미세구멍을 갖는 세라믹 구조물의 가공장치 및 가공방법
    31.
    发明授权
    미세구멍을 갖는 세라믹 구조물의 가공장치 및 가공방법 失效
    具有微孔的陶瓷材料的工艺和加工方法

    公开(公告)号:KR1019950009288B1

    公开(公告)日:1995-08-18

    申请号:KR1019920014230

    申请日:1992-08-07

    Abstract: The device comprises an internal fixing unit which supports a workpiece to be processed, a transferring drum which winds a thin wire, a thin wire which forms the inner diameter of the workpiece, the first thin wire guide which controls the contact surface with the micro hole of the workpiece, a tension gauge which detects the tension of the wire, the second wire guide which guides the wire to be wound in a recycling drum, and a recycling drum which winds the wire transferred through the second guide.

    Abstract translation: 该装置包括:内部固定单元,其支撑待加工的工件;卷绕细丝的转印鼓;形成工件内径的细线;第一细导线器,其与微孔控制接触面; 工件的张力计,用于检测线张力的张力计,引导待缠绕在再循环滚筒中的线的第二导线引导件,以及缠绕通过第二引导件传送的丝线的回收滚筒。

    산화붕소와 산화동을 함유한 고유전율 티탄산바륨계 세라믹 유전체 조성물
    32.
    发明授权
    산화붕소와 산화동을 함유한 고유전율 티탄산바륨계 세라믹 유전체 조성물 失效
    具有高容许性的陶瓷电介质复合材料

    公开(公告)号:KR1019940008654B1

    公开(公告)日:1994-09-24

    申请号:KR1019910024026

    申请日:1991-12-23

    Abstract: Barium titanate ceramic dielectric composition having a high dielectricity was obtained. Thus, 99.8 mol % of BaTiO3, 0.1 mol % of B2O3, 0.1 mol % of CuO were mixed with deionated water, and added polyvinyl alcohol-water solution, and then granulated. The product was molded at 1 ton/cm2 of pressure, 1.5-2 mm of thickness. The composite was easily sintered at 1,050-1,150 degree C, has 2,000-5,000 of dielectricity.

    Abstract translation: 得到具有高介电度的钛酸钡陶瓷电介质组合物。 因此,将99.8mol%的BaTiO 3,0.1mol%的B 2 O 3,0.1mol%的CuO与去离子水混合,并加入聚乙烯醇 - 水溶液,然后造粒。 产品在1吨/ cm2的压力下成型,厚度为1.5-2毫米。 该复合材料容易在1,050-1,150℃烧结,具有2000-5,000的介电性。

    산화지르코늄, 산화망간 및 산화동을 함유한 고유전율 티탄산바륨계 세라믹 유전체 조성물
    34.
    发明公开
    산화지르코늄, 산화망간 및 산화동을 함유한 고유전율 티탄산바륨계 세라믹 유전체 조성물 失效
    含有氧化锆,氧化锰和氧化铜的高介电常数钛酸钡陶瓷介电组合物

    公开(公告)号:KR1019930012634A

    公开(公告)日:1993-07-20

    申请号:KR1019910023162

    申请日:1991-12-17

    Abstract: 본 발명은 적층세라믹 캐패시터를 제조하는 데 있어서 상온에서 5,000℃이상의 높은 유전율을 갖고 1150℃이하의 저온에서도 소결이 잘되는 세라믹 유전체의 조성을 제공하기 위한 것으로 BaTiO
    3 게 유전체의 상온에서의 유전율을 높이고, 저온에서도 소결이 잘 되게 하기 위해서 적절한 이동제와 여러 가지 첨가물을 실험한 결과 다음과 같은 새로운 조성을 얻었다. 예를 들명 본 발명은 제1성분으로 86-93몰분율의 티탄산바륨(BaTiO
    3 ), 제2성분으로 7-14몰분율의 주석산 칼슘, 제3성분으로 앞의 두 성분을 합한 것을 100으로 하였을 때 0.05-2.5증량배분율의 산화동(CuO 또는 Cu
    3 O) 제4성분으로 0.05-2.5 중량백분율의 산화지르코늄(ZrO
    3 )과 산화망간(MnO)을 한 가지 또는 두 가지로 구성된 가지조성물이다. 주석산칼슘이 혼합된 티틴산바륨에 상기 조성물을 소결하여 1300℃ 이상의 소결온도에서는 8.000이상의 유전율과 2퍼센트 이하의 손실율을 얻을 수 있으며,1150℃의 저온도 결에서도 치밀화가 진행되어 상온에서 5.000이상의 유전율, 손실을 2%이하와 양호한 온도특성등을 나타낸다. 여러 가지 첨가물들중 산화등과 산화망간, 산화지르코늄은 유전체 세라믹의 소결을 촉진시키고, 유전선실을 줄이는 효과를 보인다. 또한 산화망간은 입자성장을 다소 억제하고, 치밀한 구조를 가지게 하며, 유전손실을 줄이는 효과를 나타낸다. 그러나 산화등을 너무 많은 량을 첨가하면 절연저항의 감소, 유전손실의 불량, 미세구조의 불랭등을 초래한다. 따라서 적층세라믹커패시터 제조에 응용하면 은 의 함량의 높은 저극재료를 이용할 수 가 있어서 제조원가의 절감효과가 크다.

