公开(公告)号：KR101252294B1

公开(公告)日：2013-04-05

申请号：KR1020090061100

申请日：2009-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  윤성민 ,  박상희 ,  정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  조경익

IPC: G02F1/00 ,  H01L51/50

Abstract: 본 발명에 따른 투명 정보 전달 윈도우는 투명한 상태에서 정보의 디스플레이가 가능하므로, 시야를 방해하지 않으면서도 다양한 정보를 공간적 제약 없이 디스플레이 할 수 있다. 또한, 사람들의 휴대 단말기로 디스플레이 정보를 무선으로 전송할 수 있으며, 이에 따라 해당 디스플레이 장소를 벗어나게 되더라도 사람들은 자신의 휴대 단말기를 통해 상품에 대한 자세한 정보를 제공받을 수 있다.
투명, 디스플레이, 무선, 윈도우, 정보

公开(公告)号：KR1020120138254A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：KR1020100104744

申请日：2010-10-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  패컬티 오브 사이언스 앤드 테크놀로지 유니버시티 오브 뉴 리스본

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  엘비라엠씨포르투나토 ,  로드리고에프피마틴즈 ,  아나알엑스바로스 ,  누노에프오코레이아 ,  페드로엠씨바르퀸하 ,  비토엠엘피게이레두

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to easily develop transparent or opaque devices using a P type oxide film. CONSTITUTION: A gate electrode(22), a gate insulation layer(23), and a matching layer(24) are successively formed on a substrate(21). A channel layer(25,30) is formed on the matching layer. An insulation layer(26) is formed on the sidewalls of the gate electrode, the gate insulation layer, the matching layer, and the channel layer. Source and drain electrodes(27) are formed on both ends of the channel layer. A contact plug(28) is formed on the upper side of the source and drain electrodes.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以便容易地利用P型氧化物膜开发透明或不透明的器件。 构成：在基板（21）上依次形成栅电极（22），栅极绝缘层（23）和匹配层（24）。 在匹配层上形成通道层（25,30）。 绝缘层（26）形成在栅电极，栅极绝缘层，匹配层和沟道层的侧壁上。 源极和漏极（27）形成在沟道层的两端。 在源极和漏极的上侧形成接触插塞（28）。

公开(公告)号：KR1020110003698A

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：KR1020090061100

申请日：2009-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  윤성민 ,  박상희 ,  정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  조경익

IPC: G02F1/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L31/022475 ,  H01L21/02118 ,  H01L51/0053 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13069 ,  Y02B20/36

Abstract: PURPOSE: A transparency information transfer window is provided to maintain the transparency status and to display information, thereby displaying varying information without special restraint not being distracted by viewing. CONSTITUTION: A transparency display(110) displays information in transparency status. A driving unit(130) sanctions a driving signal to the transparency display. A wireless communication unit(150) transceives information wirelessly with an external terminal. A memory unit(170) stores display information.

Abstract translation: 目的：提供透明度信息传输窗口，以保持透明度状态并显示信息，从而显示不同信息，而不受特殊限制，不会因观看而分心。 构成：透明度显示（110）以透明度状态显示信息。 驾驶单元（130）将驾驶信号制裁到透明度显示器。 无线通信单元（150）与外部终端无线地收发信息。 存储单元（170）存储显示信息。

公开(公告)号：KR100993776B1

公开(公告)日：2010-11-12

申请号：KR1020070132751

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  변춘원 ,  박상희 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H04B1/38

Abstract: 본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 투명 디스플레이를 이용함으로써 상부 패널 하우징을 펼치지 않고서도 영상 출력이 가능한 폴더 타입의 디스플레이 장치를 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 디스플레이를 이용한 폴더형 디스플레이 장치는, 빛을 투과시키는 투명 모드 또는 영상 데이터를 출력하는 디스플레이 모드로의 전환이 가능하며 접힘과 펼침이 가능하게 연결된 두 개 이상의 투명 디스플레이를 포함하는 투명 디스플레이부; 장치의 활성화 상태 중에 수신되는 신호를 기반으로 상기 투명 디스플레이를 투명 모드 또는 디스플레이 모드로 전환하며, 상기 디스플레이 모드 중에 상기 두 개 이상의 투명 디스플레이가 펼침 상태인 경우 설정에 따라 또는 사용자의 입력 신호에 따라 각각의 상기 투명 디스플레이에 서로 다른 영상 데이터를 출력하는 제어부; 및 접힘과 펼침이 가능하도록 상기 투명 디스플레이부와 연결되는 하부 패널 하우징을 포함한다.
투명 디스플레이, 폴더형, 입체 영상

公开(公告)号：KR100990217B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020080058878

申请日：2008-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  양신혁 ,  변춘원 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막용 조성물은 알루미늄 함유 산화물, 아연 함유 산화물 및 주석 함유 산화물을 포함하며, 400℃ 이하에서 비정질 상태이다. 상기 조성물로 형성된 활성층을 구비한 전계 효과 트랜지스터는 전기적 특성의 개선 뿐만 아니라 저온 공정도 가능하며, 인듐과 갈륨과 같은 비싼 원료 물질이 사용되지 않아 경제성도 갖는다.
산화물, 비정질, 저온 공정, 전계효과, 트랜지스터

公开(公告)号：KR100952425B1

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：KR1020080044268

申请日：2008-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  유민기 ,  변춘원 ,  양신혁 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: G02F1/1343 ,  C09D5/24

