-
公开(公告)号：KR1019980014202A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033061
申请日：1996-08-08
IPC: H04L12/707 , H04L12/24 , H04L12/54 , H04L12/70
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
출력버퍼형 비동기전달모드 스위칭장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
ATM 스위칭장치가 NxN일 때 셀의 주소를 동일한 크기의 부분 주소 n개로 분할하여 부분 주소별로 순차적으로 라우팅하다 충돌이 발생했을 때, 충돌 발생시의 부분 주소부터 다시 라우팅할 수 있는 우회링크를 이용한 출력버퍼형 ATM 스위칭장치를 제공하고자함.
3. 발명의 해결방법의 요지
출력버퍼형 ATM 스위치망에 있어 스위칭 단간에 우회링크를 구비하여 입력된 셀의 출력 주소를 임의의 크기의 부분 주소로 분할하고, 포인터에 따라 라우팅시 충돌이 발생한 셀들은 우회 링크를 통해 포인터 값의 변화없이 출력하고, 우회 링크도 점유되어 해당 부분 주소와는 다른 정상 링크로 출력되는 셀들은 포인터의 값을 초기값으로 하여 출력하고, 셀이 목적 정상 링크를 통해 다음 스위칭 단으로 출력되면 포인터 값을 1감소시켜 출력하여 최종적으로 포인터 값이 0이되면 해당 출력단의 출력버퍼를 통해 출력되도록 함.
4. 발명의 중요한 용도
스위칭장치에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019970056321A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047925
申请日：1995-12-08
IPC: H04L12/851 , H04L12/933
Abstract: 본 발명은 제한적 공유메모리 비동기 전달모드 스위치 장치에서의 우선순위제어 장치에 관한 것으로, 제1 내지 제N 분리 어드레스 선입선출수단(SAFFIO); 상기 어드레스 선입선출수단은 셀 저장어드레스 및 시간 지연셀 FIFO 인에이블신호를 입력으로하여 상태 플래그 신호와 저장된 어드레스를 출력하는 시간 지연셀 선입선출부; 및 셀 저장 어드레스 및 손실셀 FIFO 인에이블 신호를 입력으로하여 임계치 상태 발생 플래그와 저장된 어드레스를 출력하는 손실셀 선입선출부; 및 플래그에 따라 저장된 어드레스를 선택적으로 출력하는 선택기를 구비하여 새로운 우선순위 제어 수단 및 라우팅 수단을 구성하여 부분 버퍼 공유 방식에 의한 셀 손실 및 시간 지연에 대한 우선순위 제어를 하는 것을 특징으로 한다.
-
-
公开(公告)号：KR1019960003850B1
公开(公告)日：1996-03-23
申请号：KR1019920023357
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: The compound semiconductor device, which forms electric channel by activating a gallium arsenide substrate(10) implanted with ions, is composed of (A) forming an aluminum arsenide layer(30) and gallium arsenide layer(40) on a gallium arsenide substrate(10) where an ion implanted layer(20) is formed by epitaxial method, (B) forming a silica layer(50) on the gallium arsenide layer(40) by PECVD method, (C) heat-treating the substrate(10) at elevated temperature, and (D) etching the silica layer(50), gallium arsenide layer(40) and aluminum arsenide layer(30). When the silica layer(50) is etched, the buffer oxide film etchant is used.
Abstract translation: 通过激活注入离子的砷化镓衬底（10）形成电通道的化合物半导体器件由（A）在砷化镓衬底（10）上形成砷化铝层（30）和砷化镓层（40） ），其中通过外延法形成离子注入层（20），（B）通过PECVD法在所述砷化镓层（40）上形成二氧化硅层（50），（C）在升高的温度下对所述衬底（10）进行热处理 温度，和（D）蚀刻二氧化硅层（50），砷化镓层（40）和砷化铝层（30）。 当蚀刻二氧化硅层（50）时，使用缓冲氧化物膜蚀刻剂。
-
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR1019940016454A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920023357
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 반도체의 이온주입(Ion Implantation)공정, 분자선 에피성장(Molecular Beam Epitaxy : MBE) 및 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD)을 기초로 하여 이온주입된 갈륨비소층을 활성화시키는 화합물 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 이온주입되어 이온주입층(20)이 형성된 갈륨비소 기판(10)을 활성화 하여 전기적 채널을 형성하는 화합물 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 상기 이온주입층(20)이 형성된 갈륨비소 기판(10)상에 알루미늄 비소층(30)과 갈륨비소층(40)을 에피택셜 공정에 의해 성장하는 공정과, 상기 갈륨비소층(40)상에 PECVD을 이용하여 SiO
2 층(50)을 형성하는 공정과, 상기 기판(10)을 고온 열처리 하는 공정과, 상기 SiO
2 층(50)과 갈륨비소층(40) 및 알루미늄 비소층(30)을 식각하는 공정을 포함한다.-
-
公开(公告)号：KR1019940000155B1
公开(公告)日：1994-01-07
申请号：KR1019900021811
申请日：1990-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: The method is characterized by forming a sulfur insulating film on the surface of a compound semiconductor by using a mixed solution of a conventional etching solution and a sulfur treatment solution. In the above method, etching and sulfur treatment can be performed simultaneously by dipping a compound semiconductor into the mixed solution of etching solution of NH4OH + H2O2 + H2O (20:7:973) and sulfur treatment solution of (NH4)2Sx(x=0.2-2.0) at the ratio of 1/0.1-1/10 for 1-10 mins at the initial stage of treating process and a mixed solution of NH4OH + H2O2 + H2O (4:1:4000) and (NH4)2Sx(x=0.2-2.0) at the ratio of 1/0.1-1/10 can be used at the gate recess process.
Abstract translation: 该方法的特征在于通过使用常规蚀刻溶液和硫处理溶液的混合溶液在化合物半导体的表面上形成硫绝缘膜。 在上述方法中，可以通过将化合物半导体浸入NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O（20:7:973）的蚀刻溶液和（NH 4）2 S x的硫处理溶液（x = 0.2-2.0）在处理初始阶段为1 / 0.1-1 / 10的比例为1-10分钟，NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O（4:1:4000）和（NH4）2Sx（ x = 0.2-2.0）可以在栅极凹陷处理中使用1 / 0.1-1 / 10的比例。
-
公开(公告)号：KR1019930024233A
公开(公告)日：1993-12-22
申请号：KR1019920008887
申请日：1992-05-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 활성층의 열처리 공정에서 급속열처리 방법을 사용하고, 고립층을 이단계 식각방법으로 형성하도록 한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 안정한 활성층을 성장하는 단계와, 불순물원을 안정하게 제조하여 확산하는 단계와, 이들 불순물을 급속열처리 방법에 의하여 정방형이고 급격한 P활성층을 제조하는 단계와, P, N고립층을 이단계 식각방법으로 단차회복성이 좋아지도록 한 것이다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
269
records
(took 0.017 seconds)
