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公开(公告)号：KR1020100065033A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020090027619
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02366 , H01L31/0288
Abstract: PURPOSE: A method for forming a compound semiconductor device including a diffusion area is provided to implement a dopant diffusion area with high reliability and re-productivity by stabilizing a boundary of the dopant diffusion area. CONSTITUTION: An undoped compound semiconductor layer is formed on a substrate. A dopant element layer is formed on the undoped compound semiconductor layer(S200). A dopant diffusion area is formed by diffusing the dopants from the dopant element layer to the undopped compound semiconductor layer by an annealing process(S210). A rapid cooling process is performed on the substrate with the dopant diffusion area using liquid nitrogen(S215).
Abstract translation: 目的：提供一种形成包括扩散区域的化合物半导体器件的方法，通过稳定掺杂剂扩散区域的边界来实现高可靠性和再生产率的掺杂剂扩散区域。 构成：在衬底上形成未掺杂的化合物半导体层。 在未掺杂的化合物半导体层上形成掺杂剂元素层（S200）。 通过退火处理将掺杂剂掺杂剂从掺杂剂元素层扩散到未掺杂的化合物半导体层来形成掺杂剂扩散区域（S210）。 使用液氮在具有掺杂剂扩散区域的基板上进行快速冷却处理（S215）。
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公开(公告)号：KR102120760B1
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：KR1020180064511
申请日：2018-06-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2575 , H04B10/508 , H04B10/85
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公开(公告)号：KR101777225B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020110136694
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: 본발명은아발란치포토다이오드및 그의제조방법을개시한다. 그의포토다이오드는기판과, 상기기판상에형성된광 흡수층과, 상기광 흡수층 상에형성된클래드층과, 상기클래드층 내에형성된활성영역과, 상기활성영역의둘레에형성된가드링영역과, 상기가드링영역과상기활성영역사이에형성된절연영역을포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制造方法。 他的光电二极管包括基板，形成在基板上的光吸收层，以及形成在所述光吸收层，所述保护环区域和形成在有源区，所述包层覆盖层，形成在有源区的外周，保护环 并且在该区域和有源区域之间形成绝缘区域。
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公开(公告)号：KR1020160040093A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020150132411
申请日：2015-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N5/335 , H04N5/3745 , H04N13/02 , H04N13/00
Abstract: 독출회로어레이는제 1 독출회로, 제 2 독출회로및 정보저장부를포함한다. 상기제 1 독출회로는제 1 광검출기셀로부터전기신호를수신하여제 1 광수신정보를생성한다. 상기제 2 독출회로는제 2 광검출기셀로부터전기신호를수신하여제 2 광수신정보를생성한다. 상기정보저장부는상기제 1 광수신정보및 상기제 2 광수신정보를저장한다.
Abstract translation: 读出电路阵列包括：第一读出电路，第二读出电路和信息存储单元。 第一读出电路从第一光检测器单元接收电信号以产生第一光接收信息。 第二读出电路从第二光检测器单元接收电信号以产生第二光接收信息。 信息存储单元存储第一光接收信息和第二光接收信息。 因此，读出电路阵列有效地使用电路部件的占用面积。
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公开(公告)号：KR1020150095033A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：KR1020140016065
申请日：2014-02-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01S17/10
Abstract: 본 발명은 레이저 레이더 장치에 관한 것이다. 본 발명의 레이더 레이더 장치는 광원을 이용하여 레이저 펄스를 출력하는 송광부, 레이저 펄스에 대응하여 반사된 레이저 펄스를 수신하는 수광부, 및 광원의 레이저 펄스의 반복률을 조절하는 제어부를 포함하고, 제어부는 레이저 펄스의 반복률을 수신 파워, 타겟 거리, 이동 속도, 수직 각도, 방사각 중 적어도 하나에 근거하여 조절하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种激光雷达装置。 根据本发明，激光雷达装置包括：发光部，其使用光源输出激光脉冲; 光接收部，其接收响应于激光脉冲反射的激光脉冲; 以及控制部，其控制所述光源的激光脉冲重复率，其中，所述控制部基于接收功率，目标距离，移动速度，垂直角度和辐射角度中的至少一个来控制激光脉冲重复率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140082436A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020120152403
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075
Abstract: Disclosed in the present invention is an avalanche photo diode. The photo diode comprises a substrate, light absorbing layers located on the substrate; clad layers located on the light absorbing layers; and active areas located in the clad layers. The light absorbing layers, clad layers, and active areas are composed of unit cells, and each of the unit cells can have an arc shape.