Abstract: 본 발명은 미세 패터닝이 가능한 다층 투명 전도막에 관한 것으로, 상기 다층 투명 전도막은 ZnO, Al
2 O
3 , SnO
2 및 Sb
2 Ox를 포함하는 산화물층과 Ag를 주성분으로 하는 금속층을 교대로 적층하여 이루어진다. 본 발명에 따른 다층 투명 전도막은 인듐을 사용하지 않으면서, 낮은 면저항을 얻을 수 있으며, 또한 높은 가시광선 투과율을 얻을 수 있다.
전도막, 산화물, 금속

公开(公告)号：KR1020090122546A

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：KR1020080048419

申请日：2008-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  유민기 ,  변춘원 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/43 ,  H01B5/14

Abstract: PURPOSE: A multilayer electric component including nothing indium transparent oxide conductive improving the constant resistance is provided to prevent the degradation of an electric component caused by high inter-layer contact resistance by forming low resistance transparent oxide conductive. CONSTITUTION: In a device, n oxide layers and n-1 oxide layers are laminated on the substrate(100) in a transparent oxide conductive(200). An upper functional layer(300) is formed on the transparent oxide conductive. An upper oxide layer(30) of the transparent oxide contacting the functional layer has a contact thickness of 0-10nm. The contact is finger shape. The upper oxide layer includes a first top oxide layer and the second top oxide layer. The thickness of the first top oxide layer is regarded as 90% to 70 about the total thickness of the top oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供改善恒定电阻的不含铟透明氧化物导电性的多层电气部件，以通过形成低电阻透明氧化物导电性来防止由高层间接触电阻引起的电气成分的劣化。 构成：在器件中，在透明氧化物导电（200）中，在衬底（100）上层叠n个氧化物层和n-1个氧化物层。 在透明氧化物导电上形成上层功能层（300）。 与功能层接触的透明氧化物的上氧化物层（30）具有0-10nm的接触厚度。 触点是手指形状。 上部氧化物层包括第一顶部氧化物层和第二顶部氧化物层。 第一顶部氧化物层的厚度相对于顶部氧化物层的总厚度为90％至70。

公开(公告)号：KR1020090110193A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：KR1020080058878

申请日：2008-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  양신혁 ,  변춘원 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01L29/263 ,  H01L29/78693

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a transparent oxide semiconductor thin film without using metallic element. CONSTITUTION: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof include an aluminium contained oxide, a zinc contained oxide, and a contained oxide. The oxide semiconductor thin film is in an amorphous state which is under 400 degrees. The field effect transistor includes a source/drain electrode, a gate insulating layer(30), an active layer(50), and a gate electrode(20) on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法，以获得不使用金属元素的透明氧化物半导体薄膜。 构成：氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法包括含铝的氧化物，含锌的氧化物和含有的氧化物。 氧化物半导体薄膜处于400度以下的非晶状态。 场效应晶体管在基板上包括源极/漏极，栅极绝缘层（30），有源层（50）和栅电极（20）。

公开(公告)号：KR1020090108516A

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020080044268

申请日：2008-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  유민기 ,  변춘원 ,  양신혁 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: G02F1/1343 ,  C09D5/24

CPC classification number: G02F1/13439 ,  C23C14/086 ,  G02F1/13471 ,  H01L51/5215

Abstract: PURPOSE: A multilayer transparent insulation layer capable of performing minute pattern is provided to indicate etch resistance when forming a contact hole on top of the insulation layer without using indium. CONSTITUTION: A multilayer transparent oxide conductive pattern is as follows. An oxide layer(20) of a metal layer is laminated. The oxide layer includes ZnO, Al2O3 and SnO2. A metal layer(30) includes Ag by a main component. An oxide layer(40) includes Sb2Ox. The thickness of the oxide layer is the range between 55nm and 30nm. The thickness of the metal layer is the range between 12nm and 5nm.

Abstract translation: 目的：提供能够执行微小图案的多层透明绝缘层，以在不使用铟的情况下在绝缘层顶部形成接触孔时表示耐蚀刻性。 构成：多层透明氧化物导电图案如下。 层叠金属层的氧化物层（20）。 氧化物层包括ZnO，Al 2 O 3和SnO 2。 金属层（30）由主要成分构成Ag。 氧化物层（40）包括Sb 2 O x。 氧化物层的厚度在55nm和30nm之间。 金属层的厚度在12nm和5nm之间。

公开(公告)号：KR1020090065263A

公开(公告)日：2009-06-22

申请号：KR1020070132744

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  양신혁 ,  변춘원 ,  박상희 ,  황치선

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/7869

Abstract: A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to improve total mobility and stability by forming thinly a second channel layer with a material having low resistivity and high mobility on a top part, a bottom part or an inner part. A first channel layer(130) is formed on an upper surface of a substrate(110). The first channel layer includes a source area, a drain region, and a channel region. A second channel layer(140) is formed in one of a top part, a bottom part or an inner part of the channel region. The channel layer is made of a material having low resistivity and high mobility. A transparent electrode(160) is formed on an upper part of the source region and an upper part of the drain region. A gate insulating layer is formed in a top part of the transparent electrode. The gate electrode is formed at a top part of the gate insulating layer.

Abstract translation: 提供一种透明电子器件及其制造方法，以通过在顶部，底部或内部部分上形成具有低电阻率和高迁移率的材料的薄的第二沟道层来提高总迁移率和稳定性。 第一沟道层（130）形成在衬底（110）的上表面上。 第一沟道层包括源极区，漏极区和沟道区。 第二沟道层（140）形成在沟道区的顶部，底部或内部的一个中。 沟道层由具有低电阻率和高迁移率的材料制成。 透明电极（160）形成在源极区域的上部和漏极区域的上部。 在透明电极的顶部形成有栅极绝缘层。 栅电极形成在栅极绝缘层的顶部。