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公开(公告)号：KR100249784B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970061582
申请日：1997-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5253
Abstract: 본 발명은 구부림이 가능한 유기물 혹은 고분자 전기 발광 소자(light emitting device)의 수명 증진을 위한 패키징(encapsulation)에 관한 것으로서 유기물 혹은 고분자 전기 발광 소자를 수분 및 산소의 투과를 방지하는 고분자 복합막으로 밀폐하여 패키징 한다. 이와 같이 고분자 복합막으로 고분자 전기 발광 소자를 패키징할 경우, 소자 열화(degradation)의 원인이 되는 수분과 산소의 투과를 방지함으로써 소자의 수명을 증진시키고, 내열성이 높은 플라스틱 기판 사용시 산소 및 수분의 투과를 방지하는 동시에 소자 작동시 방출되는 열에 견디는 내열 효과가 있다. 따라서, 유기물 혹은 고분자 전기 발광 소자의 고분자 복합막을 이용한 패키징을 통해 수명이 긴 구부릴 수 있는 대면적 유기물 전기 발광 표시판을 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990027363A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049804
申请日：1997-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C08G83/00
Abstract: 본 발명은 전기 발광 소자에 이용될 수 있는 실리콘기가 두개 치환된 용해 가능한 폴리(1,4-페닐렌비닐렌) (PPV) 유도체의 합성 방법 및 이를 이용한 전기 발광 소자에 관한 것이다.
PPV는 용해 가능한 선 중합체로부터 합성되어지지만 200
o C 이상의 고온에서 제거 반응 과정을 거쳐야하며, 이러한 고온 열처리 과정 때문에 제조 공정의 난점과 함께 구부림이 가능한 플라스틱 기판 상에는 이용할 수 없는 단점이 있다.
따라서 본 발명에서 새로이 합성된 폴리[2,5-비스(디메틸옥틸실릴)-1,4-페닐렌비닐렌] (BDMOS-PPV)는 최종 고분자가 일반적인 유기 용매에 잘 녹으며, 측정된 절대 PL 발광 효율이 60 % 로서 PPV의 25 % 보다 월등히 높아 전기 발광 소자의 재료로서 유용하게 이용될 수 있다. 또한 플라스틱 기판에 제작한 전기 발광 소자에서도 밝은 녹색이 발광되어 구부림이 가능한 전기 발광 소자에 직접 이용 될 수 있다.-
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公开(公告)号：KR100141342B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019940026392
申请日：1994-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B29D11/00
Abstract: 본 발명은 광 통신 분야에서 광 섬유간의 접속과 광 섬유와 광원간의 접속 등에 집광용으로 사용되는 집광용 고분자 GRIN(GRadient INdex) 렌즈를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 고분자 GRIN 렌즈의 제작방법은 황화에 의해 폴리스티렌의 굴절률 값이 감소하는 특성을 이용한 것으로, 스티렌(styrene)과 같이 황화(sulfonation)가 가능한 방향족의 단량체를 가교제(cross-linking agent) 및 중합 개시제와 함께 구형 또는 봉의 형태로 중합하는 공정, 소정의 용제(solvent)를 이용하여 상기 중합된 가교고분자를 팽창시키는 공정, 및 상기 팽창된 가교고분자를 황산으로 황화시키는 공정으로 구성된다.
본 발명의 의하면, 황화시의 황산의 확산에 의해 굴절률 분포가 결정되기 때문에 굴절률 분포의 제어가 용이하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960013798B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019930006348
申请日：1993-04-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/24
Abstract: The switch is for switching by flowing an optic signal to various directions using thermo-optics effect. The switch comprises: a board(1); a waveguide(2) for transmitting the optic signal to the board(1); an upper buffer(3) for preventing the absorption of the outer light; a power source(8) and heat wires(9) having the currents varying by the widths and the incident angles of the unit heat wires.