    반도체 소자 제조용 내열성 금속질화물 박막의 제조방법
    35.
    发明授权
    반도체 소자 제조용 내열성 금속질화물 박막의 제조방법 失效
    用于半导体器件的耐热金属氮化物膜的制造方法

    公开(公告)号:KR1019930000228B1

    公开(公告)日:1993-01-14

    申请号:KR1019890009643

    申请日:1989-07-06

    Abstract: A heat resistant metallic nitride film on semiconducting substrate is formed by ion beam assisted reaction method, which comprises a deposition of a metallic material by sputtering the metallic target with an ion gun and simultaneously, promotion of a nitriding reaction of deposited heat resistant metals on the substrate by direct irradation of low energy nitrogen ion on the substrate with another ion gun. At least one and/or two metallic elements are selected as target material from high purity W, Mo, Ta, Ti, Zr and WSi. The first ion gun irradates an inert gas ion (e.g. argon (Ar)) on the metallic target and the secondary ion gun irradiates low energy (30-200 eV) nitrogen ion using nitrogen or mixture of nitrogen and inert gas.

    Abstract translation: 通过离子束辅助反应法形成半导体基板上的耐热金属氮化物膜,该方法包括通过用离子枪溅射金属靶而沉积金属材料,并同时促进沉积的耐热金属的氮化反应 通过用另一个离子枪在底物上直接照射低能量氮离子的衬底。 从高纯度W,Mo,Ta,Ti,Zr和WSi中选择至少一种和/或两种金属元素作为靶材料。 第一离子枪辐射金属靶上的惰性气体离子(例如氩(Ar)),二次离子枪使用氮气或氮气和惰性气体的混合物照射低能(30-200eV)氮离子。

    다수의 가공치구를 이용하여 세공이 있는 원통형 구조물의 외경을 가공하는 장치 및 가공방법
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:KR1019960005294B1

    公开(公告)日:1996-04-23

    申请号:KR1019920016693

    申请日:1992-09-14

    Abstract: The device grinds the outer surfaces of cylinders(1) having small holes on their centers at once. The device comprises a grinding disk(7) mounted on the top of shaft(8), a grinding paper(9) attatched to the grinding disk(7), and a plurality of jigs, which includes a cylindrical workpiece fixing frame(4), a plurality of wires(5) arranged in the fixing frame(4), a fixing metal(65) to stretching the wires(5), and a cover plate(10) to press the workpieces.

    Abstract translation: 该装置一次在其中心上研磨具有小孔的气缸(1)的外表面。 该装置包括安装在轴(8)的顶部上的研磨盘(7),附着到研磨盘(7)的研磨纸(9)和包括圆柱形工件固定框架(4)的多个夹具, ,布置在固定框架(4)中的多根电线(5),用于拉伸电线(5)的固定金属(65)和用于按压工件的盖板(10)。

    마이크로웨이브용 유전체 세라믹 조성물

    公开(公告)号:KR1019950003225A

    公开(公告)日:1995-02-16

    申请号:KR1019930012771

    申请日:1993-07-07

    Abstract: 본 발명은 14∼20mol%의 산화바륨(BaO) 또는 탄산바륨(BaCO
    3 ), 9.4∼20mol%의 산화사마륨(Sm
    2 O
    3 ), 0.5∼6.3mol%의 산화란탄늄(La
    2 O
    3 ), 60∼72mol%의 이산화티탄(TiO
    2 )을 주성분으로하고 여기에 부성분을 0.05∼2wt%를 첨가하여 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브용 유전체 세라믹 조성물에 관한것으로, 이때 상기 부성분을 산화동과 티탄산을 합성한 티탄산동(CuTiO
    3 ), 산화동과 산화붕소를 합성한 CuB
    2 O
    4 또는 Cu
    2 B
    2 O
    5 중 어느 하나로 이루어진다.
    이렇게하여 형성된 조성물은 상온에서 70 이상의 유전률과 ±5ppm/℃ 이내의 공진주파수 온도계수 및 높은 품질계수를 갖는 유전체를 얻을 수 있고, 이들 유전체는 온도특성이 우수하기 때문에 마이크로웨이브 유전체에 응용가능하며, 공진주파수 온도계수가 ±300ppm/℃ 이내를 갖는 유전체는 EMI 필터용 유전체 및 온도보상용 커패시터로 널리 이용할 수 있다. 또한, 소결온도를 낮출 수 있기 때문에 제조원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.

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