본 액세서 다중 가입자 망의 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019930015599A
公开(公告)日：1993-07-24
申请号：KR1019910026091
申请日：1991-12-30
IPC: H04M11/06
Abstract: 본 발명은 ISDN기능을 갖는 전전자 교환기에서의 ISDN일차군 기본액세서 다중 가입자 정합장치 내의 북미방식 가입자 정합회로에 관한 것이다.
본 발명은, 기존의 음성 및 비음성계를 포함한 다양한 서비스를 제공하기 위하여 지역내 또는 원격지 디지틀 가입자를 기본 액세서로 수용하는 북미방식이 8(2B+D) 형태의 일차군 다중장치인 단말기(PMUX-T1)와 교환 시스팀과의 정합이 가능하며, 또한 펌웨어에 내장된 시험프로그램을 이용하여 전송로의 장애상태 감지하여 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있어 일차군 기본 액세서 다중 가입자 망의 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019930015598A
公开(公告)日：1993-07-24
申请号：KR1019910026090
申请日：1991-12-30
IPC: H04M11/06
Abstract: 본 발명은 전전자 교환기의 ISDN 일차군 기본액세서 다중 가입자 정합장치에 관한 것으로서, 가입자 선로 정합회로(7)와 타임스위치 정합회로(3)에 연결되어, ISDN D 채널 제어프로세서 보드(IDPA)와 D채널 데이타를 송수신 처리하고 가입자 선로와 2.048Mbps 서브하이웨이 데이타를 송수신하며 북미식은 보드당 3×8(2B+D)의 채널을, 유럽식은 보드당 2×12(2B+D) 채널을 정합하는 일차군 속도 가입자 정합수단(1)과, 상기 가입자 정합수단(1)에 연결되어, 사용자 측으로 부터 들어오는 8(2B+D)/12(2B+D) 채널중 D채널을 분리하여 ISDN D채널제어프로세서 보드를 전송하며, 상기 IDPA로 부터 수신한 D채널 제어프로세서 보드로 전송하며, 상기 IDPA로 부터 수신한 D채널을 해당 사용자에게 전송하는 IDPA 정합수단(2)을 구비하였다.
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