Abstract translation: 该开关用于通过使用热光学效应将光信号流向各个方向进行切换。 开关包括：板（1）; 用于将光信号传输到板（1）的波导（2）; 用于防止吸收外部光的上部缓冲器（3）; 电源（8）和热线（9），其电流随着单位热丝的宽度和入射角度而变化。
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公开(公告)号：KR1020170101606A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020160024374
申请日：2016-02-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B13/00 , H01B3/44 , H01L21/02 , H01L21/447 , H01L21/441
CPC classification number: H01L24/81 , A61B5/0031 , A61B5/686 , A61B2562/0209 , A61B2562/125 , A61N1/0472 , A61N1/05 , H01L21/2636 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/13
Abstract: 전극체는제1 기판및 제2 기판을제공하고, 제1 기판을플라즈마처리하고, 상기제1 기판상에전극을형성하고, 상기제1 기판과제2 기판을상기전극을사이에두고열 압착함으로써제조될수 있으며, 상기제1 기판및 제2 기판은각각불소계고분자를포함한다.
Abstract translation: 电极体设置有第一基板和第二基板，等离子体处理第一基板，在第一基板上形成电极，并且热电压接合第一基板和第二基板，其间电极 并且第一基板和第二基板各自包括基于氟的聚合物。
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公开(公告)号：KR1020130066268A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110133023
申请日：2011-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y40/00 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02639
Abstract: PURPOSE: A method for patterned growth of zinc oxide nanowires is provided to continuously implement a photoresist developing step and a zinc oxide seed layer etching step by using a tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution. CONSTITUTION: A method for patterned growth of zinc oxide nanowires includes the following steps: a zinc oxide seed layer(20) is formed on a substrate(10); a photoresist layer(30) is formed on the seed layer; the photoresist layer is patterned; the seed layer is etched and patterned by using the patterned photoresist layer; the photoresist layer is removed from the seed layer; and zinc oxide nanowires are grown on the seed layer. The patterning and etching steps are continuously implemented using tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution. The concentration of the tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution is 1-3%.
Abstract translation: 目的：提供一种用于氧化锌纳米线图案生长的方法，通过使用四甲基氢氧化铵水溶液连续实施光致抗蚀剂显影步骤和氧化锌种子层蚀刻步骤。 构成：氧化锌纳米线图案生长的方法包括以下步骤：在衬底（10）上形成氧化锌种子层（20）; 在种子层上形成光致抗蚀剂层（30） 光致抗蚀剂层被图案化; 通过使用图案化的光致抗蚀剂层来蚀刻和图案化晶种层; 从种子层除去光致抗蚀剂层; 并且在种子层上生长氧化锌纳米线。 图案化和蚀刻步骤使用四甲基氢氧化铵水溶液连续实施。 四甲基氢氧化铵水溶液的浓度为1-3％。
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公开(公告)号：KR1020130065272A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：KR1020110132059
申请日：2011-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: A61B5/0478 , G01N27/327 , H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A method for forming micro patterns of a neuronal signal measurement chip is provided to form the micro pattern with a desired shape and size without using a photo initiator, by forming the micro patterns of the neuronal signal measurement chip by using a photo cross linking polymer. CONSTITUTION: A substrate (10) is prepared, and surface treatment is performed with 70W plasma under Ar/N2 atmosphere for 10 minutes to form OH functional group. A bio-affinity polymer (12) of 50% is diluted to 2% density with ethanol, and the substrate where the OH functional group is formed is put into the diluted solution for 12 hours at room temperature for chemical bonding. The substrate which is chemically bonded to the bio-affinity polymer is cleaned with ethanol and is thermally-treated at 120°C for 10 minutes and then is cleaned with ultrasonic waves for 5 minutes to remove the bio-affinity polymer not bonded to the surface of the substrate. The cleaned substrate is cleaned with ethanol again and is dried with nitrogen.
Abstract translation: 目的：提供一种形成神经元信号测量芯片的微图案的方法，通过使用光交联形成神经信号测量芯片的微图案，从而形成具有所需形状和尺寸的微图案，而不使用光引发剂 聚合物。 构成：制备基板（10），在Ar / N 2气氛下用70W等离子体进行表面处理10分钟，形成OH官能团。 将50％的生物亲和聚合物（12）用乙醇稀释至2％密度，将形成有OH官能团的基质在室温下放入稀释溶液中12小时进行化学键合。 化学键合到生物亲和聚合物上的基质用乙醇清洗，并在120℃下热处理10分钟，然后用超声波清洗5分钟以除去未结合到表面的生物亲和聚合物 的基底。 再次用乙醇清洗清洁的基材并用氮气干燥。
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