Abstract:
The device comprises an internal fixing unit which supports a workpiece to be processed, a transferring drum which winds a thin wire, a thin wire which forms the inner diameter of the workpiece, the first thin wire guide which controls the contact surface with the micro hole of the workpiece, a tension gauge which detects the tension of the wire, the second wire guide which guides the wire to be wound in a recycling drum, and a recycling drum which winds the wire transferred through the second guide.
Abstract:
Barium titanate ceramic dielectric composition having a high dielectricity was obtained. Thus, 99.8 mol % of BaTiO3, 0.1 mol % of B2O3, 0.1 mol % of CuO were mixed with deionated water, and added polyvinyl alcohol-water solution, and then granulated. The product was molded at 1 ton/cm2 of pressure, 1.5-2 mm of thickness. The composite was easily sintered at 1,050-1,150 degree C, has 2,000-5,000 of dielectricity.
Abstract:
본 발명은 적층세라믹 캐패시터를 제조하는 데 있어서 상온에서 5,000℃이상의 높은 유전율을 갖고 1150℃이하의 저온에서도 소결이 잘되는 세라믹 유전체의 조성을 제공하기 위한 것으로 BaTiO 3 게 유전체의 상온에서의 유전율을 높이고, 저온에서도 소결이 잘 되게 하기 위해서 적절한 이동제와 여러 가지 첨가물을 실험한 결과 다음과 같은 새로운 조성을 얻었다. 예를 들명 본 발명은 제1성분으로 86-93몰분율의 티탄산바륨(BaTiO 3 ), 제2성분으로 7-14몰분율의 주석산 칼슘, 제3성분으로 앞의 두 성분을 합한 것을 100으로 하였을 때 0.05-2.5증량배분율의 산화동(CuO 또는 Cu 3 O) 제4성분으로 0.05-2.5 중량백분율의 산화지르코늄(ZrO 3 )과 산화망간(MnO)을 한 가지 또는 두 가지로 구성된 가지조성물이다. 주석산칼슘이 혼합된 티틴산바륨에 상기 조성물을 소결하여 1300℃ 이상의 소결온도에서는 8.000이상의 유전율과 2퍼센트 이하의 손실율을 얻을 수 있으며,1150℃의 저온도 결에서도 치밀화가 진행되어 상온에서 5.000이상의 유전율, 손실을 2%이하와 양호한 온도특성등을 나타낸다. 여러 가지 첨가물들중 산화등과 산화망간, 산화지르코늄은 유전체 세라믹의 소결을 촉진시키고, 유전선실을 줄이는 효과를 보인다. 또한 산화망간은 입자성장을 다소 억제하고, 치밀한 구조를 가지게 하며, 유전손실을 줄이는 효과를 나타낸다. 그러나 산화등을 너무 많은 량을 첨가하면 절연저항의 감소, 유전손실의 불량, 미세구조의 불랭등을 초래한다. 따라서 적층세라믹커패시터 제조에 응용하면 은 의 함량의 높은 저극재료를 이용할 수 가 있어서 제조원가의 절감효과가 크다.
Abstract:
A heat resistant metallic nitride film on semiconducting substrate is formed by ion beam assisted reaction method, which comprises a deposition of a metallic material by sputtering the metallic target with an ion gun and simultaneously, promotion of a nitriding reaction of deposited heat resistant metals on the substrate by direct irradation of low energy nitrogen ion on the substrate with another ion gun. At least one and/or two metallic elements are selected as target material from high purity W, Mo, Ta, Ti, Zr and WSi. The first ion gun irradates an inert gas ion (e.g. argon (Ar)) on the metallic target and the secondary ion gun irradiates low energy (30-200 eV) nitrogen ion using nitrogen or mixture of nitrogen and inert gas.
Abstract:
The device grinds the outer surfaces of cylinders(1) having small holes on their centers at once. The device comprises a grinding disk(7) mounted on the top of shaft(8), a grinding paper(9) attatched to the grinding disk(7), and a plurality of jigs, which includes a cylindrical workpiece fixing frame(4), a plurality of wires(5) arranged in the fixing frame(4), a fixing metal(65) to stretching the wires(5), and a cover plate(10) to press the workpieces.
Abstract:
본 발명은 14∼20mol%의 산화바륨(BaO) 또는 탄산바륨(BaCO 3 ), 9.4∼20mol%의 산화사마륨(Sm 2 O 3 ), 0.5∼6.3mol%의 산화란탄늄(La 2 O 3 ), 60∼72mol%의 이산화티탄(TiO 2 )을 주성분으로하고 여기에 부성분을 0.05∼2wt%를 첨가하여 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브용 유전체 세라믹 조성물에 관한것으로, 이때 상기 부성분을 산화동과 티탄산을 합성한 티탄산동(CuTiO 3 ), 산화동과 산화붕소를 합성한 CuB 2 O 4 또는 Cu 2 B 2 O 5 중 어느 하나로 이루어진다. 이렇게하여 형성된 조성물은 상온에서 70 이상의 유전률과 ±5ppm/℃ 이내의 공진주파수 온도계수 및 높은 품질계수를 갖는 유전체를 얻을 수 있고, 이들 유전체는 온도특성이 우수하기 때문에 마이크로웨이브 유전체에 응용가능하며, 공진주파수 온도계수가 ±300ppm/℃ 이내를 갖는 유전체는 EMI 필터용 유전체 및 온도보상용 커패시터로 널리 이용할 수 있다. 또한, 소결온도를 낮출 수 있기 때문에 제조원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.