Abstract translation: 在本发明中公开了一种雪崩光电二极管。 光电二极管包括基板，位于基板上的光吸收层; 覆盖层位于光吸收层上; 以及位于包覆层中的有源区。 光吸收层，包层和有源区域由单元电池组成，并且每个单元电池可以具有弧形。
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公开(公告)号：KR1020140001299A
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020120067891
申请日：2012-06-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01J1/42 , G01S7/481 , G01S7/4863 , G01S7/4914 , G01S17/42 , G01S17/89
Abstract: The present invention relates to an apparatus for acquiring three dimensional information for detecting information of wide area by making an array of photo detectors, in measuring a three dimensional image by that a light of a laser radar for three dimensional image measurement is reflected from a target object and then is incident on the photo detector through a light receiving lens. The apparatus for acquiring three dimensional information includes: a light source part for generating a light signal of fixed wavelength band; a light transmission optical lens part which is prepared on the path of the light signal and irradiates the light signal outputted from the light source in a parallel or constant angle; a light scanning part for scanning the light outputted from the light transmission optical lens to the surface of an object to measure; a light receiving optical lens part for collecting the light reflected from the surface of the object; and a light detection part for converting the light signal collected by making an array of more than one photo detector for a light receiving part to be gathered at the center, into a current signal respectively.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过制作光电检测器的阵列来获取用于检测广域的信息的三维信息的装置，用于通过用于三维图像测量的激光雷达的光从目标反射来测量三维图像 然后通过光接收透镜入射到光电检测器上。 用于获取三维信息的装置包括：用于产生固定波长带的光信号的光源部分; 光传输光学透镜部件，其在光信号的路径上准备并以平行或恒定的角度照射从光源输出的光信号; 光扫描部，用于将从光透射光学透镜输出的光扫描到待测物体的表面; 光接收光学透镜部分，用于收集从物体表面反射的光; 以及光检测部分，用于通过将用于待聚集在中心的光接收部分的多于一个光检测器的阵列分别收集的光信号转换成电流信号。
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公开(公告)号：KR101199301B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020090027619
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 화합물 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 기판 상에 언도프트 화합물 반도체막을 형성하고, 언도프트 화합물 반도체막 상에 도펀트막을 형성하고, 어닐링 공정을 수행하여 도펀트막내 도펀트들을 언도프트 화합물 반도체막내로 확산시켜 도펀트 확산 영역을 형성하고, 도펀트 확산 영역을 갖는 기판에 액체질소를 사용하는 급속 냉각 처리를 수행한다.
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公开(公告)号：KR101066604B1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020080130496
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
Abstract: 고속 광 통신에 적합한 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 제1 도전형 기판의 전면(全面)에 차례로 제1 도전형 버퍼층, 광 흡수층, 그레이딩층, 제1 도전형 전기장 조절층 및 제1 도전형 증폭층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층을 식각하여 제2 폭을 갖는 제2 리세스부와, 제2 리세스부로부터 연장되고 제2 폭보다 작은 제1 폭을 갖는 제1 리세스부를 포함하는 리세스 영역을 형성한다. 다음, 리세스 영역에 제2 도전형 확산 물질을 제공하고 제2 도전형 증폭층으로 확산시켜 제2 도전형 확산층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층 상에 제2 도전형 확산층과 연결되는 제2 도전형 전극을 형성한 후, 제1 도전형 기판의 후면에 제1 도전형 전극을 형성하여 아발란치 포토 다이오드를 제조한다.
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公开(公告)号：KR1020110068041A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090124863
申请日：2009-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/1075
Abstract: PURPOSE: An c is provided to increase the light receiving efficiency of an optical detector by forming a micro lens in the lower part and upper part of the optical detector. CONSTITUTION: In a light receiving efficiency, a light absorption layer is formed on a semiconductor substrate. An amplification layer(140) is formed on the light absorption layer. A diffusion layer(150) is formed inside the amplification layer. A micro lens(180) is formed to be corresponded to the diffusion layer. The micro lens comprises a first refraction layer and a second refraction layer having lower refractive index than that of the first refraction layer The first refraction layer is adjacent to the diffusion layer. The second refraction layer is formed on the first refraction layer.
Abstract translation: 目的：提供一种通过在光学检测器的下部和上部形成微透镜来提高光学检测器的光接收效率的c。 构成：在光接收效率下，在半导体衬底上形成光吸收层。 在光吸收层上形成放大层（140）。 扩散层（150）形成在放大层的内部。 形成与扩散层对应的微透镜（180）。 微透镜包括具有比第一折射层低的折射率的第一折射层和第二折射层。第一折射层邻近扩散层。 第二折射层形成在第一折射层上。
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